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高精度低功耗噪声整形SAR ADC设计
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作者 赵壮 付云浩 +2 位作者 谷艳雪 常玉春 殷景志 《吉林大学学报(信息科学版)》 CAS 2024年第2期226-231,共6页
针对传统无源有损积分环路滤波器相较于有源无损积分环路滤波器,具有功耗低、电路设计简单等特点,但其噪声传输函数(NTF:Noise Transfer Function)平滑,噪声整形效果较弱的问题,提出了一种无源无损的二阶积分环路滤波器,保留了无源有损... 针对传统无源有损积分环路滤波器相较于有源无损积分环路滤波器,具有功耗低、电路设计简单等特点,但其噪声传输函数(NTF:Noise Transfer Function)平滑,噪声整形效果较弱的问题,提出了一种无源无损的二阶积分环路滤波器,保留了无源有损积分优点的同时具有良好噪声整形效果。设计了一款分辨率为16 bit、采样率为2 Ms/s的混合架构噪声整形SAR ADC。仿真结果表明,在125 kHz带宽、过采样比为8时,实现了高信号与噪声失真比(SNDR(Signal to Noise and Distortion Ratio)为91.1 dB)、高精度(14.84 bit)和低功耗(285μW)的性能。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 噪声整形sar adc 高精度 低功耗
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10 bit高速低功耗SAR ADC设计
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作者 段鉴容 聂海 《成都信息工程大学学报》 2024年第1期13-17,共5页
基于TSMC40 nm工艺,提出一种高速低功耗逐次逼近型模数转换器。设计电路采用全差分结构,基于vcm-based电容拆分技术解决先进工艺下难以设计精准VCM电平和复杂逻辑的问题,采用double-tail动态比较器实现高速和低功耗,采用TSPC触发器设计... 基于TSMC40 nm工艺,提出一种高速低功耗逐次逼近型模数转换器。设计电路采用全差分结构,基于vcm-based电容拆分技术解决先进工艺下难以设计精准VCM电平和复杂逻辑的问题,采用double-tail动态比较器实现高速和低功耗,采用TSPC触发器设计SAR逻辑进一步提高速度和降低功耗,采用异步时序,通过环路自身产生比较器时钟,不需要外接时钟信号,降低设计复杂度。在150 MHz采样频率,1.1 V电源电压,奈奎斯特的输入频率下,对该设计进行仿真,仿真结果表明,SAR ADC的ENOB=9.93 bit,SNDR=61.6 dB,SFDR=78.6 dB。 展开更多
关键词 sar adc 高速 低功耗 电容拆分技术
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A 16-bit 18-MSPS flash-assisted SAR ADC with hybrid synchronous and asynchronous control logic
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作者 Junyao Ji Xinao Ji +5 位作者 Ziyu Zhou Zhichao Dai Xuhui Chen Jie Zhang Zheng Jiang Hong Zhang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第6期3-12,共10页
This paper presents a 16-bit,18-MSPS(million samples per second)flash-assisted successive-approximation-register(SAR)analog-to-digital converter(ADC)utilizing hybrid synchronous and asynchronous(HYSAS)timing control l... This paper presents a 16-bit,18-MSPS(million samples per second)flash-assisted successive-approximation-register(SAR)analog-to-digital converter(ADC)utilizing hybrid synchronous and asynchronous(HYSAS)timing control logic based on an on-chip delay-locked