SBT材料微结构的TEM研究(英文)

本文利用透射电子显微术 (TEM)对SrBi2 Ta2 O9(SBT)材料 (单晶、陶瓷及薄膜 )的微结构进行了研究。在 (0 0 1 )取向的SBT单晶材料及多晶陶瓷中观察到 90°铁电畴结构。在SBT晶体中观察到大量的条带状四度反相畴界结构和少量的三度反相畴界结构 ,利用TaO6 氧八面体的扭转和四态自旋结构模型 ,对反相畴界结构的实验观测结果进行了解释。在 (0 0 1 )取向的SBT铁电薄膜中 ,观察到小角晶界 (倾角为 8 2°)的位错分解现象 ,导致不全位错和层错的出现。利用平衡状态下两个不全位错之间的排斥力等于层错的吸引力 ,估算了小角晶界处的层错能量 ,大小为 0 2 7～ 0 2 9J m2 。小角晶界位错的分解对 (0 0 1 )

Y元素对Sr_(0.5)Ba_(0.5-y)Y_yTiO_3薄膜结构与性能影响的研究

为了研究掺杂BarSr1-xTiO3介电薄膜材料的性能,采用阻抗分析仅等测试方法研究了微量元素钇对Sr0.5Ba0.5-yYyTiO3薄膜介电性能的影响。当Y元素的掺量为0-0.030mol时,相对介电常数εr和tanδ分别为74.2和0.067;最大介电常数温度点Tm(居里温度点)逐渐移向低温;在所测试频率范围内,Y元素的掺量为0.010、0.0150mol(Y2、Y3)时,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性。采用XRD、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征。薄膜的矿物组成为四方钙钛矿结构,但Y的溶入改变了晶胞参数的c/a比,减小了薄膜的颗粒尺寸,提高了薄膜的致密度;晶粒的生长为取向一致和无取向生长两种方式。