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森兰SB40/SB12系列新品即将上市
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《石油化工自动化》 CAS 2003年第5期82-82,共1页
关键词 变频器 贴片工艺 专利技术 森兰SB40/sb12系列
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美国邦纳发布SB12&SB12T系列光电传感器
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《国内外机电一体化技术》 2011年第3期57-57,共1页
美国邦纳公司为OEM机器制造商提供低成本的对射光电解决方案,特别推出了SB12和SB12T光电传感器。该两种光电传感器具有卡口安装和螺纹安装两种安装方式,适用于不同的OEM机器制造商。
关键词 光电传感器 sb12 美国 安装方式 螺纹安装 制造商 OEM 光电解
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新型锂离子电池负极材料CoFe_3Sb_(12) 被引量:6
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作者 蒋小兵 赵新兵 +3 位作者 张丽娟 曹高劭 吕春萍 周邦昌 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期469-472,共4页
用高能球磨方法制备出CoFe3Sb12合金粉末,研究了电化学性能 结果表明, CoFe3Sb(12)中的活性元素Sb可以与锂离子发生可逆电化学反应,其嵌锂产物为Li_3Sb.CoFe3Sb(12)电极在 20mA/g的电... 用高能球磨方法制备出CoFe3Sb12合金粉末,研究了电化学性能 结果表明, CoFe3Sb(12)中的活性元素Sb可以与锂离子发生可逆电化学反应,其嵌锂产物为Li_3Sb.CoFe3Sb(12)电极在 20mA/g的电流密度下第一次可逆容量为 396mAh/g.在材料中加入原子分数为50%的石墨(化学计量式为COFe_3Sb_(12)-C_(16))后,以100mA/g进行充放电时,第一次可逆容量为380mAh/g.电极的循环寿命性能优良. 展开更多
关键词 锂离子电池 负极材料 CoFe3sb12 电化学容量 充电性能 钴铁锑合金粉末 放电性能
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Te掺杂对Sr_yCo_4Sb_(12-x)Te_x化合物热电性能的影响 被引量:1
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作者 赵雪盈 柏胜强 +2 位作者 李小亚 周燕飞 陈立东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期803-807,共5页
采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物,并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响.采用XRD及EPMA确定了相组成及化学成分,并测试了材料的高温热电性能.实验结果表明,虽然Te掺杂降低了Sr在CoSb3中的填充量,但是与具有相近S... 采用熔融法结合SPS烧结技术合成了SryCo4Sb12-xTex化合物,并探讨了Te掺杂对化合物热电性能的影响.采用XRD及EPMA确定了相组成及化学成分,并测试了材料的高温热电性能.实验结果表明,虽然Te掺杂降低了Sr在CoSb3中的填充量,但是与具有相近Sr填充量的基体相比,Te掺杂提高了材料的载流子浓度和电导率,同时也提高了塞贝克系数;Te掺杂由于引入了电子-声子散射,进一步降低了材料的晶格热导率,并且随着Te掺杂量的增加,晶格热导率的降低幅度提高;对x=0.05的样品Sr0.18Co4Sb11.95Te0.05,在850K时,材料的最大ZT值接近1.0,与具有相近填充量的基体材料相比,ZT值提高了35%. 展开更多
关键词 Te掺杂 SryCo4sb12-xTex化合物 热电传输性能
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Ni掺杂CoSb_3化合物的热电性能及机理研究
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作者 朱云广 沈鸿烈 +1 位作者 左连勇 鲁林峰 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期38-42,共5页
采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了CoSb3和Co3.5Ni0.5Sb12化合物,并测量了其热电性能。利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Ni掺杂前后的CoSb3的能带结构和态密度进行了计算,实验和理论计算结果表明:CoSb3的费密面位于导带和... 采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了CoSb3和Co3.5Ni0.5Sb12化合物,并测量了其热电性能。利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Ni掺杂前后的CoSb3的能带结构和态密度进行了计算,实验和理论计算结果表明:CoSb3的费密面位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Co3.5Ni0.5Sb12的费密面进入导带,其电阻率随温度的升高而增大,为n型简并半导体;本实验条件下,Co3.5Ni0.5Sb12化合物的功率因子在550 K时出现最大值2 292.92μW/(m.K2),是未掺杂CoSb3化合物最大值的12倍。 展开更多
关键词 Co3.5Ni0.5sb12 热电性能 能带结构 态密度
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一种新型恒压供水系统的研究 被引量:1
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作者 武亚雄 李辰立 全传超 《科技情报开发与经济》 2007年第27期151-153,共3页
介绍了以变频器构成的新型恒压供水系统,详细说明了系统原理、结构以及具体器件的选择。
关键词 sb12S变频器 恒压供水系统 器件选择
