SAW器件芯片底部处理的工艺实验研究

介绍声表器件中几种体波模型,讨论什么传播方式的体波可以通过底部处理得到抑制或消除,同时对底部处理的工艺特别是打毛和刻沟槽两种方式进行讨论和比较,通过实验和分析得出选择底部处理工艺的依据。另外,文中还提到一些辅助方式如粘接剂的选择和端面处理等。

基于LN/LT-POI多层结构的SAW器件发展

绝缘体上压电单晶薄膜结构材料(POI)为研制高性能、可集成的声表面波(SAW)器件提供了新的解决途径和方案,可满足射频(RF)前端在集成化、小型化发展趋势下对新一代压电声学器件的需求。该文介绍了POI的制备工艺技术。总结了基于铌酸锂/钽酸锂-POI(LN/LT-POI)多层结构的高性能SAW器件的最新研究成果,并展望了其未来的发展。

加强管壳检验工作,提高SAW器件的键合可靠性

现在,SAW器件的键合可靠性已成为影响器件性能的主要指标之一。器件键合失效主要表现为温度试验后管壳上的键合点脱落,而引起失效的原因与工艺过程和键合所涉及的材料有关。该文介绍了采用正交试验的方法,通过大量的对比试验,从键合工艺和管壳质量两个方面入手,找到了导致器件大量失效的原因,并采取了相应的处理措施,从而提高了键合质量和产品的可靠性。

SAW器件在通信技术中的应用与市场动向

目前在中国,无线本地环(WLL)技术可能是向偏远的乡村提供电话服务的主要技术。在城市中,蜂窝移动电话正在迅猛发展,中国已成为世界第二大移动通信市场。因此,无线射频器件技术将成为本世纪的主要通信技术。

晶片质量及加工工艺对SAW器件性能的影响

本文对SAW器件的基片质量及基片加工工艺给器件性能产生的影响进行了实验分析;对器件制作的某些工艺与成品率之间的关系进行了分析和探讨.文中以表格和概率统计反映各种影响因素与成品率的关系,给出了一些晶片质量和器件性能的图片.

日本SAW器件的应用现状及未来趋势

10年前日本便开始了SAW器件的大量生产.首先是TV-IF级用的横向滤波器,接着4年后就是用于录像机RF—转换器的SAW谐振器.至今日本SAW器件的年产量达100万件,总产量已达500万件.本文评述了日本日益扩大且大有潜力的SAW的应用市场.SAW器件的主要市场之一是电视相关产品,如立体声或双声道电视、CATV(共用天线)转换器、卫星TV调谐器以及高清晰度电视机.另一个市场是电讯系统,如播叫器、无塞绳电话、单元式电话及家用安全装置.由于目前日本无线电法的放宽,预计电讯市场将迅速地发展.在日本,SAW器件的开发不仅注重于设计技术,而且更注重于材料的改进.本文将讨论已开发的SAW基片及上述领域中应用的SAW器件功能和前景.

ZnO薄膜对溅射参数的依赖关系以及制作在ZnO/InP上的SAW器件

为了弥补InP基材料的压电性,促使单片声—光器件和系统的应用,采取在InP基片上沉积具有择优取向和微细结构的高质量ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜质量与RF溅射参数的关系.得到的最佳沉积条件是:基片温度250℃,溅射功率350W,氧含量20vol%.实验证实了在ZnO/InP结构上制得中心频率为105MHz的SAW器件.

纳米蚀刻技术及其在20GHz频段SAW器件中的应用

纳米蚀刻技术及其在２０ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件中的应用阎永志利用纳米蚀刻技术可将图形做得非常精细（ｕｍ级），将在ＵＬＳＩ、高速ＦＥＴ、分布反馈式激光器和ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件等领域获得应用。常规蚀刻过程中，抗蚀膜层必须有一定厚度，但较厚的抗蚀膜无法获得纳米...

用于SAW器件制造的键合减薄技术

铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ～2λ(λ为声表面波波长)。为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理。用粒径100nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响。抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100nm的SiO2抛光液,转速为120r/min,压力为3.9N,抛光时间为40min。经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468nm,Rq=0.593nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度)。

射频SAW器件非线性信号的测量及产生机制分析

射频前端的高度集成和高能量密度使声表面波(SAW)器件的非线性问题愈发严重。该文搭建了射频SAW器件非线性信号的测量系统,对SAW谐振器的二次谐波(H2)和三次谐波(H3)信号进行了准确测量。分析测量结果,讨论了非线性谐波信号的产生机制,并通过非线性有限元(FEM)模型仿真结果与测量结果拟合对比,验证了介电非线性和声应变的非线性效应对谐波产生的影响,为进一步研究非线性抑制方法,设计高线性度SAW器件提供了重要支撑。

适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。

CN1718852适用SAW器件的纳米金刚石膜及制备方法与用途

本发明公开了一种适用SAW器件的纳米金刚石薄膜及制备方法与用途，这种利用微波等离子化学气相沉积法制备的C-轴取向的金剐石纳米膜，膜厚61μm，晶粒度为：200—250nm，sp^3成份≥90％，满足波长λ≤41μm高频声表面波传播条件。本发明纳米金刚石膜具有C-轴择优取向，平整光滑，具有一定厚度，结晶度好。该薄膜可满足纳米金刚石薄膜领域的应用需求，用射频离子溅射可制备出C-轴取向的压电薄膜，例如高频、大功率声表面波（SAW）器件等。经使用HP8712ET网络分析仪测量SAW滤波器中心频率，当IDT指宽为d=1．7μm时，SAW滤波器中心频率可达到1．75GHz。

适用SAW器件的ZnO/Ti/Si薄膜制备及缺陷分析

在Si(100)衬底和Ti/Si(100)衬底上分别制备了ZnO薄膜,探讨了Ti缓冲层对ZnO薄膜结构和缺陷的影响,利用X射线衍射(XRD)测试了ZnO薄膜的晶体结构及择优取向,利用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面粗糙度(RMS),利用光致发光(PL)光谱检测了ZnO薄膜的缺陷,利用四探针法测试了ZnO薄膜的电阻率。结果表明,在Ti/Si(100)衬底上、衬底温度350℃的条件下,制备的ZnO薄膜表面光滑、缺陷少、电阻率高且具有高C轴取向。本文这一工作对于压电薄膜缺陷分析及高性能ZnO的声表面波(SAW)器件研制有重要意义。

悬臂梁式SAW加速度计差频信号系统分析与设计

鉴于现有声表面波(SAW)器件的制作工艺和技术水平,进一步改进了SAW加速度计的设计方案。尽管改进方案降低了一些灵敏度,但容易使实际制作的一对SAWR具有尽可能相同的频率响应特性,进而把实现其抑制温度干扰的优点落实到了工程实处。由于改进方案浮动零点SAWR的谐振频率相对固定,因而便于借鉴无线通信理论的现成技术成果,进行混频和差频滤波电路设计。

基于SAW技术的车辆自动识别系统的实现

介绍了基于SAW器件的无线识别技术的原理,详细阐述了一种采用SAW(声表面波)技术的高速运动车辆自动识别系统的实现。