loop(DLL).The HYSAS scheme can provide a longer settling time for the capacitive digital-to-analog converter(CDAC)than the synchronous and asynchronous SAR ADC.Therefore,the issue of incomplete settling or ringing in the DAC voltage for cases of either on-chip or off-chip reference voltage can be solved to a large extent.In addition,the fore-ground calibration of the CDAC’s mismatch is performed with a finite-impulse-response bandpass filter(FIR-BPF)based least-mean-square(LMS)algorithm in an off-chip FPGA(field programmable gate array).Fabricated in 40-nm CMOS process,the proto-type ADC achieves 94.02-dB spurious-free dynamic range(SFDR),and 75.98-dB signal-to-noise-and-distortion ratio(SNDR)for a 2.88-MHz input under 18-MSPS sampling rate. 展开更多
关键词 sar adc control logic reference ringing DAC incomplete settling
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一种基于分段冗余电容阵列的高速SAR ADC
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作者 林思远 《中国集成电路》 2024年第3期72-77,共6页
高速中等精度的模数转换器是通信系统中重要的组成部分。本文提出了一种基于分段冗余电容阵列的高速逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)设计方案。该设计方案通过引入分段冗余电容阵列,在降低了面积和功耗的同时,克服了高速采样下,DAC不完... 高速中等精度的模数转换器是通信系统中重要的组成部分。本文提出了一种基于分段冗余电容阵列的高速逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)设计方案。该设计方案通过引入分段冗余电容阵列,在降低了面积和功耗的同时,克服了高速采样下,DAC不完全建立对ADC性能的影响。所设计的两级动态比较器,通过噪声分析可知,在满足高速性能的前提下,提高了ADC的精度。基于SMIC55nm CMOS工艺,本文实现了一种12-bit 100-MS/s的SAR ADC。在1.2V电源电压和100MS/s的采样频率,差分输入接近满摆幅下,前仿真结果为SNDR为73.27dB,ENOB可达11.87bit。 展开更多
关键词 sar adc 冗余重组 分段电容 噪声分析
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基于新型环形放大器的低功耗Pipelined SAR ADC
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作者 李树明 《中国集成电路》 2024年第5期50-56,共7页
针对流水线型逐次逼近模数转换器(Pipelined SAR ADC)中残差放大器的核心运放功耗过高,从而严重限制ADC能效上限的问题,本文提出了一种新型的基于CMOS开关的自偏置全差分环形放大器(CMOS Self-biased Fully Differential Ring Amplifier... 针对流水线型逐次逼近模数转换器(Pipelined SAR ADC)中残差放大器的核心运放功耗过高,从而严重限制ADC能效上限的问题,本文提出了一种新型的基于CMOS开关的自偏置全差分环形放大器(CMOS Self-biased Fully Differential Ring Amplifier,CSFRA),来替代传统运放。CSFRA通过引入CMOS开关自偏置和全差分结构,同时在非放大时序中关断电路,降低了残差放大器功耗。基于所提CSFRA,配合可降低开关功耗的检测和跳过切换方案,设计了一款12 Bit 10 MS/s的Pipelined SAR ADC。该电路基于MXIC L18B 180 nm CMOS工艺实现,实验结果表明,在10 MS/s的采样率下,该电路的SFDR和SNDR分别为75.3 dB和61.3 dB,功耗仅为944μW,其中CSFRA功耗仅为368μW。 展开更多
