由AES定量检测协助的SIMS定量分析方法

一、引言 与其他表面分析方法相比,二次离子质谱(简称SIMS)法具有这样的特点:对大部分元素有很高的探测灵敏度(<10^(-4)单层);对痕量组份能进行深度剖面分析,其深度分辨率≤50;可进行同位素分析和低原子序数(如氢、锂、铍等)的分析。因此,作为一个表面分析工具,该法正在得到愈来愈大的发展。

重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

在用二次离子质谱(SIMS)进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时,有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高,接近1016atom/cm3的现象。但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离,硼浓度就降到正常范围<1×1014atom/cm3。按重掺砷硅单晶制备工艺过程,硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的,而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n+外延片并没有出现质量问题。这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像。本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系。