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用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层
被引量:
2
1
作者
刘世民
于栋利
+3 位作者
田永君
何巨龙
李东春
陈世镇
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996年第6期537-537,共1页
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层*刘世民1,2于栋利2田永君2何巨龙2李东春2陈世镇2(1.秦皇岛玻璃研究设计院,秦皇岛066004)(2.燕山大学,秦皇岛066004)单晶硅片的表面质量是制约制...
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层*刘世民1,2于栋利2田永君2何巨龙2李东春2陈世镇2(1.秦皇岛玻璃研究设计院,秦皇岛066004)(2.燕山大学,秦皇岛066004)单晶硅片的表面质量是制约制造超大规模集成电路成品率的主要因素...
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关键词
单晶硅片
表面变质层
sacp技术
ELID
磨削
下载PDF
职称材料
SACP技术在红外器件研制工艺中的应用探讨
2
作者
徐晓华
李萍
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990年第3期268-268,共1页
各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文...
各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文介绍利用电子通道技术来检验半导体晶片表面的污染、损伤及结构完整性我们所进行的一些初步工作。对由同一晶锭上切割下的碲镉汞晶片任取10片分为两组进行了对比分析。结果表明在机械磨。
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关键词
红外器件
工艺
sacp技术
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职称材料
题名
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层
被引量:
2
1
作者
刘世民
于栋利
田永君
何巨龙
李东春
陈世镇
机构
秦皇岛玻璃研究设计院
燕山大学
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996年第6期537-537,共1页
基金
国家自然科学基金
文摘
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层*刘世民1,2于栋利2田永君2何巨龙2李东春2陈世镇2(1.秦皇岛玻璃研究设计院,秦皇岛066004)(2.燕山大学,秦皇岛066004)单晶硅片的表面质量是制约制造超大规模集成电路成品率的主要因素...
关键词
单晶硅片
表面变质层
sacp技术
ELID
磨削
分类号
O794 [理学—晶体学]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SACP技术在红外器件研制工艺中的应用探讨
2
作者
徐晓华
李萍
机构
昆明物理研究所
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990年第3期268-268,共1页
文摘
各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文介绍利用电子通道技术来检验半导体晶片表面的污染、损伤及结构完整性我们所进行的一些初步工作。对由同一晶锭上切割下的碲镉汞晶片任取10片分为两组进行了对比分析。结果表明在机械磨。
关键词
红外器件
工艺
sacp技术
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层
刘世民
于栋利
田永君
何巨龙
李东春
陈世镇
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1996
2
下载PDF
职称材料
2
SACP技术在红外器件研制工艺中的应用探讨
徐晓华
李萍
《电子显微学报》
CAS
CSCD
1990
0
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职称材料
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