果蔬机器人采摘中基于改进SDD模型的目标自动化识别研究

为了提高果蔬机器人采摘的识别准确率,利用SDD网络进行实时检测。对基础网络的构造和检测层默认框进行改进,增加卷积层数量,减少计算参数,使其利于对不同尺度的果蔬进行识别,得到基于改进SDD模型的目标自动化识别框架。分析激活函数,发现Relu函数具有更快的收敛速度,利用Relu函数进行激活操作,并对训练结果进行分析,结果表明,改进后的SDD模型具有更快的收敛速度;当置信度为0.45时,改进后的SDD模型具有较理想的准确率、召回率、FI值和IOU值,可以满足果蔬机器人采摘的识别要求。

一种改进了碰撞电离的超高速InP基SHBT SDD模型

从物理机制上分析了超高速InP/InGaAs SHBT碰撞电离与温度的关系,通过加入表示温度的参数和简化电场计算,得到一种改进的碰撞电离模型.同时针对自有工艺和器件特性,采用SDD(symbolically defined device)技术建立了一个包括碰撞电离和自热效应的InP/InGaAs SHBT的直流模型.模型内嵌入HP-ADS中仿真并与测试结果进行比较,准确地拟合了InP/InGaAs SHBT的器件特性.

一种太赫兹肖特基二极管的SDD模型

本文利用ADS(advanced design system)软件建立了太赫兹肖特基二极管的SDD(symbolically-defined device)模型。该模型基于肖特基二极管的半导体理论,采用方程的形式来描述端口的特性。仿真得到的I-V曲线与实测结果有很高的吻合度,C-V曲线也与理论预测一致,最后将该SDD模型应用到一个140-160GHz理想平衡式二倍频器中,仿真得到的效率大于76.5%。当用与之参数一致的ADS自带的spice(simulation program with integrated circuit emphasis)模型代替后,二者的仿真结果具有很高的一致性。这说明了该SDD模型的准确性。相对于一般的spice模型,该SDD二极管模型的优势是结构简单、灵活性高,可根据用户需要灵活调整所有的方程和参数。

国外儿童科学思维发展的新探索

儿童科学思维是发展心理学研究领域的重要的研究课题。最近十年,儿童科学思维发展的研究经历了显著的变化。文章对儿童科学思维发展的研究进行简要回顾,主要阐述有关儿童科学思维发展的特殊领域知识、一般领域策略、概念和策略的整合模型以及微观发生法,并在此基础上,对儿童科学思维发展研究进行简单的评价和展望。

应用高光谱数据定量反演查干湖水质参数研究

湖泊水质下降和富营养化问题日益严重,传统监测方法已经日益不能满足水质监测的需要。该文通过野外高光谱仪器测定查干湖水体反射光谱,分析研究水体反射光谱特征与水质参数叶绿素a含量、透明度和浊度之间的关系,运用多种半经验算法建立反演模型。结果表明:单波段光谱反射率与叶绿素a和浊度的相关系数较小,但与透明度相关系数较高;光谱反射率通过对数、比值转换,可以有效的提高叶绿素a和浊度估测模型的精度,却对透明度作用不大。总体来说,叶绿素a和浊度估测模型效果较好,透明度高光谱估测模型相对较差,需进一步研究。

毫米波GaN HEMT器件大信号模型

介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。

科学探究的认知机制研究述评

科学探究涉及一个复杂的认知过程,Klahr和Dunbar的SDDS模型、Kuhn的模型以及双过程模型对此过程进行了描述;另外研究者们还对科学探究过程不同阶段需要的认知技能和认知策略以及影响因素进行了研究。

性能仿真驱动的皮卡车空调出风口优化设计

汽车空调出风口的大小直接改变风管中的空气速度,影响整个驾驶舱内部的速度流场以及温度流场,从而影响人体热舒适性。以人体热舒适性能作为目标,提出了一种性能仿真驱动设计优化方法。首先通过出风口参数进行实验设计并分别建立计算流体动力学模型;然后对驾驶舱内温度场进行CFD数值模拟,利用克里格模型对CFD结果建立出风口参数和舒适性模型之间的数学模型,并将数学模型预测结果与CFD仿真结果对比以验证其合理性;最后用多岛遗传算法对参数进行优化设计。结果表明,优化后模型达到人体热舒适水平。

基于污层电导率评估绝缘子污秽度模型研究

合理选择表征污秽绝缘子运行状态的特征量,建立科学的数学模型,可有效地评估绝缘子的污秽程度,定量划分污秽水平,为输电线路运行维护提供可靠依据。笔者通过人工污秽试验得到了5种典型结构绝缘子在不同污秽度下的污层电导率值,选用最小二乘法对试验结果进行拟合推导,得到评估绝缘子污秽度的数学模型,并对模型进行了试验验证。研究结果对绝缘子污闪预警评估具有重要的科学价值。

A symbolically defined InP double heterojunction bipolar transistor large-signal model

A self-built accurate and flexible large-signal model based on an analysis of the characteristics of InP double heterojunction bipolar transistors （DHBTs） is implemented as a seven-port symbolically defined device （SDD） in Agilent ADS. The model accounts for most physical phenomena incluuing the self-heating effect, Kirk effect, soft knee effect, base collector capacitance and collector transit time. The validity and the accuracy of the large-signal model are assessed by comparing the simulation with the measurement of DC, multi-bias small signal S parameters for InP DHBTs.