Ge/Si SACM-APD器件分析

Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。

热处理对SACM645销轴力学性能的影响

对直径110mm的SACM645销轴进行了不同的热处理工艺试验,试验结果表明经910±10℃油淬(保温1.5min/mm)及630±10℃水冷(保温3min/mm)热处理后SACM645销轴的力学性能可满足厂标30.85.089中对38CrMoAlA的要求。

一种基于层次化兴趣的非结构化P2P拓扑形成模型

在非结构化P2P系统中有两个根本性的问题需要研究:拓扑的自动生成和查询算法.其中前者更为重要:虽然查询算法通常是独立于拓扑结构的,但一个结构良好的拓扑会极大地改善查询算法的性能.提出一种基于层次化兴趣表达的拓扑生成模型(self adaptive community-based model,简称SACM).在这种模型里,每个节点由自身的资源整体类型倾向决定自己的兴趣(interest),并且采用树形结构来表达兴趣;然后节点由兴趣产生一个二进制序列的CID(community ID),CID将成为拓扑形成的主要依据——具有相近CID的节点能聚集成一个连通性较高的子图(社区).SACM不仅提供了生成聚类拓扑的算法,更为重要的是,它通过兴趣的定义及维护从统计上在资源和网络拓扑之间建立了联系.是否存在这种联系正是结构化P2P于非结构化P2P的本质区别.

2018年国外空空导弹发展动态研究

文章全面介绍了2018年国外空空导弹最新发展情况,重点论述了美国的AIM-9X、 AIM-120、小型先进能力导弹(SACM)、微型自卫弹药(MSDM)、"空中主宰"空空武器和远程交战武器,欧洲的MICA NG和"流星",俄罗斯的R-37,印度的"阿斯特拉",南非的A-Darter等空空导弹最新研制进展和试验情况,最后总结空空导弹的最新发展特点。

2017年国外空空导弹发展动态研究

全面介绍了2017年国外空空导弹最新发展情况,重点论述了美国的AIM-9X、AIM-120、小型先进能力导弹(SACM)、微型自卫弹药(MSDM)、"空中主宰"空空武器和远程交战武器(LREW),欧洲的ASRAAM和"流星",日本的JNAAM,印度的"阿斯特拉"等空空导弹最新研制进展和试验情况,最后总结空空导弹的最新发展特点。

苯丙水泥改性剂改性水泥基材料的研究进展

苯丙水泥改性剂(styrene-acrylic cement modifier,SACM)改性水泥砂浆具有强度高、流动性好、韧性高、保水性好、耐久性好、粘结性能好、水密性强等优点。在建筑物结构加固及修补领域中应用相当广泛。综述了SACM改性水泥基材料近年来的国内外成果,全面介绍了此类复合材料的物理性能、力学性能、耐久性能以及改性机理。在此研究基础上对今后的发展趋势、研究方向及应用前景进行了展望。

SiGe/Si单光子雪崩光电二极管仿真

通过理论模拟CMOS工艺兼容的Si Ge/Si单光子雪崩二极管,研究并讨论了掺杂条件对于电场分布、频宽特性、以及器件量子效率的影响。设计出具有浅结结构、可在盖革模式下工作、低击穿电压(30 V)的1.06μm单光子技术雪崩光电二极管。器件采用分离吸收倍增区结构,其中Si材料作为倍增区、Si Ge材料作为吸收区,这充分利用了硅材料较高的载流子离化比差异,降低了器件噪声;在1.06μm波长下,Si Ge探测器的量子效率为4.2%,相比于Si探测器的效率提高了4倍。仿真表明优化掺杂条件可以优化电场分布,从而在APD击穿电压处获得更好的带宽特性。

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管的数值模拟研究

建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,进而减小暗电流的产生;另一方面,雪崩倍增区采用双层掺杂结构设计,优化了器件倍增区的电场梯度分布。最后,利用ATLAS软件较系统地研究并分析了雪崩倍增层、电荷层以及吸收层的掺杂水平和厚度对器件电场分布、击穿电压、IV特性和直流增益的影响。优化后APD的单位增益可以达到0.9 A/W,在工作电压(0.9 Vb)下增益为23.4,工作暗电流也仅是纳安级别(@0.9 Vb)。由于In0.52Al0.48As材料的电子与空穴的碰撞离化率比In P材料的差异更大,因此器件的噪声因子也较低。

