激光显微光谱法测定ITO导电膜中的Sn

本文利用激光显微光谱,涂片法制备样品,采用“S-M”法对ITO导电膜中Sn进行定量分析,结果比较满意。

FTO/ITO复层导电薄膜的研究

采用溶胶凝胶法与溶液水解法分别制备ITO、FTO以及FTO/ITO复层导电膜,利用分光光度仪测量在可见光范围内的透光率,用四探针法精确测量薄膜的电阻率,通过扫描电镜观测薄膜的表面形态,微观颗粒形貌以及薄膜的厚度。实验表明,用SnCl4.5H2OI、n(NO3)3.4.5H2O、NH4F作为主要原料,通过溶胶凝胶法和溶液水解法可制备出低电阻率,高透光性的FTO/ITO复合导电薄膜。

ITO薄膜的光学性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了ITO薄膜,并对溶胶-凝胶法中Sn掺杂量、后续热处理温度以及热处理时间3种工艺参数对ITO薄膜可见光区透射率的影响进行了分析和研究。研究结果表明: w(Sn)掺杂量小于10 %时,ITO薄膜的透射率下降缓慢,掺杂量大于10 %后,薄膜的透射率急剧下降;随着热处理时间的延长,ITO薄膜的透射率直线型下降;热处理温度与ITO薄膜透射率呈曲线关系,热处理温度为500℃时,ITO薄膜的透射率出现最大值。

胶体法制备透明导电ITO薄膜

以锡盐和金属铟为原料采用胶体法制备ITO前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。用TEM测定ITO前驱物浆料颗粒大小;用XRD、SEM、AES分别对ITO薄膜的结构和表面形貌进行表征;用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜光电性能。结果表明:ITO前驱物浆料的颗粒粒径为2nm^15nm,具有较好的分散性和稳定性;ITO薄膜厚度越大,方电阻越小,平均透过率下降;ITO薄膜在波长为360nm^800nm区的透过率随膜厚增加有不同的影响;退火温度越高,膜方电阻越低;当膜厚为300nm、退火温度600℃时,膜方电阻达到258?/□,其透过率在波长550nm处达到89.6%,且薄膜表面平整。

ITO薄膜的气敏特性

本文研究了用胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性；并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响．通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度，对二氧化氮等也有较好的敏感特性，一般催化剂型掺杂物如资金属等掺杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助．ＩＴＯ薄膜与 ＳｎＯ_２薄膜相比具有更高的稳定性．ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征，又具有体效应气敏材料的敏感特性．

水热法制备ITO薄膜的研究

以铟锡氯化物为原料,采用水热法在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并利用X射线衍射 (XRD)、能谱分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对薄膜的相结构、化学组成及形貌进行了表征,研究了水热温度和时间等条件对ITO薄膜光吸收特性的影响。结果表明,水热法制备的ITO薄膜呈体心立方多晶结构且均匀、致密。薄膜在可见光区透射比可达98．2%,具备低成本大规模制备ITO薄膜的潜力。

锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响

以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟（ITO）前驱物浆料，通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5％～20％（质量分数，下同）对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜，样品的光电性能，并对其进行X射线衍射分析。结果表明：当Sn掺杂量为10％时薄膜的方电阻最小，为153Ω／□，不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构；薄膜在可见光区平均透过率≥82％。基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析，研究了ITO薄膜的结构特性，并讨论了薄膜的导电机制。结果表明：胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子。通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明，薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁，且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势，在Sn掺杂量为15％时为最大值3．65eV。

ITO薄膜的电学性能研究

以In金属和SnCl4·5H2 O作为原材料 ,采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了高质量的ITO薄膜 ,并分析了Sn掺杂时、热处理温度、热处理时间三种工艺参数对ITO薄膜电学性能的影响 。

ITO薄膜的制备方法与应用

ITO薄膜具有优越的光电性能,在高科技领域中有着重要的用途,如液晶显示、太阳能电池等。磁控溅射法、化学气相沉积(CVD)法、喷雾热分解法、溶胶-凝胶法是目前制备ITO薄膜常用的方法。水热法制备薄膜是近年来发展起来的一种很有潜力的液相制膜技术,具有成膜大面积化、成本低且易于产业化等优点,该法的应用将极大地推动国内制膜技术的发展。

