SHJ太阳电池叠层减反结构及光电性能研究

创新性提出低温退火下异质结(SHJ)太阳电池的叠层减反射结构。采用等离子体增强化学气相沉积技术在沉积金属电极后的SHJ太阳电池入光面依次沉积SiN_x和SiO_x薄膜,形成SiO_x/SiN_x/IWO三层减反射膜,则电极部分为SiO_x/SiN_x/Ag/IWO的叠层结构,经低温退火银浆穿透表面介电薄膜形成导电通路。结果表明,SiO_x/SiN_x/IWO叠层具有优异的光学透过性,并显著降低电池表面反射损失。与单层IWO薄膜相比,厚度分别为90、30、60 nm的SiO_x/SiN_x/IWO的三层减反射膜使平均反射率下降至5.9%,对应波段外量子效率显著提高,SHJ电池短路电流密度和转换效率分别提高1.22 mA/cm^2和0.96%,具有巨大的应用潜力。

硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响

采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明:由于"硼掺杂效应",随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3%。以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1%的电池。