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用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层 被引量:2
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作者 刘世民 于栋利 +3 位作者 田永君 何巨龙 李东春 陈世镇 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期537-537,共1页
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层*刘世民1,2于栋利2田永君2何巨龙2李东春2陈世镇2(1.秦皇岛玻璃研究设计院,秦皇岛066004)(2.燕山大学,秦皇岛066004)单晶硅片的表面质量是制约制... 用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层*刘世民1,2于栋利2田永君2何巨龙2李东春2陈世镇2(1.秦皇岛玻璃研究设计院,秦皇岛066004)(2.燕山大学,秦皇岛066004)单晶硅片的表面质量是制约制造超大规模集成电路成品率的主要因素... 展开更多
关键词 单晶硅片 表面变质层 sacp技术 ELID 磨削
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用SEM的SACP技术分析合金材料的表面织构 被引量:3
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作者 朱衍勇 廖乾初 《电子显微学报》 CAS CSCD 1994年第5期430-434,共5页
本文是在平行电子束的条件下采用单偏转摇摆聚焦方法去获得高角分辨率的选区电子通道花样,选区尺寸为5μm。对具有面织构的试样表面上100个晶粒用上述SACP技术进行了逐点位向分析。然后,根据分析结果,对热处理后新织构的形... 本文是在平行电子束的条件下采用单偏转摇摆聚焦方法去获得高角分辨率的选区电子通道花样,选区尺寸为5μm。对具有面织构的试样表面上100个晶粒用上述SACP技术进行了逐点位向分析。然后,根据分析结果,对热处理后新织构的形成机制进行了讨论,表明选区电子通道花样技术是研究表面织构形成机制的一种直观而有效的方法。 展开更多
关键词 表面结构 合金材料 分析 SEM sacp
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SACP技术在红外器件研制工艺中的应用探讨
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作者 徐晓华 李萍 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期268-268,共1页
各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文... 各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文介绍利用电子通道技术来检验半导体晶片表面的污染、损伤及结构完整性我们所进行的一些初步工作。对由同一晶锭上切割下的碲镉汞晶片任取10片分为两组进行了对比分析。结果表明在机械磨。 展开更多
关键词 红外器件 工艺 sacp技术
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用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层 被引量:1
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作者 刘世民 于栋利 +3 位作者 田永君 何巨龙 李东春 陈世镇 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第1期51-54,共4页
利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ELID磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明,表面粗糙度依次为9.5nm和22.5nm两种〈111〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为2.8μm... 利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ELID磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明,表面粗糙度依次为9.5nm和22.5nm两种〈111〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为2.8μm和4.8μm。 展开更多
关键词 sacp ELID磨削 硅片 超大规模 集成电路
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浅谈预付费业务SACP的未来发展
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作者 林奇峰 《邮电设计技术》 2014年第1期90-92,共3页
通过对预付费业务SACP现状的分析,从节约建设资金、提高网络安全、增强业务能力等方面考虑未来预付费业务SACP的发展。
关键词 预付费 sacp 冗灾 简化
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从新党章看南非共产党的新变化 被引量:1
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作者 王建礼 《社会主义研究》 CSSCI 北大核心 2014年第4期131-137,共7页
