SBN:Cr晶体中孤子诱导的实时平面光波导及其导光特性分析

通过数值模拟和实验对SBN:Cr晶体中的(1+1)维亮屏蔽空间孤子及其诱导的实时平面光波导的导光特性进行了研究.采用分步束传播法和Petviashvili迭代法对(1+1)维亮屏蔽空间孤子的特性进行了模拟.通过求解本征方程,对孤子诱导平面波导中存在的导波模式进行了数值求解.采用633nm的He-Ne激光作为孤子诱导光束,532nm的半导体泵浦的固体激光作为探测光,在固液同成分的SBN:Cr晶体中进行了实验研究.实验结果和数值模拟的结果符合的很好.而且结果表明SBN:Cr晶体中红光诱导的波导可以作为实时光波导.

SBN:Cr晶体的光折变四波混频相位共轭特性实验研究

从实验上研究了同成分SBN :Cr晶体在He-Ne激光照射下的四波混频相位共轭特性 首先测量了在不同泵浦光与信号光光强比m及不同光束夹角 2θ的情况下 ,晶体的四波混频相位共轭反射率R随泵浦光强比 p的变化关系 其次测量了泵浦光束与信号光束耦合方向对SBN :Cr晶体的四波混频相位共轭特性的影响 ,并就两种不同掺杂浓度的晶体样品进行了对比 ,所得实验结果与理论分析基本一致 最后 ,利用SBN

用光辐照法在SBN:Cr晶体中写入动态阵列平面光波导

利用扩展的准直He_Ne激光束通过菲涅耳双棱镜所形成的干涉光场辐照SBN :Cr晶体 ,同时沿晶体光轴方向施加适当的直流电场 ,可在晶体中形成类似于体相位光栅结构的阵列平面光波导 .采用马赫_曾德干涉仪光路实时测量了所写入阵列平面光波导的横向折射率分布 ,其峰值接近 1 0 - 4.初步的导光测试结果表明 ,利用周期结构光辐照并辅以适当的外加电场在SBN :Cr晶体中写入阵列平面光波导是可行的 .并且由于SBN :Cr晶体的快速响应特性 ,所写入的光波导是动态的 ,可随着写入光的撤除而快速消失 ,或通过改变双光束夹角而写入不同周期的阵列平面光波导 ,从而实现阵列光波导的动态控制 .此外 ,通过改变外电场的大小可以有效地控制写入波导区折射率的大小 。