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NMOS/SIMOX的γ射线总剂量辐照特性 被引量:2
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作者 竺士炀 李金华 +3 位作者 林成鲁 高剑侠 严荣良 任迪远 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第6期368-373,共6页
对用多次注入与退火技术制成的SIMOX材料制备的N沟MOSFET进行了60Coγ射线累积剂量辐照试验,测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈值电压漂移。对NMOS/SIMOX和NMOSI体硅的辐照效应作... 对用多次注入与退火技术制成的SIMOX材料制备的N沟MOSFET进行了60Coγ射线累积剂量辐照试验,测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈值电压漂移。对NMOS/SIMOX和NMOSI体硅的辐照效应作了比较,结果表明前者抗总剂量辐照性能不如后者。对引起阈值电压漂移的两个因素(氧化层电荷和界面态电荷)和提高NMOS/SIMOX抗辐照性能的几点措施进行了讨论. 展开更多
关键词 simox材料 nmos器件 总剂量辐照
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CMOS/SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性
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作者 竺士炀 林成鲁 李金华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期37-39,43,共4页
对条栅CMOS/SIMOX例相器在不同偏置条件下进行了60Coγ射线的总剂量辐照试验,比较研究了PMOS、NMOS对倒相器功能的影响,发现NMOS抗总剂量辐照性能比PMOS差,主要是NMOS引起器件功能的失效。
关键词 CMOS simox 倒相器 总剂量辐照
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N沟MOSFET/SIMOX的γ射线辐照特性
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作者 竺士炀 林成鲁 李金华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期40-43,共4页
对用多次注入与退火技术制成的SMOX(SeparationbyIMplantationofOXysen)材料制备的N沟MOSFET进行了60Coγ射线累积剂量辐照试验,并同通常的体硅NMOS的辐照效应作了比较,分析了... 对用多次注入与退火技术制成的SMOX(SeparationbyIMplantationofOXysen)材料制备的N沟MOSFET进行了60Coγ射线累积剂量辐照试验,并同通常的体硅NMOS的辐照效应作了比较,分析了引起阈值电压漂移的两个因素:氧化层电荷和界面态电荷,提出了提高NMOS/SIMOX抗辐照性能的几点措施。 展开更多
关键词 场效应晶体管 simox Γ射线辐照
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对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
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作者 刘春媚 杨旭 +3 位作者 朱慧龙 胡志远 毕大炜 张正选 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2157-2167,共11页
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退... 通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。 展开更多
关键词 热载流子效应 总剂量效应 辐射加固 PDSOI nmos 改性器件
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