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微纳结构Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)热电材料的制备及性能研究 被引量:2
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作者 吴兴国 周蓓莹 +3 位作者 周振兴 沈宏伟 王连军 江莞 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期64-68,共5页
采用熔融法结合SPS烧结技术制备了不同Yb含量掺杂的Co Sb3块体热电材料,当Yb含量为0.3时,其热电性能最佳,ZT值在800 K达到了1.19。随后采用高能球磨技术,对熔融法合成的Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)粉体进行球磨得到纳米尺度粉体,利用SPS烧结技... 采用熔融法结合SPS烧结技术制备了不同Yb含量掺杂的Co Sb3块体热电材料,当Yb含量为0.3时,其热电性能最佳,ZT值在800 K达到了1.19。随后采用高能球磨技术,对熔融法合成的Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)粉体进行球磨得到纳米尺度粉体,利用SPS烧结技术制得Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)块体热电材料。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、热电测试装置(ZEM-3)及激光热导仪等仪器对样品进行表征。XRD分析结果表明球磨后Yb_(0.3)Co_4Sb_(12)粉体没有发生相变和分解。从FESEM和TEM分析结果可以看出,球磨可以显著细化粉体,SPS烧结之后样品的晶粒尺寸小于500 nm,其中部分晶粒小于100 nm。通过对比球磨前后粉体SPS烧结样品的热电性能发现,晶粒尺寸减小之后塞贝克系数有一定程度的增加,热导率下降明显,降低了1/3,但是材料的电导率下降更为显著,降低了10倍左右,因此导致材料最终的ZT值相应下降。 展开更多
关键词 热电材料 块体Yb0.3Co4sb12 高能球磨 纳米级粉体 热电性能
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坩埚下降法生长Bi_(88)Sb_(12)单晶体
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作者 王春生 赵超趣 +2 位作者 徐玉恒 赵业权 邵纪群 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期208-211,共4页
我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999%)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10^(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶体。测试了Bi_(88)Sb_(12)晶体的性能,对生长中出现的问题进... 我们采用坩埚下降法,以高纯度的Bi、Sb(99.999%)为原料,在电阻加热炉内,真空度为10^(-2)mmHg,高纯度氩气保护下,生长出高均匀合金结构的无掺杂富铋N型Bi_(88)Sb_(12)合金单晶体。测试了Bi_(88)Sb_(12)晶体的性能,对生长中出现的问题进行了讨论。 展开更多
关键词 坩埚下降法 单晶 Bi88sb12
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非晶Ag_(11)In_(12)Te_(26)Sb_(51)薄膜的结晶行为 被引量:4
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作者 刘 波 阮 昊 干福熹 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期413-417,共5页
采用初始化仪使非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜结晶,利用差分扫描量热仪、X射线衍射和光学透过率的测量研究了非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为.结果表明,非晶Ag11In12Te26Sb51膜的结晶温度约为210℃,熔化温度为481.7℃,结晶活化能 Ea=2.0... 采用初始化仪使非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜结晶,利用差分扫描量热仪、X射线衍射和光学透过率的测量研究了非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为.结果表明,非晶Ag11In12Te26Sb51膜的结晶温度约为210℃,熔化温度为481.7℃,结晶活化能 Ea=2.07eV/atom;Ag11In12Te26Sb51膜的结晶动力学遵循成核和生长机理;在激光致相变过程中可能出现的晶相有AgSbTe2、AgInTe2、Sb和Ag2Te等相;Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响. 展开更多
关键词 结晶行为 Ag11In12Te26Sb51 透过率 激光致相变 非晶薄膜 相变光储存介质
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振动梁信号自动检测系统的设计与实现
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作者 马俊 董雪冬 柳艳 《电子技术应用》 北大核心 2012年第8期76-78,共3页
以ZY13Sens12SB传感器技术实验台为平台,以振动梁为对象,利用应变传感器检测振动梁的振动。给出了系统硬件设计原理框图、各模块之间的接口连接,通过调节实验台上音频振荡器的频率,达到调制和改变振动梁的振动频率,可实现振动梁以不同... 以ZY13Sens12SB传感器技术实验台为平台,以振动梁为对象,利用应变传感器检测振动梁的振动。给出了系统硬件设计原理框图、各模块之间的接口连接,通过调节实验台上音频振荡器的频率,达到调制和改变振动梁的振动频率,可实现振动梁以不同频率和幅度振动,利用示波器可实时观察振动波形。 展开更多
关键词 ZY13Sens12SB 传感器技术实验台 振动梁 应变传感器
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Sb_4O_5Cl_2柱撑蒙脱土复合阻燃剂的制备及表征
