SN74LS00N输出低电平特性的理论与实验研究

基于寻求目前流行的TTL与非门74LS00真实输出低电平伏安(VOL-IOL)特性与模型的目的,通过实测4个厂家的四与非门SN74LS00N的VOL-IOL特性,结合对四家芯片的各门在不同逻辑状态下的电源电流变化实测和理论计算,得出了各厂家的SN74LS00N芯片的内部两个关键电阻阻值R1,2、最低输出低电平电压VOL0(低电平负载驱动管T5是否真为肖特基三极管)、低电平输出等效内阻ROL,说明了各厂家芯片的低电平驱动负载能力有显著差异,该实际的定量结果这有利于大学课堂教学和相关电子工程设计。

SN74LS00N芯片高电平输出特性的理论与实验研究

本文通过对目前流行的四家SN74LS00N与非门集成电路芯片的高电平输出特性(输出电压VOH与拉电流IOH的关系)的理论和实测研究,给出几乎所有讲解74LS00门电路的《数字电子技术》教材中忽略的和缺失的但确实应该给出的真实输出特性,同时还给出了拟合两个关键的内部电路参数的方法,这对廓清许多教师和电子工程师对输出高电平最小电压VOH(min)和最大电流IOH(max)的理解有帮助,并对该系列电子器件的实验教学、相关电子工程设计,以及对该课教材的编写、出版和教学起到积极的推动作用。