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功率器件的新结构及其性能特点
被引量:
3
1
作者
王丹
关艳霞
《电子设计工程》
2010年第2期118-120,共3页
介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损耗低等优点。而FS-IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT。
关键词
sjmosfet
FS-IGBT
超结
场截止
缓冲层
下载PDF
职称材料
题名
功率器件的新结构及其性能特点
被引量:
3
1
作者
王丹
关艳霞
机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
出处
《电子设计工程》
2010年第2期118-120,共3页
文摘
介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有高开关频率,导通电阻小,损耗低等优点。而FS-IGBT则具有通态压降低,无拖尾电流等优点,使得它们在性能上优于传统的功率MOSFET与IGBT。
关键词
sjmosfet
FS-IGBT
超结
场截止
缓冲层
Keywords
sjmosfet
FS-IGBT
superjunction
field stop
butter
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
功率器件的新结构及其性能特点
王丹
关艳霞
《电子设计工程》
2010
3
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职称材料
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