无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜在晶体硅太阳能电池制造中的应用

本研究主要探讨晶体硅太阳能电池制造工业中,对无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜的有效应用。通过三组样品分析了常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜内存在的结构缺陷与耐久性,室温下,在热板中开展退火实验,对比常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜在1%HF溶液与1.5%KOH的腐蚀速率和未退火样品,从而明确耐受腐蚀溶液的温度最低值。研究结果显示,化学气相沉淀 SIO_(X)中的PERC细胞正面涂层区并没有寄生镀层出现,且未检测到划痕和镀金痕迹,金字塔更未检测出金属颗粒,因此该技术能够被应用于晶体硅太阳能电池制造中。

无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜在晶体硅太阳能电池制造中的应用

提出SiO_(x)薄膜沉积在成本效益高的实验室规模三维打印常压化学气相沉积装置,研究了镀层的完整性、与各种表面的一致性以及处理后的回弹性,并讨论了常压化学气相沉积(APCVD)法制备的薄膜。研究表明,在不同的应用中,常压化学气相沉积法制备的薄膜在钝化发射体的正面和背面太阳能电池上起到保护寄生电镀的作用。