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有关多目标遗传算法的研究 被引量:11
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作者 卢香清 谭迎军 《南阳师范学院学报》 CAS 2004年第9期62-64,共3页
概括介绍了目前的多目标遗传算法 (MOGA) ,并给出了一种新形式的MOGA ,也就是稳定态非受控排序遗传算法 (SNSGA)。该算法是把单目标遗传算法中的部分更新种群观点和非受控排序遗传算法中的适应度指派方法相结合而实现的 ,改进了适应度... 概括介绍了目前的多目标遗传算法 (MOGA) ,并给出了一种新形式的MOGA ,也就是稳定态非受控排序遗传算法 (SNSGA)。该算法是把单目标遗传算法中的部分更新种群观点和非受控排序遗传算法中的适应度指派方法相结合而实现的 ,改进了适应度指派方法并提出了一种新的浕share自适应决策方案诎ㄒ糯惴烟夂鸵糯惴ㄆ燮侍獾氖笛橹?。 展开更多
关键词 单目标遗传算法(SOGA) 多目标遗传算法(MOGA) 稳定态非受控排序遗传算法(SNSGA) 共享算子αshare自适 应决策
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Cu/Sn比率对Cu_2SnSe_3薄膜若干物理性质的影响 被引量:1
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作者 张伟 陈顺礼 汪渊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期630-634,共5页
利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果... 利用射频(RF)磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87~2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有(111)择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67~4.62mΩ.cm。 展开更多
关键词 Cu2SnSe3薄膜 Cu/Sn比率 硒化 物理性质
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