SM2/SM3/SM4在Android系统中的研究与实现

将SM2/SM3/SM4密码算法引入Android安全机制,设计一种更健全的保护隐私机制的Android系统。通过修改Android开源项目源代码,实现加解密和签名验证等功能的应用程序,并编译生成包含密码算法的.so动态链接库,将.so添加到Android 8.0系统中,在Ubuntu 16.04环境下重新编译Android 8.0源码生成新的刷机镜像文件。客户端在Android 8.0系统中运行,并在Pixel2上完成测试。结果表明,该系统在满足用户对算法速度要求的同时,增强了算法的安全性,从而更有效地保护隐私数据。

Sr_(0.5)Zr_(2)(PO_(4))_(3)-(Ce,Sm)PO_(4)复相陶瓷核废物固化体的制备及化学稳定性

为同时固化高放废物中的模拟放射性核素Sr、Ce和Sm,采用一步微波烧结工艺成功制备了Sr_(0.5)Zr_(2)(PO_(4))_(3)-(Ce,Sm)PO_(4)复相磷酸盐陶瓷固化体,采用XRD、Raman、SEM-EDS和密度表征研究了其物相组成、微观结构以及致密性,并利用PCT法评估了化学稳定性。结果表明:Sr_(0.5)Zr_(2)(PO_(4))_(3)相和(Ce,Sm)PO_(4)独居石相兼容性好,两相间不发生相互反应;所制备的复相陶瓷固化体晶粒尺寸小,相对密度高于96%,改变Sm/Ce比对固化体的微观结构和致密性无明显影响;PCT测试结果表明Sr、Ce和Sm的元素归一化元素浸出率都较低,与单相磷酸盐陶瓷固化体相比,复相磷酸盐陶瓷固化体具有较为优异的化学稳定性。

固态照明用Li_(2)Gd_(4)(MoO_(4))_(7):Sm^(3+)橙红色荧光粉的结构和发光特性

白光LED具有广阔的应用前景与市场需求,而红色荧光粉对改善器件性能至关重要.本文采用高温固相法制备了一系列Li_(2)Gd_(4-x)Sm_(x)(MoO_(4))_(7)(x=0.01—0.13)荧光粉,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱和荧光光谱仪对样品进行了表征.在406 nm激发下,Li_(2)Gd_(4)(MoO_(4))_(7):Sm^(3+)荧光粉的发射峰分别位于563,598,645,706 nm处,这是由于Sm^(3+)的4f-4f跃迁引起的.当Sm^(3+)浓度为0.07时发光最强,浓度猝灭主要归因于电偶极-电偶极相互作用.随着Sm^(3+)浓度的增大,荧光寿命逐渐缩短.温度依赖性发射光谱研究发现,当温度为423 K时,Li_(2)Gd_(4)(MoO_(4))_(7):0.07Sm^(3+)的发射强度依然保持在298 K时的79%,显示了样品优良的热稳定性.CIE色度图确认了该荧光粉的发射位于橙红色区域.进一步利用最佳样品制作了白光LED,其CIE色坐标为(0.3788,0.3134),位于白光圈内.研究表明Li_(2)Gd_(4)(MoO_(4))_(7):Sm^(3+)荧光粉是一种很有前途的白光LED用橙红色荧光粉.

Eu^(3+)、Sm^(3+)共掺双钙钛矿Gd_(2)ZnTiO_(6)荧光粉的发光性能及其热稳定性

具有高热稳定性的红色发光材料对于改善光转换型白光LED器件的性能具有重要意义。引入敏化剂来实现能量传递至发光中心从而提高荧光粉热稳定性是开发高效WLED用荧光粉的有效策略。本文以双钙钛矿结构化合物Gd_(2)ZnTiO_(6)为基质,制备了系列Sm^(3+)、Eu^(3+)激活的红色荧光粉,并讨论了Sm^(3+)→Eu^(3+)的能量传递过程,证实了这一过程对于该基质单一Eu^(3+)激活荧光粉热稳定的改善作用。双掺样品在150℃时的发光强度保持在室温时的74%。这一结果为离子间的能量传递可有效抑制荧光粉热猝灭的理论提供了依据。