2012年7月11-15日,南非共产党在夸祖鲁—纳塔尔省的祖鲁兰大学召开第十三次全国代表大会。为适应南非民族民主革命发展的新要求,在各个关键的斗争领域内推进和深化工人阶级权力,南非共产党对现行党章进行了修改。新党章强调要继续坚持... 2012年7月11-15日,南非共产党在夸祖鲁—纳塔尔省的祖鲁兰大学召开第十三次全国代表大会。为适应南非民族民主革命发展的新要求,在各个关键的斗争领域内推进和深化工人阶级权力,南非共产党对现行党章进行了修改。新党章强调要继续坚持马克思列宁主义的指导方针以及党的战略目标。与此同时,对党的指导方针、组织原则和组织结构及其运行机制、南非共青团的地位和作用、党员的基本义务等方面进行了较大幅度的补充、修改和完善。其目的就是要在党员数量迅速增加的条件下,提升党员质量,加强和巩固党的团结统一,增强党的战斗力,以应对党在新时期所面临的各种挑战。 展开更多
关键词 南非共产党 新党章 民主集中制 南非共青团
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固网、移动网IVPN业务融合的组网探讨
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作者 管骏 《移动通信》 2009年第14期53-56,共4页
作为固移融合背景下最重要最迫切的融合业务,文章在介绍了IVPN业务的特征之后,给出了固网、移动网IVPN业务融合的基本思路,接着主要从组网方案、网元接口、业务呼叫流程三个方面进行了探讨。
关键词 IVPN OCS sacp 同号 消息流程
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体外循环悖论与心肺旁路缺血再灌注损伤机制及对策——附“心肺脑保护体外循环各式”临床原理及其统一命名建议方案 被引量:5
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作者 曲度 曲强 +1 位作者 张弦 马建芳 《黑龙江医学》 2009年第1期1-12,共12页
目的本文旨在探讨经典体外循环与温心不停跳体外循环,双心室旁路与选择性顺行脑灌注各式的利弊。方法本文从研究体外循环与缺血再灌注损伤之间关系开始,首次提出了体外循环悖论问题。基于"广义生命时空场论"与机体损伤反应综... 目的本文旨在探讨经典体外循环与温心不停跳体外循环,双心室旁路与选择性顺行脑灌注各式的利弊。方法本文从研究体外循环与缺血再灌注损伤之间关系开始,首次提出了体外循环悖论问题。基于"广义生命时空场论"与机体损伤反应综合征"SD1D2F"4阶段说之学术观点,我们探讨了体外循环悖论的产生原因与心肺旁路所致的缺血再灌注损伤病理生理及细胞分子生物学机制,并提出了解决体外循环悖论问题的临床总体方略和解决缺血再灌注损伤问题的临床对策。另对经典体外循环(简称ECC)、温心不停跳ECC,双心室旁路与选择性顺行脑灌注四式之利弊做了评价。此外,对ECC各式的升主动脉和/或上下腔静脉阻断时限,深低温停循环时限与总转流时限等安全时限问题做了深入探讨与评价,并提出了一套关于"心肺脑保护体外循环各式"统一命名的建议方案与几个新的ECC术式设计。结果上述心肺脑保护体外循环各式均有弊端,任何一式均不能同时完全保护心肺脑三者功能。结论体外循环悖论是解决现有心肺旁路各式弊端的关键所在,对该问题之学术论战将会引发ECC的一场新的革命。 展开更多
关键词 体外循环悖论 心不停跳体外循环 双心室旁路 选择性顺行脑灌注 缺血再灌注损伤 广义生命时空场论 全身炎症反应综合征 多脏器衰竭 温心外科 心肺旁路
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Stanford A型主动脉夹层弓部置换体外循环术后延迟苏醒危险因素分析 被引量:3
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作者 曾莎青 吴清明 《数理医药学杂志》 2017年第4期494-496,共3页
目的:回顾性分析288例Stanford A型主动脉夹层患者在体外循环(CPB)下行弓部置换手术延迟苏醒的相关危险因素。方法:对所有病例用深低温停循环(DHCA)选择性顺行脑灌(SACP)治疗主动脉夹层弓部置换的临床资料进行分析,根据术后24h苏醒情况... 目的:回顾性分析288例Stanford A型主动脉夹层患者在体外循环(CPB)下行弓部置换手术延迟苏醒的相关危险因素。方法:对所有病例用深低温停循环(DHCA)选择性顺行脑灌(SACP)治疗主动脉夹层弓部置换的临床资料进行分析,根据术后24h苏醒情况分为术后意识恢复正常组和术后延迟苏醒组,用Logistic回归分析术后发生延迟苏醒的独立危险因素。结果:SACP时间、术中最高乳酸值及术后白细胞(WBC)计数为患者术后延迟苏醒的独立危险因素。结论:Stanford A型主动脉夹层弓部置换术后延迟苏醒是多因素的共同结果,临床上应减少SACP时间,降低乳酸堆积及术后WBC。 展开更多
关键词 主动脉弓部置换 选择性脑灌 延迟苏醒 危险因素
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正交在二维相关光谱中的机会 被引量:3
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作者 徐怡庄 郭然 +1 位作者 贺安琪 李晓佩 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1697-1719,共23页
本文总结了我们将正交的概念运用到二维相关光谱方法学的一些尝试.主要工作包括:研究溶于同一组溶液中两种溶质间的相互作用.通过设计特殊的浓度序列,在构建二维相关光谱时形成正交向量,正交向量的点乘可消除与分子间相互作用无关的二... 本文总结了我们将正交的概念运用到二维相关光谱方法学的一些尝试.主要工作包括:研究溶于同一组溶液中两种溶质间的相互作用.通过设计特殊的浓度序列,在构建二维相关光谱时形成正交向量,正交向量的点乘可消除与分子间相互作用无关的二维相关光谱信号,进而交叉峰可显示出分子间相互作用的真相.解析混合物的色谱-光谱联用或类似实验产生的双线性数据.利用Hilbert-Noda矩阵的自正交性,可将隐藏在原始数据中的不变量转化为二维/高维异步谱中的系统缺峰,从而有可能在不同组分的洗脱曲线高度重叠的情况下提取纯组分光谱. 展开更多
关键词 二维相关光谱 正交 分子间相互作用 双线性数据 系统缺峰
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