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作者 曹素红 冯莉 +4 位作者 王彬果 宋说讲 马霞 燕传勇 张小苗 《化工矿物与加工》 CAS 北大核心 2008年第4期19-23,共5页
以Sb4O5Cl2纳米粒子为柱化剂,采用酸溶法和醇盐水解法制备了Sb4O5Cl2柱撑蒙脱土复合阻燃剂,并用FI-IR、XRD和TEM对产品进行了表征。结果表明酸溶法要优于醇盐水解法,柱撑后蒙脱土的间距扩大,呈弱晶态,蒙脱土和Sb4O5Cl2纳米粒子结合完美... 以Sb4O5Cl2纳米粒子为柱化剂,采用酸溶法和醇盐水解法制备了Sb4O5Cl2柱撑蒙脱土复合阻燃剂,并用FI-IR、XRD和TEM对产品进行了表征。结果表明酸溶法要优于醇盐水解法,柱撑后蒙脱土的间距扩大,呈弱晶态,蒙脱土和Sb4O5Cl2纳米粒子结合完美,成本低廉,可作为一种有效的添加型阻燃剂。 展开更多
关键词 蒙脱土 Sb4O5C12 柱撑 复合阻燃剂
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Heterofullerenes C_(48)N_(12) and C_(48)B_(12) with Rare T_h Symmetry: a DFT Study
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作者 刘奉岭 米利 姜永芳 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2013年第6期839-846,共8页
The molecule with Th symmetry is rare. Two C60-1ike molecules C48N12 and C48B12 with rare Th symmetry have been reported here, which is an approach to seek for the molecule with rare Th symmetry. Their structural, ele... The molecule with Th symmetry is rare. Two C60-1ike molecules C48N12 and C48B12 with rare Th symmetry have been reported here, which is an approach to seek for the molecule with rare Th symmetry. Their structural, electronic, vibrational, NMR, and thermodynamic properties have been calculated at the B3LYP/6-31G(d) level of theory. Vibrational modes have been assigned according to their symmetry. They all have 73 independent vibrational modes: 22 IR-active modes with Tu symmetry and 37 Raman-active modes with Ag, Eg and Tg symmetry, respectively. The heats of formation have been calculated using isodesmic reactions, and the values of C48N12 and C48B12 are 3812.0 and 3423.8 kJ mo1-1, respectively. According to the estimated band gaps for their fcc solid, they are all semiconducting materials, like C60, especially C48B12-based fcc solid. 展开更多
关键词 heterofullerenes C48N12 and C4sb12 Th symmetry B3LYP/6-31G(d) vibrational frequency heat of formation
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13
《世界专业音响与灯光》 2007年第3期68-71,共4页
Mbox 2 Mini音频工作站;audio-technica U841A界面话筒;Fostex PM-2 MKⅡ有源监听音箱;I-Xcite全数字智能无地址码神采换色器;Shure Beta 58A人声话筒;GenelecS30D数字监扣系统;HIROSYS SB12 FM多通道舞台接线箱。
关键词 AUDIO-TECHNICA 有源监听音箱 音频工作站 SHURE Mini BETA sb12 MKⅡ
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行业动态
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《自动化信息》 2003年第5期48-51,共4页
关键词 高速数据采集卡 PCI-9820 凌华科技公司 可热插拔卡 CPU卡 变频器 SB40 sb12 森兰公司
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新闻链接
15
《机电产品市场》 2007年第1期20-23,共4页
利德华福勇攀科技高峰。携手清华再创民族辉煌——1.5MW双馈异步风力发电机变流器研制成功,森兰变频器SB12系列风机/水泵专用型变频器,世界自动化盛会2006罗克韦尔自动化博览会在美成功举办,康得环保迎来高压变频新春天。
关键词 罗克韦尔自动化 专用型变频器 风力发电机 森兰变频器 sb12 高压变频
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HIV-1蛋白酶异位抑制剂体系的长时间分子动力学模拟 被引量:1
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作者 王加磊 孟现美 +2 位作者 张庆刚 张怿慈 张少龙 《山东科学》 CAS 2013年第2期1-6,共6页