关键词 Pipelined sar adc 环形放大器 低功耗
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一种基于新型低功耗开关策略的10 bit 120 MS/s SAR ADC
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作者 李京羊 万辉 +1 位作者 王定洪 刘兴辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期25-31,共7页
设计了一种10 bit 120 MS/s高速低功耗逐次逼近模数转换器(SAR ADC)。针对功耗占比最大的CDAC模块,基于电容分裂技术并结合C-2C结构,提出了一种输出共模保持不变的双电平高能效开关控制策略;在降低CDAC开关功耗的同时,摆脱了CDAC开关过... 设计了一种10 bit 120 MS/s高速低功耗逐次逼近模数转换器(SAR ADC)。针对功耗占比最大的CDAC模块,基于电容分裂技术并结合C-2C结构,提出了一种输出共模保持不变的双电平高能效开关控制策略;在降低CDAC开关功耗的同时,摆脱了CDAC开关过程中对中间共模电平的依赖,使得该结构适用于低电压工艺。在速度提升方面,控制逻辑使用异步逻辑进行加速;比较器采用一种全动态高速结构,在保证精度的前提下其工作频率达到3 GHz;CDAC中插入冗余位,以降低高位电容对充电时间的要求。所设计的SAR ADC使用40 nm CMOS工艺实现,采用1.1 V低电压供电。在不同工艺角下进行性能仿真,结果显示,在120 MHz采样率下,有效位数为9.86 bit,无杂散动态范围为72 dB,功耗为2.1 mW,优值为18.9 fJ/(conv·step)。 展开更多
关键词 逐次逼近模数转换器 开关策略 低功耗 高速
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基于Simulink噪声整形SAR ADC的建模
7
作者 孙海燕 熊韵 戴澜 《通信电源技术》 2023年第4期25-27,共3页
基于MATLAB中的Simulink库实现了噪声整形SAR ADC的行为级建模并对模型进行仿真分析,着重分析了采样热噪声、采样时钟抖动、比较器噪声、电容失配等非理想因素对ADC系统性能的影响。为了设计实现13.5位噪声整形SAR ADC,并满足信息噪声... 基于MATLAB中的Simulink库实现了噪声整形SAR ADC的行为级建模并对模型进行仿真分析,着重分析了采样热噪声、采样时钟抖动、比较器噪声、电容失配等非理想因素对ADC系统性能的影响。为了设计实现13.5位噪声整形SAR ADC,并满足信息噪声及失真比(Signal-to-Noise-and-Distortion Radio,SNDR)为83 dB的性能指标,需要保证采样热噪声在0.5 LSB以内、时钟抖动在1 ns以内、比较器噪声在2.5LSB以内、电容失配在0.2%以内。实验证明,所完成的建模工作对噪声整形SAR ADC实际电路的设计具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 噪声整形sar adc 非理想因素 SIMULINK
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高精度SAR ADC电容阵列设计及校准算法
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作者 金鹏展 丁晟 +2 位作者 黄玮 朱樟明 居水荣 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期1020-1029,共10页
在高精度逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)中,电容阵列是SAR ADC的核心之一。电容阵列中的电容失配问题是导致转换精度降低的一个重要原因。为了尽可能改善这一问题,设计了一种6+6+6分段电容阵列,并且基于这种阵列设计了权重迭代算法... 在高精度逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)中,电容阵列是SAR ADC的核心之一。电容阵列中的电容失配问题是导致转换精度降低的一个重要原因。为了尽可能改善这一问题,设计了一种6+6+6分段电容阵列,并且基于这种阵列设计了权重迭代算法的前台数字校准。该方法不需要额外的电容阵列,利用自身的电容阵列与比较器量化出电容失配,计算出每一位输出码的权重校准系数,用来对正常量化出的输出码进行编码,实现校准功能。仿真结果表明,引入电容失配的18 bit SAR ADC经过该算法校准后,信噪比(SNR)从77.6 dB提升到107.6 dB,无杂散动态范围(SFDR)从89.8 dB提升到125.6 dB,有效位数(ENOB)从12.54 bit提升到17.54 bit。在SMIC 0.18μm工艺下,该校准算法对高精度SAR ADC的动态性能具有较大提升。 展开更多
