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一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术 被引量：1
1
作者 曹天骄 吴龙胜 +1 位作者 李海松 韩本光 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第9期77-81,共5页
针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65nm CMOS工艺进行电路设计仿真... 针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65nm CMOS工艺进行电路设计仿真,结果显示在500 MHz工作频率下,此DLL功能正确,抗SET性能良好,SET阈值达到100 MeV·cm2/mg,在空间辐射环境中具有很好的稳定性. 展开更多
关键词 延迟锁相环 电荷泵 set加固 锁定检测结构
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