基于SCR的ESD器件低触发电压设计

设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。

基于SCR的ESD保护电路防闩锁设计

SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中。SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性能,但同时也会导致闩锁。文章从提高保持电压和触发电流这两方面入手,研究在实际电路应用中如何防止ESD保护电路发生闩锁。

用Protel设计SCR整流触发控制电路的体验

采用Protel 99 SE对大功率SCR三相半控全整流触发电路,进行原理图、印制电路板设计,并对电路进行仿真实验。

用单片机MCS-48实现SCR-D可逆调速系统的数字触发

本文重点分析如何以单片机MCS—48为核心,配置尽量少的硬件实现触发器的同步、移相、脉冲分配和正、反组切换等问题.在进行理论分析,给出原理电路的同时也给出了实现各主要功能的程序流程图.

一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件

提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。

高压SOI工艺SCR ESD保护器件研究

针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器件容易引入闩锁效应的问题,是目前高压ESD保护领域较好的解决方案。

一个LVTSCR并联PMOS的高维持电压ESD防护器件(英文)

为了在5 V片上输入输出端进行静电放电(ESD)防护,提出了一种新型的LVTSCR结构。使用Silvaco 2D TCAD软件对此器件进行包含电学及热学特性的仿真。此新型器件交换了LVTSCR中N-Well的N+、P+掺杂区并引入了一个类PMOS结构用来在LVTSCR工作前释放ESD电流。器件仿真结果显示,与LVTSCR相比,该器件获得了更高的维持电压(10.51 V),以及更高的开启速度(1.05×10-10 s),同时触发电压仅仅从12.45 V增加到15.35 V。并且,如果加入的PMOS结构选择与NMOS相同的沟道长度,器件不会引起热失效问题。

应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究

在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。

一种低触发电压的两级防护SCR器件

提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明,该器件的触发电压从传统器件的10.59 V降低至4.12 V,维持电压为1.25 V,1 V直流电压下漏电流仅为7.85 nA。优化后的TSPSCR适用于先进1 V工作电压的电路中。

应用于ESD防护电路的抗噪声LVTSCR组件研究

应用于ESD防护的低压触发SCR组件,当受到电路噪声干扰时,极易造成SCR组件的误导通,进而影响到电路的正常功能,严重时可以产生持续的闩锁效应,造成SCR组件烧毁。通过改进SCR的结构,提高该SCR组件的触发电流,或者提高该SCR组件的保持电压,使其抗噪声干扰能力大大增强。另外,文中对触发电流与温度的关系、保持电压与N+区宽度的关系也做了分析。

相序自适应全数字智能化晶闸管触发器

介绍了一种全数字晶闸管触发器,它克服了模拟触发器的缺点,获得了高性能和高度对称的触发脉冲。充分利用单片机的内部资源,实现了相序自适应、缺相保护和系统参数在线调节功能。

大功率晶闸管数字触发电路的设计

由晶闸管整流桥组成的大电流馈电系统在工业生产中有着广泛的应用。大功率的整流桥对晶闸管触发脉冲有较高的要求。文章介绍了以 80 C196 KC单片机为核心的大功率晶闸管数字触发电路系统 ,这个系统针对大容量晶闸管触发电流大的要求 ,专门设计了大功率的脉冲输出电路。同时这个系统也没有复杂的外围逻辑电路 ,充分发挥了现代单片机速度快、计算能力强的特点 ,辅以巧妙的硬件设计和简单快速的触发脉冲字算法 ,使得控制形式灵活多样 ,可靠性高。它为晶闸管触发电路实现小型化、数字化、智能化和联网化提供了一个很好的平台。该数字触发电路已成功地应用于大功率

单片机和FPGA的可控硅触发电路的设计与实现

针对模拟集成可控硅触发电路因元件的分散性,各触发器移相控制存在不一致的问题,设计了基于单片机和FPGA的数字式可控硅触发电路,利用A/D转换器将模拟的电压控制量预处理为数字信号量,经由脉冲同步、移向,产生满足要求的可控硅门级触发脉冲.试验结果表明,该数字式可控硅触发电路,控制精确度高,触发角α的控制误差在0.09°-0.66°范围内.

