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功率器件的新结构及其性能特点 被引量:3
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作者 王丹 关艳霞 《电子设计工程》 2010年第2期118-120,共3页
介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损耗低等优点。而FS-IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT。
关键词 sjmosfet FS-IGBT 超结 场截止 缓冲层
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