静电感应晶闸管（SITH）的理论分析

首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到了马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。

电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高

分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一种新阳极造型.它有效利用了外延过程中在p-阳极区形成的轻掺杂n-层,在该层上进行条形p+重掺杂,为正向导通过程提供空穴注入,从而实现电导调制,降低通态压降.而未掺杂的透明阳极区则形成电流漏.实验表明,该结构不仅能有效增大阻断电压,同时利于关断过程积累电荷的抽取,加快关断时间,降低关断损耗.

SITH耐压容量的控制和调节

分析了 SITH结构的掺杂电阻率、N-基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响 ,分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅 -阴极击穿电压的影响 ,讨论了如何进行正向阻断电压和栅

静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）

静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１ 模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。...

静电感应晶闸管(SITH)的研究

从应用角度出发 ,测量分析了国产静电感应晶闸管 (SITH)的主要电参数 ,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。测试表明SITH器件达到较好的应用水平。并且与其它电力电子器件比较 。

静电感应晶闸管(SITH)的工艺控制和参数调节

以静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的长期工艺实践为基础，总结和研究了器件结构参数对ＳＩＴＨ主要性能参数的影响，并分析了其原因。

SITH交流电子调节器的研制

本文介绍了国内新研制的静电感应晶闸管(SITH)应用研究之一。作者所研制的SITH交流电子调节器可对输出功率在500W以内的各种电器通过调节导通角进行无段控制,可广泛应用于白炽灯、电熨斗、电风扇等家用电器或其它电器的连续调光、调热、调转速等。该调节器结构合理、性能稳定、安全可靠;对元件参数要求不苛,易于制做和调试,若能组织规模生产,其经济效益和社会效益是显著的。

台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响

针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管(SITH)栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明,随着台面刻蚀深度的增大,器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿,同时击穿电压升高,SITH设计了独立的台面槽,并研究了台面刻蚀深度与栅阴击穿电压和栅阴击穿特性间的关系,指出台面刻蚀深度的增加可以有效减弱表面电荷和表面缺陷对器件的影响,改善栅阴击穿曲线,提高栅阴击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。

台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响

分析了台面刻蚀程度对埋栅型STTHⅠ-Ⅴ特性的影响,表明台面刻蚀不足或过蚀程度太深都可能造成栅电极电压不能有效施加到栅体上,从而限制了栅体的控制能力,影响器件性能,严重时会导致特性异常,这是影响器件成品率的一个重要因素.台面刻蚀必须刻透外延层并适当过腐蚀,过腐蚀程度宜控制在栅体结深的1/10左右.

掩埋栅SITH的优化

本文通过介绍掩埋栅SITH存在的优点和不足,提出了优化的掩埋栅型结构,并对其制造工艺进行具体讨论。静电感应晶闸管(SITH)是一种近年来发展起来的大功率两型半导体器件。它具有开关速度快,功率损耗低,动态特性好等优点,因而受到人们的广泛重视。又由于SITH的最高工作温度不像传统晶闸管那样受电流流通机制的限制,在高温下仍具有正向阻断能力,并且具有低的正向压降。

SITH负阻转折特性的分析模型

提出了一个用于分析 SITH正向阻断态的新模型。这个模型在结构上类似于 SCR。这样 ,就可以把SITH的二维分析简化为 SCR的一维分析。我们应用了这个模型来分析 SITH的负阻特性并且计算出了阳极正向转折电压 ,计算结果与实际测量值相符合 。

静电感应晶闸管的负阻转折特性

针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.

100A/1200V静电感应晶闸管的设计

分析了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系，结合制管经验进行了１００ Ａ／１ ２００ Ｖ 器件的结构（ 版图） 设计、工艺设计，给出了有关结果．

20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究

全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ Ｓ Ｉ Ｄ）的开拓性研究成果，包括 Ｓ Ｉ Ｄ 基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制，关键制造技术的研究， Ｓ Ｉ Ｄ产品的研制以及 Ｓ Ｉ Ｄ

静电感应晶闸管在电源电路中的应用研究

在测试分析了国产静电感应晶闸管(SITH)主要性能的基础上,研制出几种驱动电路,并用它们作为主开关器件制成三种电源电路。对这三种电路的测试表明,静电感应晶闸管是具有良好特性的电力电子器件。国产器件可以针对应用改变设计,取得与应用的最佳配合。

静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟

引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管（SITH）进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。

“S注入法”与选线测距定位

根据小电流接地系统单相接地故障的特点，提出了“Ｓ注入法”选线、测距和定位新原理，导出了有关的公式和算法，研制出了相应的装置，并已在较大范围内推广应用。“Ｓ注入法”的主要特点有：（１）通过ＰＴ注入。单相接地时接地相ＰＴ一次被短接，处于不工作状态，利用不工作ＰＴ注入信号，不增加一次设备，不会对运行设备产生不良影响；（２）只向接地线路接地相注入。有利于提高选线和定位的分辨率；（３）注入信号的基波频率ｆ０处于工频的Ｎ次谐波与Ｎ＋１次谐波之间，有利于躲过工频及其各次谐波的干扰。

TRAIL受体在胆管癌组织中的表达及意义

目的 :探讨肿瘤坏死因子相关凋亡诱导配体 (TRAIL)的受体在人胆管癌组织、癌旁胆管组织和胆管癌细胞株 (QBC939)的表达及其临床意义。 方法 :应用原位杂交组织化学法检测TRAIL受体mRNA在人胆管癌组织、癌旁胆管组织和胆管癌细胞株 (QBC939)中的表达。 结果 :DR4mRNA、DR5mRNA在人胆管癌组织、癌旁胆管组织和胆管癌细胞株 (QBC939)均呈阳性表达。只有 3例DcR1(3/5 2 )和 7例DcR2 (7/5 2 )在人胆管癌组织呈弱阳性表达。DcR1、DcR2 mRNA在癌旁胆管组织呈阳性表达 ,而在胆管癌细胞株 (QBC939)均不表达。 结论 :TRAIL死亡受体和诱捕受体在人胆管癌、癌旁胆管组织和胆管癌细胞株 (QBC939)的表达不同 ,这些受体表达的变化可能在调控人胆管癌凋亡中发挥重要作用。

静电感应晶闸管的应用研究

从应用角度出发,测量分析了国产静电感应晶闸管(SITH)的主要电参数,特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。针对应用较多的领域,研究出了四种各具特色、适用不同场合的驱动电路。测试表明这些电路可以使SITH器件达到较好的应用水平。

静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.