偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长S－L界面形状的数值模拟

用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性．ψ＝０。