P204-P507在酸性硫酸盐溶液中对Nd^3＋和Sm^3＋的协同萃取

采用恒摩尔法、斜率法以及饱和容量法研究从硫酸介质中用P204(D2EHPA,用(HA)2表示)与P507(HEHEHP,用(HL)2表示)协同萃取Nd3+或Sm3+的性能与机理,并测定协萃反应的热力学平衡常数Ks.e,求得反应的焓变和熵变。结果表明,萃取反应呈现正协同效应,且协萃过程为放热反应,协萃配合物组成分别为Nd.(HA2)2.HL2和Sm.(HA2)2.HL2。因此,P204与P507混合使用可以改善硫酸介质下稀土的萃取分离效果。

新型应力发光材料Ca_(5)Ga_(6)O_(14):Sm^(3+)制备及其性能

采用高温固相法成功制备出新型Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)应力发光材料。通过X射线衍射、扫描电镜、漫发射光谱、光致激发和发射光谱、荧光衰减曲线、应力发光光谱和热释光光谱等测试详细研究了Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)的晶体结构、表面形貌、光致发光和应力发光性能及其发光机理。在404 nm激发下,Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)呈现出4个发射峰,分别位于562,599,642,715 nm,对应Sm^(3+)的^(4)G_(5/2)→6Hj(j=5/2,7/2,9/2,11/2)的特征发射。随着Sm^(3+)离子掺杂浓度的增加,发光强度先增强后减弱,在x=0.07时获得最强发射,且衰减时间从1.92 ms缩短至1.30 ms。在滑动摩擦激发下可获得Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)的应力发光发射带,且应力发光强度与施加应力满足线性增长,表明该材料在应力传感领域具有潜在应用价值。

SrIn_2O_4∶Sm^(3+)红色荧光粉的发光特性

采用燃烧法合成了SrIn2O4:Sm3+红色荧光粉并研究了其发光性质。发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别为568,606,660nm,对应Sm3+的4G5/2→6H5/2、4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2特征跃迁发射,其中606nm的发射最强。激发光谱包括峰值位于323,413nm的宽带,说明该荧光粉可以被近紫外-紫色发光二极管管芯激发发射红光。研究了Sm3+的掺杂浓度对样品发光强度的影响。实验结果表明SrIn2O4:Sm3+是一种可用于制作白光LED的红色荧光粉。

NaY(WO_4)_2∶Sm^(3+)晶体的生长与上转换发光

用Czochralski法生长了高光学质量、大尺寸的NaY(WO4 ) 2 ∶Sm3 + 单晶。测量了晶体在室温下的吸收谱 ,对跃迁的能级进行了指认。在 94 6nm泵浦下测量了晶体的上转换荧光发射谱。研究了NYW晶体中Sm3 + 上转换发光的机制。

Bi^(3+)或Sm^(3+)掺杂对NaGd(WO_4)_2∶Eu^(3+)荧光粉结构和发光性质的影响

采用水热法制备了白光LED用NaGd_(0.95-x)(WO_4)_2∶0.05Eu^(3+),x Bi^(3+)(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08)和NaGd_(0.95-y)(WO_4)_2∶0.05Eu^(3+),y Sm^(3+)(y=0,0.01,0.02,0.03,0.04)系列红色荧光粉,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜及荧光分光光度计等表征手段分析了样品的物相结构、颗粒形貌以及发光性质。结果表明:少量离子掺杂对NaGd(WO_4)_2的晶体结构影响较小,样品均为四方晶系、白钨矿结构的纯相;颗粒形貌呈四方盘状,且粒度均匀,分散性良好,Bi^(3+)或Sm^(3+)的引入使颗粒尺寸由原来的4μm分别增加至5μm和6μm。该系列荧光粉均可被近紫外光(394 nm)有效激发,其最强发射峰位于614 nm处,归属于Eu^(3+)的5D0→7F2电偶极跃迁。掺杂适量的Bi^(3+)或Sm^(3+)可有效提高NaGd_(0.95)(WO_4)_2∶0.05Eu^(3+)荧光粉的发光强度和红光的色纯度,其中Sm^(3+)的引入对其影响更为明显。

Sm掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷晶体结构及电性能的研究

采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷。利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12(BST)陶瓷晶体结构及电性能的影响。结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构。样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高。