基于STM32的晶闸管三相调压电路的设计

SCR三相调压触发电路已有不少设计与应用,文中提出了一种简化的基于STM32的调压触发电路设计方案,并完成了系统的软硬件设计。该设计主要采用了光电隔离并利用三相电源自身的相间换流特性,只用三组触发信号就可以达到控制六只晶闸管导通角的作用。软件部分采用了STM32芯片多个高性能定时器及周边AD接口,完成了高精度触发信号发生、PID控制调压等功能。通过实验表明该系统简便可靠,达到了设计要求。

基于单片机的晶闸管触发器的设计

详述了基于AT89C2051单片机的晶闸管触发器的硬件构成和软件设计方案。分析和应用了移相触发脉冲控制理论,其控制方案简单和便于调节,是一种具有很高实用价值的控制方案。

基于Intel80C196KC单片机控制的晶闸管触发器的设计

介绍了一种以Intel80C196KC单片机为核心的晶闸管触发器的设计,替代了过去的模拟式晶闸管触发器,并能完成数据显示和参数设定等功能,为直流电动机晶闸管调速系统实现数字化提供了前提条件。利用了Intel80C196KC单片机的优越性,专门设计了三相全控桥式整流电路的晶闸管数字触发器:在该系统中采用供电电网状态同步监测,通过80C196KC的高速输出口HSO输出脉冲,实现了数字式触发器,达到了触发脉冲的可靠触发,还可以通过键盘进行在线参数设定和实时显示,系统具有声光报警能力,增强了系统的人机交互性。该系统具有参数设定方便、硬件结构紧凑、体积小、调试方便、调速范围广、系统可靠性高、稳定性好、实时性强等特点。

基于单片机的直流电机调速器控制电路

介绍了使用单片机改造直流电机调速器中的模拟控制电路 .由单片机系统完成对三相电压的同步 ,输出电源电压的采样 ,输出直流电压 PI调节和三相全控桥式整流电路中可控硅的移相触发 .相对模拟控制电路 ,它减少了三相同步信号的滞后时间 ,提高了三相可控硅触发的对称性和可靠性 ,并通过软件实现多种控制方式的复合控制 。

机车温度控制系统的研制

在总结传统的功率控制方法的基础上 ,对可控硅的过零触发作了一些新的探讨 ,实现了机车锅炉温度控制系统。引入 Motorola公司的新型过零器件 MOC30 61,该器件集光电隔离、过零检测、过零触发功能于一身 ,且器件尺寸小 ,极大地降低了电路的复杂程度。同时在系统的前端温度测量方面 ,使用了 Dallas公司的新型数字温度测量器件 DS182 0 ,其转换速度快 ,而且外部接口简单 ,由于其向外输出的是串行数据 ,传统测量上的放大器和 A/ D转换器就都被省略掉了 。

三相桥式全控整流直流电源控制电路设计浅析

三相桥式全控整流直流电源的工作过程,要求任何时刻都必须有两个整流器件同时导通,才能形成导电回路,其中一个为共阴极组的,另一个为共阳极组的。晶闸管是应用的主要整流器件,所以,要确保整流电源正常工作,晶闸管控制极(也称门极)的脉冲触发控制电路就非常重要了。就如何得到可靠的晶闸管触发控制脉冲做一简要的分析。

晶闸管交流调压电路的触发方案研究

比较分析了异步电机晶闸管交流调压软起动器中各种触发电路、电压同步和电流同步、双脉冲触发和宽脉冲触发等方案。仿真和实验证明,电压同步的宽脉冲触发方案最可靠,但需加大脉冲变压器的功率或使用脉冲列;电流同步的双脉冲触发方案次之,但存在稳定性问题,即如果受外界干扰后会产生完全失控的现象。