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Sirenza的最新InGaP HBT放大器
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作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第5期16-16,共1页
Sirenza Microdevices公司最近又新添了用于无线和有线电视(CATV)基础构件的产品——高性能宽带放大器,即InGaP HBT达林顿放大器,其偏压电源为+5 V固定电源,从而提高了温度稳定性。上述最新产品有两种型号,SBB-4089和SB-5089。这两款新... Sirenza Microdevices公司最近又新添了用于无线和有线电视(CATV)基础构件的产品——高性能宽带放大器,即InGaP HBT达林顿放大器,其偏压电源为+5 V固定电源,从而提高了温度稳定性。上述最新产品有两种型号,SBB-4089和SB-5089。这两款新产品1950 展开更多
关键词 宽带放大器 达林顿 CATV 基础构件 INGAP HBT sirenza 温度稳定性 输出功率 结温 静电放电
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Sirenza制造出自偏置高性能宽带放大器
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作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第6期18-19,共2页
Sirenza Microdevices公司开发出无线和CATV基础构件用的新系列高性能宽带放大器。这种InGaP HBT达林顿放大器设计工作电源为+5 v固定电源,其温度稳定性高。该系列中的头两个放大器型号为SBB-1089和SBB 2089。上述两个放大器240 MHz下... Sirenza Microdevices公司开发出无线和CATV基础构件用的新系列高性能宽带放大器。这种InGaP HBT达林顿放大器设计工作电源为+5 v固定电源,其温度稳定性高。该系列中的头两个放大器型号为SBB-1089和SBB 2089。上述两个放大器240 MHz下的输出三阶截取点为+43 dBm,带宽50-850 MHz。SBB 1089的增益为15.5 dB,1 dB压缩功率19 dBm;SBB2089的增益为 20 dB,1 dB压缩功率20 dBm,耗电仅90 mA。这两个放大器采用Sirenza公司的热分配系统,以降低结温和提高可靠性。这种达林顿放大器是首批进入市场采用SOT-89封装的自偏压工作高性能放大器。 展开更多
关键词 sirenza 宽带放大器 工作电源 达林顿 CATV 自偏压 基础构件 结温 放大器设计 分配系统
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Sirenza推出数字电视用放大器IC
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作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第5期15-15,共1页
Sirenza Microdevices公司推出了一种中频数字TV用RF SiCMOS 3.3·V RFIC。这种S510067型产品在一块RFIC中整合了多项功能,它设计用于VSB/ NTSC接收机、PCTV调谐器、VSB/QAM/NTSC调谐器网络接口组件、集成 HDTV和机顶盒。S510067有... Sirenza Microdevices公司推出了一种中频数字TV用RF SiCMOS 3.3·V RFIC。这种S510067型产品在一块RFIC中整合了多项功能,它设计用于VSB/ NTSC接收机、PCTV调谐器、VSB/QAM/NTSC调谐器网络接口组件、集成 HDTV和机顶盒。S510067有两个自动增益控制放大器和一些中频视频放大器。此外,S510067工作频率为20MHz-100 MHz,增益范围14dB-68 dB,总增益控制范围大于54 dB。 展开更多
关键词 数字电视 IC sirenza 调谐器 控制放大器 总增益 自动增益 网络接口 工作频率 控制范围
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Sirenza的SiSiC FET获得美国专利
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作者 陈裕权 《半导体信息》 2003年第5期27-27,共1页
射频集成电路(RFIC)供货商Sirenza Microdevices公司的碳化硅(SiC)微波场效应晶体管结构获得美国专利。这是其首项"碳化硅上硅"(SiSiC)半导体专利。这种新结构的1—4GHz器件所提供的高功率微波性能超过了目前用任何其它半导... 射频集成电路(RFIC)供货商Sirenza Microdevices公司的碳化硅(SiC)微波场效应晶体管结构获得美国专利。这是其首项"碳化硅上硅"(SiSiC)半导体专利。这种新结构的1—4GHz器件所提供的高功率微波性能超过了目前用任何其它半导体工艺所能达到的微波性能。Sirenza将把这种新器件结构用于未来功放模块中。 展开更多
关键词 美国专利 SiSiC FET sirenza 场效应晶体管 功放模块 射频集成电路 器件结构 高功率微波 微波性能 半导体工艺
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提高无线基站性能的有源发射混频器
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《电子元器件应用》 2003年第2期71-71,共1页
关键词 无线基站 有源发射混频器 通信 sirenza Microdevices公司
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