Zn_2SiO_4(ZnB_2O_4):Mn^(2+),Sm^(3+)发光材料的制备与荧光性能

使用高温固相法首次合成了Zn2SiO4(ZnB2O4)∶Mn2+,Sm3+发光材料,探讨了烧结温度、Sm3+含量对样品荧光性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、荧光光谱等分析手段对Zn2SiO4(ZnB2O4)∶Mn2+,Sm3+粉末的结构、发光性能进行了表征。确定了该荧光材料的最佳合成条件,离子掺杂浓度等。实验结果表明:组成为Zn2SiO4(ZnB2O4)∶1.2%Mn2+,8%Sm3+的样品在950℃还原气氛下烧结,发光强度最高;反应生成的ZnB2O4和掺杂Sm3+可以大幅提高材料发光强度。

共沉淀法合成Sm^(3+)掺杂的Sr_2CeO_4的荧光光谱

以(NH4)2C2O4为沉淀剂,用Sr,Ce和Sm的硝酸盐为反应物,制备了Sr2CeO4:Sm的前驱体。将此前驱体烧结后,得到了Sm掺杂的Sr2CeO4白色荧光材料。其荧光光谱强度与烧结温度和Sm3+的掺杂浓度密切相关,当烧结温度为1 050℃以及Sm3+的掺杂浓度为1 mol%时,峰值为470 nm的宽带以及Sm3+在608和654 nm的线谱发射最强。同直接在高温固相反应下得到的样品进行比较,其发射光谱强度大大提高。

Al_2O_3掺杂对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)陶瓷显微结构和介电性能的影响

采用固相反应法制备了Ba4Sm9.33Ti18O54（简称BST）xwt%Al2O3（x=0~1.5）微波介质陶瓷.研究了掺杂Al2O3对BST陶瓷的显微结构和介电性能的影响.扫描电镜和能谱分析结果显示：未掺杂的BST陶瓷中有少量Sm2Ti2O7相,随着增加Al2O3掺入量,Sm2Ti2O7相消失,BST陶瓷中先后产生了BaTi4O9（x≥0.6）和BaAl2Ti5O14（x≥1.0）两种新相.介电性能测试结果表明Sm2Ti2O7相的消失以及少量BaTi4O9相的形成,能显著提高BST陶瓷的Qf值,但会降低陶瓷的介电常数.当Al2O3的掺入量从0.6wt%增加到1.0wt%时,BaTi4O9相的量逐渐增加,引起BST陶瓷的Qf值略微下降.BaAl2Ti5O14相的产生会同时降低BST陶瓷的介电常数和Qf值.掺入0.6wt%Al2O3的BST陶瓷在1340℃烧结3 h后具有最佳的介电性能：εr=74.7,Qf=10980 GHz,τf=–11.8×10-6/℃.

KLa(MoO_4)_2∶Sm^(3+)红色荧光粉的温度特性

采用高温固相法制备了KLa(Mo O4)2∶Sm3+红色荧光粉,利用X射线衍射对晶体结构进行表征,发现不同浓度Sm3+掺杂的样品均为单斜相结构。测量了样品的激发和发射光谱,观察到样品在紫外区及可见蓝绿区均有强的激发带,在404 nm激发下存在4个发射峰。测量了不同温度下样品的发射光谱和荧光衰减曲线,对样品的荧光温度猝灭进行了分析,确定了样品发光的温度猝灭是由横向穿越所导致的,采用Arrhennius模型对实验数据进行拟合,确定激活能约为0.48 e V,表明荧光粉具有良好的热稳定性。

白光LED用K_2Ba(WO_4)_2∶Sm^(3+)红色荧光粉的制备与表征

采用高温固相法合成了一种新型K2Ba(WO4)2∶x Sm3+红色荧光粉。通过XRD、SEM和荧光分光光度计对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。结果表明:该荧光粉具有三方晶系结构,在402 nm处有较强的激发峰,与近紫外LED芯片相匹配。在402 nm激发下,出现了Sm3+的4G5/2→6HJ(J=5/2,7/2,9/2,11/2)的特征跃迁,最强峰位于602 nm处,对应于Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁。Sm3+的最佳掺杂量为x=0.02,且Sm3+之间的临界距离为2.776 nm,浓度猝灭的机理为电偶极-电偶极相互作用。

