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X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度 被引量：7
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作者 曹福年 卜俊鹏 +5 位作者 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期635-638,共4页
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种... 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论． 展开更多
关键词 si-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测
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