先进囊式抗荷系统与侧管式抗荷系统的抗荷性能比较研究

目的 :对先进囊式抗荷系统的抗荷性能进行测定 ,并与侧管式抗荷系统进行比较。方法 :共进行 2组离心机实验 ,每组 6名男性受试者。第一组 ,采用先进囊式抗荷系统 ,先测定装备抗荷性能 ,再暴露于模拟空战动作曲线(simulatedaircombatmaneuver,SACM )Ⅰ ,测定进行腿部收紧时的 +Gz 时间耐力。第二组 ,采用侧管式抗荷系统 ,先测定装备的抗荷性能 ,再暴露于SACMⅡ ,测出做抗荷动作 (anti Gstrainingmaneuver,AGSM )时的 +Gz 时间耐力。结果 :先进囊式抗荷系统的抗荷性能为 5 .33G ,比侧管式抗荷系统的抗荷性能高出 1 .35G(P <0 .0 1 ) ;两组受试者均通过了各自的SACM ,但第一组受试者比第二组受试者用力程度小 ,疲劳程度轻 ,心率低。结论

InGaAs/InP雪崩光电探测器异质结结构优化分析

根据一个吸收层、电荷层和倍增层分立结构(SACM)的InGaAs/InP雪崩光电探测器,减薄电荷层的厚度而引入渐变层,保持材料与厚度不变,改进成吸收层、电荷层、过渡层与倍增层分立结构(SAGCM)的雪崩光电探测器,优化了吸收层与倍增层间材料的异质结结构。采用APSYS软件对其能带结构、电场分布以及暗电流和1.55μm的脉冲光响应电流、增益等进行仿真与计算。对比两种器件的性能,结果分析表明,改进后的器件获得更低的穿通值电压,降低探测器在低偏压下的漏电流,同时得到更大的增益。

双定子电励磁双凸极电机的起动控制

研究双定子电励磁双凸极电机的起动控制,改进电机结构,降低了起动时的转矩脉动。在理论分析的基础上利用基于转速变化的阶段性角度控制方法:低速采用标准角度控制;中高速采用角度随转速变化的提前角度控制,可提高电机在该速段的输出转矩。完成了18kW电励磁双凸极起动/发电系统的样机制作,对系统进行了相关的前期实验及配套航空发动机对发动机进行冷热开车实验。实验表明:该系统的起动控制策略正确有效,起动转矩平滑,所需电源容量小,效率高,具有良好的起动性能。

美国未来空空导弹发展研究与思考

主要对美国提出的双射程空空导弹(DRM)、联合双用途空中优势导弹(JDRADM)、三类目标终结者(T3)、小型先进能力导弹(SACM)、远程交战武器(LREW)、AIM-260(JATM)等空空导弹概念及研究情况进行了梳理,分析其发展趋势和使用特点;并于在此基础上,总结了对美国未来制空作战的认识及其空空导弹发展可能构建的制空作战能力;对于我国未来空空导弹发展提出了加快下一代导弹发展及战术战法研究、构建体系破击能力和智能博弈能力、提升作战使用灵活性等建议。

2016年国外空空导弹发展动态研究

全面介绍了2016年国外空空导弹最新发展情况,重点论述了美国的AIM-9X、AIM-120、小型先进能力导弹(SACM)和微型自卫弹药(MSDM),欧洲的ASRAAM和"流星",印度的"阿斯特拉"等空空导弹最新研制进展和试验情况,最后总结空空导弹的最新发展特点。

空空导弹小/微型化发展趋势与启示

目前,小/微型导弹发展呈现出体制多样化、作战多用途、功能分布化等特点,并依赖着相关技术迅速发展。空空导弹由于平台的强约束,对体积、重量等方面小/微型化有特殊需求,以美国为代表的军事强国正在密集开展相关项目研究工作,在未来作战中有广阔的应用前景。通过国内外小/微型导弹型号及关键技术分析,总结小/微型导弹的特点,提出空空导弹小/微型化发展与应用建议。