关键词 逐次逼近寄存器模数转换器(sar adc) 电容失配 电容阵列 校准 有效位数(ENOB) 信噪比(SNR)
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一种基于二进制重组加权定制电容阵列的SAR ADC设计
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作者 林金晖 王宇 王法翔 《集成电路应用》 2023年第12期18-22,共5页
阐述DAC电容阵列的不完全建立对SAR ADC的影响,设计一种基于二进制重组加权算法的SAR ADC,降低DAC电容对于建立时间和精度的要求。提出一种可变延时单元来调整比较器的时钟信号,以提高SAR ADC的转换速度。同时设计定制金属-氧化物-金属(... 阐述DAC电容阵列的不完全建立对SAR ADC的影响,设计一种基于二进制重组加权算法的SAR ADC,降低DAC电容对于建立时间和精度的要求。提出一种可变延时单元来调整比较器的时钟信号,以提高SAR ADC的转换速度。同时设计定制金属-氧化物-金属(MOM)电容,提高了电容阵列的密度,实现了线性度和面积的良好折中。基于上述技术,实现一种8bit 50Msps的SAR ADC,该电路基于SMIC0.18μm工艺实现。仿真结果表明,在1.8V电源电压和50Msps的采样频率下,电路的SNDR为47.49dB,ENOB可达7.6bit,功耗为3.6mW,有效电路面积仅为0.2141mm^(2)。 展开更多
关键词 集成电路设计 sar adc 二进制重组冗余 定制电容
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一种应用分段式电容阵列的20 MS/s 10-bit SAR ADC
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作者 崔海涛 张继 +2 位作者 陈玉蓉 胡伟波 李超润 《电子技术应用》 2023年第10期53-58,共6页
设计了一个10位分辨率,20 MS/s采样率的逐次逼近型模拟数字转换器(SAR ADC)。该电路通过采用分段式电容阵列设计,缩短了量化过程中高位电容翻转后所需要的稳定时间,从而提高了量化速度。此外,还提出了一种新颖、高效的比较器校准方法,... 设计了一个10位分辨率,20 MS/s采样率的逐次逼近型模拟数字转换器(SAR ADC)。该电路通过采用分段式电容阵列设计,缩短了量化过程中高位电容翻转后所需要的稳定时间,从而提高了量化速度。此外,还提出了一种新颖、高效的比较器校准方法,以较低的成本实现了比较器失调电压的抑制。该ADC芯片基于180 nm CMOS工艺设计制造,核心面积为0.2135 mm^(2)。实际测试结果表明,在1.8 V电源电压、20 MS/s采样频率下,该ADC的信号噪声失真比(SNDR)达到了58.24 dB。 展开更多
关键词 sar adc 分段式电容阵列 比较器校准
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一种12位5.5 MS/s同步FLASH-SAR ADC的设计
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作者 朱朝峰 汪东 +2 位作者 邓欢 龙睿 唐金波 《电子设计工程》 2023年第22期67-72,共6页
该文设计了一款12位5.5 MS/s同步全并行-逐次逼近模数转换器(FLASH-SAR ADC)。提出了一种新型单端-差分混合DAC电容阵列,将差分的优势融合到单端SAR ADC中,同时采用分段结构,降低电路面积和功耗。设计了一款跨电压域动态比较器,并采用... 该文设计了一款12位5.5 MS/s同步全并行-逐次逼近模数转换器(FLASH-SAR ADC)。提出了一种新型单端-差分混合DAC电容阵列,将差分的优势融合到单端SAR ADC中,同时采用分段结构,降低电路面积和功耗。设计了一款跨电压域动态比较器,并采用输出失调校准技术,消除比较器失调电压。根据FLASH ADC和SAR ADC转换的结果进行编码设计,解决了高位和低位输出码组合的问题,并快速处理冗余位,得到最终结果。该设计采用55 nm CMOS工艺实现,在3.3 V模拟电源和1.2 V数字电源下,FLASH-SAR ADC的后仿真有效位达到11.82 bit,信噪失真比为73.12 dB,无散杂动态范围为80.07 dB,总谐波失真为86.22 dB。 展开更多
关键词 FLASH-sar adc 电容阵列 跨电压域比较器 有效位