发光颜色可调谐的新型荧光体Sr_2CeO_4:RE^(3+)(RE=Eu,Sm,Dy)的发光性能

Sr2CeO4既是一种有重要应用价值的新型蓝色荧光体,又是一种适合稀土掺杂的发光基质。近年来人们对稀土掺杂的Sr2CeO4的荧光性能进行了研究。本文结合作者的工作,分析了Sr2CeO4的结构特点和光谱特性;综述了Eu3+,Sm3+,Dy3+等稀土离子掺杂Sr2CeO4的发光性能的研究现状,并对今后的研究工作提出了一些设想。

816nm光激发下Sm^(3+)掺杂NaY(WO_4)_2上转换发光性能的研究

通过水热法合成出NaY(WO_4)_2∶Sm^(3+)上转换荧光粉。该荧光粉性质通过扫描电子显微镜、X射线粉末衍射、激发光谱以及发射光谱来表征。探讨了Sm^(3+)浓度及退火温度对NaY(WO_4)_2∶Sm^(3+)晶体结构、形貌和发光性能的影响。在Sm^(3+)浓度为1.2%,800℃退火条件下合成的样品具有最佳发光性能。利用816nm光激发NaY(WO_4)_2∶Sm^(3+),观察到了563nm处绿光,606nm处橙光以及647nm处的红光发射峰。它们分别来自于Sm^(3+)的~4 G_(5/2)→~6 H_(5/2)、~4 G_(5/2)→~6 H_(7/2)、~ G_(5/2)→~6 H_(9/2)能级跃迁。

溶胶-凝胶法制备Li_2ZnSiO_4∶Sm^(3+)红色荧光粉

采用溶胶-凝胶法合成Li2ZnSiO4∶Sm3+红色荧光粉,并对其发光性质进行了研究。结果表明:所得样品为正方晶系,呈柱状颗粒。用566 nm、604 nm和651 nm作为监控波长,激发峰位置和形状并未发生改变,但峰的强度有所差别。激发主峰位于408 nm(6H5/2→4L13/2)处。在408 nm激发下,样品的发射光谱由四个荧光发射峰构成,分别位于566 nm、604 nm、651 nm和710 nm,对应于Sm3+特征跃迁4G5/2→6HJ(J=5/2,7/2,9/2,11/2),发射主峰为604nm,是一种适用于白光LED的红色荧光粉,当Sm3+的掺杂浓度为2.5%,发光强度最大。

Sm^3＋掺杂Co0．6Zn0．4Ni0．8Fe1．2O4红外辐射陶瓷材料的研究

用常规固相合成法成功地制备出Sm^(3+)掺杂Co_(0.6)Zn_(0.4)Ni_(0.8)Fe_(1.2)O_4红外辐射陶瓷材料,并通过XRD、FT-IR和IRE-2型红外发射率测量仪测试了材料的微观结构,分析了材料的结构特征与红外辐射性能的关系,发现Sm^(3+)的掺杂导致Sm^(3+)以一定的配位形式进入Co_(0.6)Zn_(0.4)Ni_(0.8)Fe_(1.2)O_4体系中,并形成了有限置换型固溶体结构。数据分析可知,Sm^(3+)掺杂浓度对材料的红外辐射性能存在一定的影响,样品Sm0.1在全波段的积分发射率为0.74,而在>8μm波段的平均发射率最高值可达0.94。

近紫外激发的Na_2ZnSiO_4∶Sm^(3+)橙红色荧光粉的合成及发光性能

采用溶胶-凝胶法制备了适合于近紫外激发的橙红色荧光粉Na2ZnSiO4∶Sm3+,利用X射线衍射、扫描电镜、荧光光谱对样品的相结构、形貌及发光性能进行了表征。结果表明:制得的样品属于单斜晶系,粒径约为2μm。样品的激发光谱在330~550nm间呈多峰分布。在404nm近紫外光激发下,发射光谱由峰值为566nm,604nm和650nm的3个峰构成,发射主峰位于604nm处,对应Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁,呈橙红光发射。当Sm3+的掺量为3%时,其发光强度达到最大,随后减小,是由电偶极-电偶极相互作用引起的浓度猝灭。