Bi掺杂SrTiO_3陶瓷缺陷结构模拟及介电性能研究

采用固相反应制备Sr_(1-x)Bi_xTiO_3陶瓷,研究Bi掺杂对SrTiO_3的介电性能、缺陷结构及缺陷偶极子的影响。通过X线衍射(XRD)分析其物相结构,表明在掺杂浓度范围内均未出现第二相。通过GULP模拟,得到Sr_(1-x)Bi_xTiO_3中可稳定存在的缺陷偶极子有[2Bi_(Sr)~·+V_(Sr)″]、[V_O^(··)+V_(Sr)″]、[2V_O^(··)+V_(Ti)″″]和[V_O^(··)+2 Ti_(Ti)']。各组掺杂陶瓷样品的弛豫特性均满足Arrhenius定律,这是弛豫受热激发所致,随着Bi掺杂量的增加弛豫激活能增加,弛豫度减小。

Pr^(3+)掺杂SrBi_2Ta_2O_9陶瓷的铁电及介电性能研究

以氧化钽为钽源,采用溶胶-凝胶法合成SrBi2Ta2O9(SBT)、Pr0.2Sr0.8Bi2Ta2O9(SPBT)粉体。用X射线衍射技术(XRD)对所制备的SBT、SPBT粉体进行结构表征,并对其介电、铁电性能进行了测试分析。实验结果表明:Pr3+离子掺杂未改变SBT粉体的晶相,但是会使得SBT的介电常数增大,不过随着测试频率的增加介电常数仍然逐渐下降。另外SBT的铁电性能也随着Pr3+的掺杂有了显著的提升。