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英国要推进GaAs技术
被引量:
2
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作者
李光平
李静
汝琼娜
《半导体情报》
1996年第3期38-41,共4页
英国要推进GaAs技术伦敦Middlesex大学的微电子中心主任EbrahimBushehri说他认为英国还没全力发展GaAs技术。"欧洲在高速GaAs数字电路及其设计理论上比英国更重视,投资更多。他的中心正与Sol...
英国要推进GaAs技术伦敦Middlesex大学的微电子中心主任EbrahimBushehri说他认为英国还没全力发展GaAs技术。"欧洲在高速GaAs数字电路及其设计理论上比英国更重视,投资更多。他的中心正与SolidStatePhysics的Fr...
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关键词
薄片
杂质含量
测试
砷化镓
下载PDF
职称材料
题名
英国要推进GaAs技术
被引量:
2
1
作者
李光平
李静
汝琼娜
机构
天津电子部第
出处
《半导体情报》
1996年第3期38-41,共4页
文摘
英国要推进GaAs技术伦敦Middlesex大学的微电子中心主任EbrahimBushehri说他认为英国还没全力发展GaAs技术。"欧洲在高速GaAs数字电路及其设计理论上比英国更重视,投资更多。他的中心正与SolidStatePhysics的Fr...
关键词
薄片
杂质含量
测试
砷化镓
Keywords
si-gaas wafer
,
impurity content
,
measurement
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
英国要推进GaAs技术
李光平
李静
汝琼娜
《半导体情报》
1996
2
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职称材料
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