采用新开发的ff12SB力场在NVIDIA CUDA GPU上对HIV-1蛋白酶的活性位抑制剂体系和异位抑制剂体系分别进行了100 ns的长时间分子动力学模拟,并用MM-PB/GBSA方法计算了活性位点抑制剂TL-3与HIV-1蛋白酶的结合自由能。异位抑制剂体系中分子... 采用新开发的ff12SB力场在NVIDIA CUDA GPU上对HIV-1蛋白酶的活性位抑制剂体系和异位抑制剂体系分别进行了100 ns的长时间分子动力学模拟,并用MM-PB/GBSA方法计算了活性位点抑制剂TL-3与HIV-1蛋白酶的结合自由能。异位抑制剂体系中分子片段2-甲基环己醇结合在Exo位,有利于抑制剂被束缚在活性位点附近。异位抑制剂体系中抑制剂TL-3与蛋白酶的结合自由能为-85.78 kcal/mol,活性位抑制剂体系中为-79.45 kcal/mol。这些结果有助于深入了解HIV-1 PR的动力学过程,为设计新型强效抑制剂提供了新见解。 展开更多
关键词 HIV-I蛋白酶 异位抑制剂 MM-PB/GBSA CUDA AMBER ff12SB力场
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Sb_4Ge_3O_(12)的合成及其二阶非线性光学性质研究
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作者 吴雅琴 《山西师范大学学报(自然科学版)》 2017年第1期74-77,共4页
采用水热法合成了Sb_4Ge_3O_(12)单晶,该晶体属于立方晶系I43d非心空间群.紫外可见漫反射光谱分析表明其带隙为3.7 ev.对其二阶非线性光学行为进行了研究,粉末倍频效应约为KDP的1.2倍,并且能够实现相位匹配.该化合物的二阶非线性光学性... 采用水热法合成了Sb_4Ge_3O_(12)单晶,该晶体属于立方晶系I43d非心空间群.紫外可见漫反射光谱分析表明其带隙为3.7 ev.对其二阶非线性光学行为进行了研究,粉末倍频效应约为KDP的1.2倍,并且能够实现相位匹配.该化合物的二阶非线性光学性能主要来自于结构中有孤电子对的SbO_3基团. 展开更多
关键词 水热合成 Sb4Ge3O12 非线性光学晶体
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Cu12Sb4S13量子点的光照增强阻变性能
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作者 王志青 陈彬彬 +4 位作者 沈杰 陈文 刘曰利 龚少康 周静 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第8期1908-1916,共9页
采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.4... 采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12Sb4S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1%.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因. 展开更多
关键词 光照 全无机Cu12Sb4S13量子点 阻变性能 阻变存储器
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蛋白质微秒级折叠过程的快速模拟
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作者 林云 张少龙 +1 位作者 张庆刚 张怿慈 《山东科学》 CAS 2015年第3期96-103,共8页
使用ff12SB力场和广义玻恩(GB-Neck2)隐性水模型在GTX670 GPU上对4个蛋白质CLN025(2ZEI)、MHA6(2I9M)、Trp-Cage(1L2Y)、Villin(3TRW)的微秒级折叠过程进行了分子动力学模拟,2ZEI的折叠时间和均方根偏差为5.94μs和0.897,2I9M的折叠... 使用ff12SB力场和广义玻恩(GB-Neck2)隐性水模型在GTX670 GPU上对4个蛋白质CLN025(2ZEI)、MHA6(2I9M)、Trp-Cage(1L2Y)、Villin(3TRW)的微秒级折叠过程进行了分子动力学模拟,2ZEI的折叠时间和均方根偏差为5.94μs和0.897,2I9M的折叠时间和均方根偏差为0.191μs和1.142,Villin的折叠时间和均方根偏差为4.23μs和1.37,Trp-Cage的折叠时间和均方根偏差为2.48μs和0.63。结果表明,蛋白质折叠模拟已经能够通过GPU计算在桌面计算机上实现。 展开更多
关键词 蛋白质折叠 分子动力学 GPU计算 GB-Neck2 ff12SB力场
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NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质及相关机制的研究
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作者 杨帅 徐攀攀 +4 位作者 王明文 郝文涛 孙礼 曹恩思 张雍家 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1029-1034,共6页
在不同烧结温度下,利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷,系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示,所有的NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结... 在不同烧结温度下,利用传统的固相反应工艺制备了一系列NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷,系统测试了它们的晶体结构、微观结构、介电性质和复阻抗谱。结果显示,所有的NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的主相都呈现类钙钛矿结构,介电性质随烧结温度变化很大。高于1020℃烧结的陶瓷的室温相对介电常数大于3000,具有高介电性质。复阻抗谱显示,NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的电学分布不均匀,由绝缘性的晶界和半导性的晶界组成。通过XRD和XPS测试发现,在陶瓷中观察到了CuO第二相和Cu、Ti、Sb、Ta离子的变价。因此,利用内阻挡层电容效应可以解释NaCu_3Ti_3Sb_(0.5)Ta_(0.5)O_(12)陶瓷的高介电性质。 展开更多
关键词 NaCu3Ti3Sb0.5Ta0.5O12 高介电性质 CU O第二相 元素变价 内阻挡层电容效应
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