300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布

采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释.

丽台科技：WinFastVR300

<正> 矽统(SiS)继以SiS 6326芯片抢下不少的低档市场后,现在又推出了新一代的SiS300/301芯片组,期望能以丰富的功能支持再度攻入市场。这款由丽台推出的VR300,便是采用SiS300芯片,搭配上SiS301芯片,能提供数字影像输出的DFP接头输出。显卡上一共使用了16MB的SGRAM,芯片与显存两者皆使用110MHz的工作频率。在连接接口上虽然采用AGP 2x＆4x通用版本,但是要记得SiS 300本身只能支持AGP 2x传输的,卡上除了拥有DFP接头及S端子提供了影像输出外,