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一种10bit低功耗SAR ADC设计
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作者 戴澜 王钰宁 《通信电源技术》 2023年第4期52-54,共3页
设计了一种10 bit、1 MS/s低功耗SAR ADC,在传统SAR ADC的基础上改进了电容阵列的算法,加入了高位隔离开关,改进了栅压自举开关的电路。采用SMIC 55nm CMOS工艺实现了电路,工作电压为1.2 V,在采样频率为1 MHz,输入信号频率为16.601 kHz... 设计了一种10 bit、1 MS/s低功耗SAR ADC,在传统SAR ADC的基础上改进了电容阵列的算法,加入了高位隔离开关,改进了栅压自举开关的电路。采用SMIC 55nm CMOS工艺实现了电路,工作电压为1.2 V,在采样频率为1 MHz,输入信号频率为16.601 kHz时,有效位数(Effective Number of Bits,ENOB)为9.82位,信噪比(Signal to Interference plus Noise Radio,SNDR)为60.91 dB,无杂散动态范围(Spurious Free Dynamic Range,SFDR)为72.92 dB,得到平均功耗为1.38μW,优值为1.34 fJ/convertion-step。 展开更多
关键词 逐次逼近模数转换器 低功耗 电容阵列
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一种适用于高温控制类应用的12位1Msps单端SAR ADC设计
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作者 汤雁婷 《集成电路应用》 2023年第12期1-5,共5页
阐述一种在180nm CMOS技术下实现的低功耗单端12位同步逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)设计。通过引入冗余位抑制由于参考电压缓冲器带宽不足引入的动态误差,同时采用温度码译码器控制下级板开关逻辑,克服电容阵列失配产生的静态误... 阐述一种在180nm CMOS技术下实现的低功耗单端12位同步逐次逼近寄存器(SAR)模数转换器(ADC)设计。通过引入冗余位抑制由于参考电压缓冲器带宽不足引入的动态误差,同时采用温度码译码器控制下级板开关逻辑,克服电容阵列失配产生的静态误差,并提出一种新型参考电压缓冲器,将建立时间缩短至50ns输出稳定电压,使ADC在高温工作时依然可以快速建立转换,精度不受影响。该ADC的采样速度1MS/s,在2.7~5.5V电源下,实现了85dB的SFDR和11.8位ENOB,最高功耗5.04mW,获得了1.41pJ/转换步的优值(FoM)。 展开更多
关键词 电路设计 低功耗 单端sar adc 温度码译码器 参考电压缓冲器 高温工作
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一种可校正的12位C2C电容阵列混合结构SAR ADC
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作者 韩文涛 明平文 +3 位作者 肖航 张中 李靖 于奇 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第3期359-365,共7页
提出了一种可校正的12位C2C电容阵列混合结构逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),其数模转换器(DAC)由低6位分裂式C2C DAC阵列与高6位二进制DAC阵列构成。提出的混合结构DAC既解决了中高精度二进制SAR ADC中总电容过大的问题,又避免了分段... 提出了一种可校正的12位C2C电容阵列混合结构逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),其数模转换器(DAC)由低6位分裂式C2C DAC阵列与高6位二进制DAC阵列构成。提出的混合结构DAC既解决了中高精度二进制SAR ADC中总电容过大的问题,又避免了分段式二进制DAC分数值桥接电容无法与单位电容形成匹配的问题。该结构能显著降低整个ADC的动态功耗。此外,将高位终端电容和低2~6位量化电容拆分成相等的两个电容,引入冗余量,使得该ADC的电容权重可以被校准,降低了电容失配以及寄生电容的影响。最后,为了避免电容上极板复位信号因电容阵列容值大而导致的延时偏大问题,采用高6位DAC采样的方式,并在高6位DAC中引入单位电容大小的终端电容,弥补了参考电压区间不完整的缺陷。仿真结果显示,在1.5 V电压下,该ADC总体功耗仅为111.84μW,ENOB为12.49位,SFDR为91.46 dB,SNDR为76.97 dB。 展开更多
