SCH量子阱激光器的混沌同步通信研究

首先对光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器的混沌动力学行为进行了研究,然后采用光电子反馈及光电子注入式SCH量子阱激光器分别作为发射系统和接收系统进行混沌同步及同步通信的数值模拟研究.理论及数值模拟研究表明,利用SCH量子阱激光器进行混沌同步通信,可取得良好的通信效果.另外,采用本激光系统进行通信,有利于克服其他系统只能传输小信号的问题.

LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器

介绍了无铝激光器的优点 ,利用 L P- MOVPE生长出宽波导有源区无铝 SCH- SQW结构激光器 .该结构采用宽带隙 In Ga Al P作限制层 ,加宽的 In Ga P作波导层 ,增加对载流子和光子的限制作用 ,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子易泄漏的缺点 .制作的条宽 10 0 μm、腔长 1mm的激光器 (腔面未镀膜 ) ,激射波长为831nm,室温连续输出光功率达 1W.

高功率无铝半导体激光器

介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到

高功率无铝半导体激光器

InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成 ,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明 ,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点 ,介绍了波长为 80 8nm的高功率无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况。

高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器

利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W

SCH量子阱激光器的光学限制特性

通过对描述半导体激光器基本光波导方程的数值求解，分析了ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓ分别限制量子阱激光器的光学限制特性，比较了不同缓变结构及多量子阱结构的光学限制因子。

具有GRIN-SCH量子阱结构激光器光波导及光场特性分析

本文给出了具有ＧＲＩＮ－ＳＣＨ结构量子阱激光器的光波导模型和详细的数值计算方法，并计算分析了Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘＡｓＧＲＩＮ层中Ａｌ浓度和ＧＲＩＮ层厚度对等效折射率的影响，给出了ＧＲＩＮ层厚的最佳值范围；给出了宽接触ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ＧＲＩＮ－ＳＣＨ量子阱激光器的近场分布三维图形，并由近场分布通过快速傅里叶变换求出了远场分布。计算得到的近。

高功率GaAlAs/GaAs量子阱SCH半导体激光器

利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱结构材料。样品的测量结果表明，样品质量达到了设计要求。利用该材料制作的激光二极管，室温连续工作，功率为１ Ｗ，斜率效率达到１．０４ Ｗ／Ａ。

LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～78％，中心发射波长为(808±3)nm。