先进囊式抗荷系统与侧管式抗荷系统抗荷性能的比较

对先进囊式抗荷系统的抗荷性能进行了离心机评价，并与侧管式抗荷系统进行比较。研究结果证实了先进囊式抗荷系统的抗荷性能明显高于侧管式抗荷系统，其配套方案是可行的。

基于0.35μm高压CMOS工艺的横向线性雪崩光电二极管

提出了一种基于0.35μm高压CMOS工艺的线性雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)。APD采用了横向分布的吸收区-电荷区-倍增区分离(Separate Absorption,Charge and Multiplication,SACM)的结构设计。横向SACM结构采用了高压CMOS工艺层中的DNTUB层、DPTUB层、Pi层和SPTUB层,并不需要任何工艺修改,这极大的提高了APD单片集成设计和制造的自由度。测试结果表明,横向SACM线性APD的击穿电压约为114.7 V。在增益M=10和M=50时,暗电流分别约为15 nA和66 nA。有效响应波长范围为450~1050 nm。当反向偏置电压为20 V,即M=1时,峰值响应波长约为775 nm。当单位增益(M=1)时,在532nm处的响应度约为最大值的一半。

APD前置放大模块电路建模与仿真分析

采用SACM-APD电路模型以及对前置放大电路的分析,建立了APD前置放大模块电路模型,并对模型进行瞬态特性和交流特性仿真分析。模拟得到响应度约为400kV/W;信号沿上升下降时间为6ns,-3dB带宽约为73MHz,与研制的APD前置放大模块实际试验测试值相吻合。

Mg_(2)Si/Si雪崩光电二极管的设计与模拟

Mg_(2)Si作为一种天然丰富的环保材料,在近红外波段吸收系数高,应用于光电二极管中对替代市面上普遍使用的含有毒元素的红外探测器具有重要意义.采用Silvaco软件中Atlas模块构建出以Mg_(2)Si为吸收层的吸收层、电荷层和倍增层分离结构Mg_(2)Si/Si雪崩光电二极管,研究了电荷层和倍增层的厚度以及掺杂浓度对雪崩光电二极管的内部电场分布、穿通电压、击穿电压、C-V特性和瞬态响应的影响,分析了偏置电压对IV特性和光谱响应的影响,得到了雪崩光电二极管初步优化后的穿通电压、击穿电压、暗电流密度、增益系数(Mn)和雪崩效应后对器件电流的放大倍数(M).当入射光波长为1.31μm,光功率为0.01 W/cm^(2)时,光电二极管的穿通电压为17.5 V,击穿电压为50 V,在外加偏压为47.5 V(0.95倍击穿电压)下,器件的光谱响应在波长为1.1μm处取得峰值25 A/W,暗电流密度约为3.6×10^(-5) A/cm^(2),M_(n)为19.6,且M_(n)在器件击穿时有最大值为102,M为75.4.根据模拟计算结果,优化了器件结构参数,为高性能的器件结构设计和实验制备提供理论指导.

负载Ag^+氧化铝陶瓷膜的制备及其对角鲨烯、花生四烯酸和二十碳五烯酸的吸附特性

以多孔氧化铝陶瓷膜(ACM)为支撑体,经硅烷化后浸渍AgNO_3溶液,制备得到了负载Ag^+的氧化铝陶瓷膜(Ag^+-SACM),并对其结构和性质进行了表征;分别考察角鲨烯、花生四烯酸(ARA)及二十碳五烯酸(EPA)在Ag^+-SACM上的吸附性能。结果显示:Ag^+-SACM对3种化合物的吸附过程分为两阶段,第一阶段吸附速率较快,吸附行为符合Langmuir等温吸附模型;经拟合,Ag^+-SACM对角鲨烯、ARA和EPA的平衡吸附量(0℃)分别为369、322.58和990.1μmol/m2,Ag^+-SACM对EPA的吸附性能明显优于角鲨烯和ARA。这可能与其不饱和双键数和双键结构有关;乙酸丁酯对EPA-Ag^+-SACM具有较好的洗脱能力,在优化的条件下(70℃、75 min),EPA的洗脱率可达90.1%。