InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量

本文根据雪崩电场及限制隧道电流要求出发,画出结构参数选择空间。估算和选择了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件结构,测量了光电流-电压的二级阶梯扭折曲线,给出和讨论了与实际测量的M_ρ比较吻合的经验公式。

长距离高比特率光纤通信用InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD

InGaAs/lnGaAsP/InP分隔吸收区、梯度区、倍增区的雪崩光电二极管(SAGMAPD)具有小的暗电流、低的雪崩倍增噪声和高的增益-带宽乘积。它是应用于长距离和高比特率(几Gb/s)光纤通信的最佳光检测器之一。本文综述这种器件的结构、工作原理和特性及其研究进展。

光通信用高速长波长APD结构优化与最佳光倍增

分析、比较了几种台面和平面长波长 APD在结构、技术指标和可靠性等方面的优缺点 ;指出了长波长 APD的一些物理限制和目前工艺水平下的择优结构 ;从实践和理论上讨论了 APD的最大倍增和最佳光接收机灵敏度 .

四象限InGaAs APD探测器的研究

文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管(Avalanche Photo Diode,APD)的管芯结构采用正入光式平面型结构,而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构,在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数。试验结果表明,其响应时间≤1.5 ns,响应度≥9.5 A/W,暗电流≤40 nA,可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下,可有效抑制器件表面漏电流,提高器件的可靠性。