SIPOS／Si异质结特性的研究

采用红外吸收光谱分析了ＳＩＰＯＳ薄膜中Ｓｉ－Ｏ键的结构，对比分析了热退火和快速灯光退火对ＳＩＰＯＳ中Ｓｉ－Ｏ键结构的影响，并结合ＳＩＰＯＳ／Ｓｉ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ测试结果，对该结构的异质结特性进行了分析。

SIPOS障的结构织成

采用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）方法，生长了不同氧含量的ＳＩＰＯＳ（半绝缘含氧多晶硅）膜，研究了ＳＩＰＯＳ膜的结构组成．ＳＩＰＯＳ膜是微晶，多晶和非晶共存的结构，其晶态物中含有缺氧的α－Ｃｒｉｓｔｏｂａｌｉｔｅ（方石英）结构．膜中含氧量可变，以ＳｉＯｘ（ｘ＜２）表示，随着氧含量的增加或减少，其结构向非晶或多晶方向移动．膜中氧原子分布不均匀，局部有氧原子微区集中或缺少现象，使Ｘ＝０或１或２．

一种高压平面闸流管器件及其制作方法

本发明公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本发明采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。