SiGe器件及其研究综述

阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况，并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。

SiGe器件及其在蓝牙系统中的应用

SiGe是目前RF半导体领域中一项非常引人关注的半 导体生产工艺。继IBM公司之后,TI公司、ST公司和Conexant Systems公司等主要的芯片供应商纷纷加入了使 用者的行列。与此同时,随着蓝牙技术在个人无线设备（尤 其是手机、头戴式耳机、笔记本个人电脑和PDA等）领域 中应用的迅猛发展,迫切需要开发包含无线及基带电路的 超低功耗芯片组。SiGe技术不仅可满足这种低功耗要求,而且还能满足 蓝牙技术应用的诸多其他要求。

SiGe技术、器件及其应用

SiGe技术和SOI技术将是21世纪硅集成的重要技术,它们相互补充,改善晶体管的速度 和性能。本文介绍了SiGe技术、器件和应用。

SiGe／Si异质结器件

本文综述了国际上ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的发展状况，分析了该器件的结构机理、特点、优越性及制造技术，阐述了该器件的广阔应用前景和对微电子技术将产生的重大影响。

调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用

在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,详细研究了长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能 (主要是跨导 )的影响。在器件模拟过程中 ,采用隐含的 Si Ge材料和 Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果。根据前人的材料研究工作 ,引入了插值所得的近似因子 ,以修正 Silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后 ,依据修正后的模型对Si Ge PMOS进行了更为精确的二维模拟 。

下一代40nmCMOS器件帮助降低Thunderbolt有源线缆成本

当前大多数Thunderbolt接口都是采用SiGe器件，不仅集成度低而且功耗大，增加了线缆的总体成本。采用最新工艺的下一代器件将有望解决这一难题，帮助实现Thunderbolt技术的普及。

Influence of Heterojunction Position on SiGe HBTs with Graded BC Junctions

The influence of a heterojunction in the vicinity of a graded BC junction on the performance of npn SiGe HBTs is studied. SiGe HBTs differing only in heterojunction position in the vicinity of a graded BC junction are simulated by means of 2D Medici software for DC current gain and frequency characteristics. In addition, the simulated DC current gains and cut-off frequencies are compared at different collector-emitter bias voltages. Through the simulation results, both DC and HF device performance are found to be strongly impacted by degree of confinement of the neutral base in the SiGe layer, even in the absence of a conduction band barrier. This conclusion is of significance for designing and analyzing SiGe HBTs.

110 GHz以上固态功率放大器的发展现状

基于近几年的文献报道,综述了110 GHz以上固态功率放大器的现状和电路结构。归纳了每个固态放大器的工作频率、制作工艺、最大输出功率(Psat)、最大输出的压缩增益、小信号增益、1 dB压缩点增益(P-1),功率附加效率(PAE)、带宽等指标。对每个固态放大器的电路结构进行了总结,讨论了这些电路结构在太赫兹频段的应用。并根据ITRS的文献展望了未来固态晶体管的发展。最后讨论了未来太赫兹固态功率放大器集成到太赫兹数模系统的方式。

冰冻芯片能提高Si芯片的速度

IBM与佐治亚理工学院联合研究成功冰冻Si芯片能提高芯片工作速度。他们将基于Si的芯片，通过将电路“冰冻”在零下451℃下，使电路在500GHz以上频率工作，比当今手机通常2GHz频率快250倍。该项目研究宗旨是探索SiGe器件终极速度。超高频SiGe电路在育用通信系统、军用电子、宇宙和遥感顿域有潜在应用。人们期望推出新型功能强大、低功耗芯片，其应用是让HDTV和电影质量的视频传达到手机、汽车和其他设备上。SiGe芯片来自IBM200mm晶圆厂制造的第4代SiGe原型。在室温下，SiGe电路工作频率350GHz。