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SIPOS/Si结构的界面特性
1
作者
曹广军
徐彦忠
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996年第3期74-75,共2页
采用红外吸收光谱分析了SIPOS薄膜中Si—O键的结构,对比了热退火、快速灯光退火对SIPOS中Si—O键结构的影响,并结合SIPOS/Si结构的C-V,I-V测试结果,对其界面特性进行了分析.
关键词
界面特性
半导体
薄膜
sipos薄膜
Si-O键
下载PDF
职称材料
题名
SIPOS/Si结构的界面特性
1
作者
曹广军
徐彦忠
机构
华中理工大学固体电子学系
出处
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996年第3期74-75,共2页
文摘
采用红外吸收光谱分析了SIPOS薄膜中Si—O键的结构,对比了热退火、快速灯光退火对SIPOS中Si—O键结构的影响,并结合SIPOS/Si结构的C-V,I-V测试结果,对其界面特性进行了分析.
关键词
界面特性
半导体
薄膜
sipos薄膜
Si-O键
Keywords
sipos
/Si structure
interface property
annealing
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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1
SIPOS/Si结构的界面特性
曹广军
徐彦忠
《华中理工大学学报》
CSCD
北大核心
1996
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