发射光谱法测定ITO透明导电膜的Sn/In

本文采用运动电极，火花激发，讨论了膜样品分析中标样和分析样品的一致性，介绍了选用多个样品叠加摄谱对ＩＴＯ膜中Ｓｎ／Ｉｎ浓度比的测量。结果表明分析方法的精密度和准确度满足分析要求。

直流磁控溅射ITO薄膜的正交试验分析

利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜,采用正交试验表格L32(48)安排试验。测试了薄膜的方阻和透过率,分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响,其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大。分析得到优化工艺参数为:沉积气压2×133.3224 mPa、氩氧流量比16∶0.5、退火温度427℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227℃。在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17Ω/□,电阻率为1.87×10-4Ω.cm,在可见光区域平均透过率为85.13%。

浸渍涂布法制备ITO气敏薄膜

利用含In,Sn成分的水溶液,经浸渍涂布工艺在不同衬底上制备了ITO薄膜(掺Sn的In_2O_3薄膜)。采用XRD、XPS、SEM分析了薄膜的结构,成分和表面形貌;测试薄膜的气敏特性,发现其对NO_2有良好的选择性和灵敏度,而且薄膜显示出长时间良好的工作稳定性,可望制成实用的NO_2敏感元件。

ITO薄膜方块电阻测试方法的探讨

针对ITO薄膜方块电阻测试方法,文章探讨了常规的四探针法与双电测四探针法在实际生产中的适应性、准确性。根据玻璃基板上的ITO薄膜和聚脂薄膜上的ITO薄膜的结构、物理特性不同特点,测试方块电阻时应注意的细节作出了必要的阐述。并对生产中有关方块电阻测试的注意事项作出详细说明。

高密度ITO靶材烧结方法及发展趋势

简要介绍了铟(In)的用途及国内铟产业的现状,对ITO薄膜的特性、应用领域及高密度ITO靶材溅射镀膜的优点进行了描述。重点对高密度ITO靶材的烧结工艺和成形方法的优缺点及发展现状进行了阐述。探讨了高密度ITO靶材生产技术的发展趋势。

透明导电ITO薄膜的制备及光电特性的研究

采用溶胶-凝胶方法以In(NO3)3.4·5H2O和SnCl4·5H2O为前驱物,用提拉法在石英玻璃基体上制备了ITO透明导电薄膜。详细研究了不同掺Sn比例、不同金属离子浓度、不同提拉速度、不同烘烤温度对ITO薄膜光电特性的影响。结果表明,提拉法制备的薄膜在热处理过程中由凝胶状态向结晶态逐渐转变,方电阻随热处理温度的升高而降低;导电率随薄膜厚度的增加呈非线性增加。

透明导电氧化物薄膜研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望。

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响

采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响,随着热处理温度的增加,ITO膜随机取向增加,晶粒增大,晶格常数在400℃时畸变最小。热处理温度为450℃时ITO膜的择优取向较弱,晶粒较大,晶格畸变较小,ITO膜的方阻最小。

柔性透明导电薄膜及其制备技术

在柔性衬底上制作的器件具有重量轻、柔软等优点,所以柔性透明导电薄膜成为当前的研究热点。柔性衬底存在不耐高温的缺点,从而限制了柔性透明导电薄膜的性能。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,并介绍了柔性透明导电ITO薄膜和ZAO薄膜,分析了它们的研究现状,同时讨论了柔性薄膜的制备方法,最后对柔性透明TCO领域未来的研究和应用工作进行了展望。

氧化铟锡薄膜制备工艺参数的正交优化设计

利用水热的方法制备了ITO透明导电薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜光电特性的影响规律。试验结果表明:影响薄膜光电性能的主要因素是前驱物浓度,其次是氨水浓度和保温温度,保温时间对薄膜光电性能的影响较小。在采用前驱物浓度为0.5mol/L、氨水浓度为3mol/L、保温温度为160℃、保温时间8h的实验条件下,沉积薄膜的性能较好。

氧化铟锡薄膜材料制备及其光电特性研究

采用溶胶-凝胶旋转涂膜法,以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为前驱物在玻璃基片上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜材料,研究掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响.实验结果表明,ITO薄膜的方块电阻和可见光透射率都与掺锡浓度、涂膜层数、热处理温度和时间等因素有关,最佳参数为锡掺杂量12wt%,热处理温度和时间分别为450℃和1h,薄膜层数为6层.最佳ITO薄膜的方块电阻为185Ω/□,可见光平均透射率为91.25%.