关键词 模数转换器 数模转换器 C2C电容阵列 混合结构sar模数转换器 LMS校正算法
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一种前后台结合的SAR ADC的校准算法
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作者 黄立朝 芮小军 +3 位作者 章宇新 樊华 王煜楠 冯全源 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期561-567,共7页
提出了一种数字前台校准技术,即电容重组技术,并将该技术与LMS数字后台校准技术相结合,提高了LMS算法的收敛速度。提出的算法使用RC混合结构的14位SAR ADC进行建模。仿真结果表明,LMS算法的收敛速度可以提高到1 k个转换周期内,同时校准... 提出了一种数字前台校准技术,即电容重组技术,并将该技术与LMS数字后台校准技术相结合,提高了LMS算法的收敛速度。提出的算法使用RC混合结构的14位SAR ADC进行建模。仿真结果表明,LMS算法的收敛速度可以提高到1 k个转换周期内,同时校准后ADC的ENOB平均值从10.59 bit提高到13.79 bit。SFDR平均值从71.33 dB提高到112.93 dB,DNL最大值的平均值从1.88 LSB提高到0.97 LSB。INL最大值的平均值从8.01 LSB提高到0.88 LSB。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 最小均方根 数字校准 电容重组
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Noise-shaping SAR ADC的研究综述
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作者 吴雨珊 赵国强 +2 位作者 刘旭 万培元 陈志杰 《微纳电子与智能制造》 2023年第2期42-45,共4页
随着物联网系统、传感器等领域的快速发展,越来越多的通信电子产品走向市场。模数转换器(ADC)作为连接模拟和数字世界的桥梁,在集成电路系统中占有十分重要的地位。在市场需求和集成电路制造工艺快速迭代的双重驱动下,ADC芯片向更高速... 随着物联网系统、传感器等领域的快速发展,越来越多的通信电子产品走向市场。模数转换器(ADC)作为连接模拟和数字世界的桥梁,在集成电路系统中占有十分重要的地位。在市场需求和集成电路制造工艺快速迭代的双重驱动下,ADC芯片向更高速度、更高精度、更高能效的方向发展。噪声整形(noise-shaping)逐次逼近型(SAR)模数转换器因其电路结构简单,能够在实现小面积的同时达到较高的转换精度,与低功耗、高精度的应用场景相适应,逐渐成为当前集成电路设计中的研究热点。本文对当前国内外noise-shaping SAR ADC的相关研究进行充分的调研,从研究背景、研究现状和发展趋势3个方面进行分析与总结。 展开更多
关键词 集成电路 逐次逼近型模数转换器 噪声整形
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一种基于EF和CIFF的10 bit二阶噪声整形SAR ADC
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作者 邓红辉 范学莲 +1 位作者 陶泽华 张浩 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第6期1023-1030,共8页
设计了一种10 bit阶噪声整形的逐次逼近型模数转换器(NS-SAR ADC)。为了减小高精度SAR ADC中量化噪声的影响,该NS-SAR ADC采用了级联积分器前馈(CIFF)与误差反馈(EF)相结合的噪声整形方案。其中EF路径采用低增益动态放大器构成的无损积... 设计了一种10 bit阶噪声整形的逐次逼近型模数转换器(NS-SAR ADC)。为了减小高精度SAR ADC中量化噪声的影响,该NS-SAR ADC采用了级联积分器前馈(CIFF)与误差反馈(EF)相结合的噪声整形方案。其中EF路径采用低增益动态放大器构成的无损积分架构,CIFF路径采用电压倍增的无源整形架构。它结合了CIFF与EF两种噪声整形架构的优点,具有更好的鲁棒性。电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺设计,在电源电压为1.2 V、输入信号幅度为1 V、采样率为25 MHz的条件下,SNDR达到77.91 dB,带宽BW为1.5625 MHz,功耗为465μW。 展开更多
关键词 逐次逼近型模数转换器 级联积分器前馈 误差反馈 动态放大器
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一款7 Bit 250 Msps射频采样SAR ADC的设计 被引量:1
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作者 孙金中 付秀兰 李冬 《电子设计工程》 2023年第7期179-183,共5页
针对软件无线电架构的导航接收机对模数转换器的高输入带宽、高速及低功耗的需求,通过集成低功耗宽带采样保持电路及新型非二进制权重的电容阵列数模转换器电路,采用逐次逼近型模数转换器架构,设计实现了一款射频直接采样SAR模数转换器... 针对软件无线电架构的导航接收机对模数转换器的高输入带宽、高速及低功耗的需求,通过集成低功耗宽带采样保持电路及新型非二进制权重的电容阵列数模转换器电路,采用逐次逼近型模数转换器架构,设计实现了一款射频直接采样SAR模数转换器。采用55 nm CMOS工艺电路设计、版图设计、仿真及硅流片验证,测试结果表明,该ADC实现了34 dB SNDR、36 dB SFDR和1.6 GHz的模拟输入信号带宽。该ADC的版图面积为670μm×390μm,功耗为9.6 mW。 展开更多
关键词 逐次逼近 模数转换器 宽带 采样保持放大器 电容数模转换器
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工艺-电压-温度综合稳健的亚1 V 10位SAR ADC
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作者 张畅 佟星元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2050-2057,共8页
采用0.11-μm CMOS工艺设计了一款10位亚1 V工艺-电压-温度(Process-Voltage-Temperature,PVT)综合稳健的逐次逼近寄存器型(Successive-Approximation-Register,SAR)模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核.由于SAR ADC数字... 采用0.11-μm CMOS工艺设计了一款10位亚1 V工艺-电压-温度(Process-Voltage-Temperature,PVT)综合稳健的逐次逼近寄存器型(Successive-Approximation-Register,SAR)模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)IP核.由于SAR ADC数字化程度较高,为了降低整体功耗,采用小于标准电压的亚1 V供电.然而,对于异步SAR ADC,在低压下面临严峻的PVT不稳健问题,传统采用固定延迟电路的方式无法应对所有的PVT偏差,会导致ADC良率下降.提出一种用于异步SAR ADC的可配置延迟调控技术,采用3输入译码器调节延迟电路的电流,以满足ADC在多种PVT组合下所需的延时,在TT,SS,FF,SF,FS这5种工艺角,0.9~1 V供电范围和-40~85℃的温度范围下,均取得了良好的动态特性.在0.95 V供电,采样速率为200 kS/s时,总功耗为2.24μW,FoM值仅为16.46 fJ/Conv.-step. 展开更多
关键词 模数转换器(adc) 逐次逼近寄存器(sar) 工艺-电压-温度(PVT) 低压 低功耗
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一种全集成8位2.16 GS/s SAR ADC 被引量:3
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作者 吴琪 张润曦 石春琦 《微电子学》 CAS 北大核心 2021年第6期791-798,共8页
设计了一种8位2.16 GS/s四通道、时间交织逐次逼近型模数转换器(TI-SAR ADC)。单通道SAR ADC采用数据环、异步时钟环的双环结构实现高速工作。采用带复位开关的动态比较器缩短量化时间,提高比较精度。结合反向单调切换时序,逐步增大共... 设计了一种8位2.16 GS/s四通道、时间交织逐次逼近型模数转换器(TI-SAR ADC)。单通道SAR ADC采用数据环、异步时钟环的双环结构实现高速工作。采用带复位开关的动态比较器缩短量化时间,提高比较精度。结合反向单调切换时序,逐步增大共模电压,提升量化速度。基于55 nm CMOS工艺设计,后仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该TI-SAR ADC消耗42.6 mA电流,在奈奎斯特输入频率下,FOM值为212 fJ/(conv.step),信噪失真比(SNDR)为42.7 dB,无杂散动态范围(SFDR)为53 dB。芯片整体版图面积为3.4 mm;。 展开更多
关键词 sar adc 时间交织 全集成
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