北京莱姆电子推出用于绝缘电流测量的SO-8封装MiniSensi ASIC传感器

2007年12月7日——北京莱姆电子宣布，推出一款微型集成电路传感器——Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mV到200mV）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

北京莱姆电子推出用于绝缘电流测量的SO-8封装Minisens ASIC传感器

北京莱姆电子今天宣布，推出一款微型集成电路传感器-Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mV到200mV）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

北京莱姆电子推出SO-8封装MinisensASIC传感器

北京莱姆电子近日宣布，推出一款微型集成电路传感器——Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mV到200mv）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

PI面向LED灯泡供应SO-8封装的LinkSwitch产品系列

Power Integrations公司日前宣布所有LinkSwitch-TN，LP与-XT系列产品ICs都可提供SO-8封装货品，以支持LED灯泡、小型充电器等新兴应用产品的设计。

-30VSO-8封装P沟道MOSFET系列：P沟道MOSFET

IR推出新系列．30V器件，采用IR新的SO-8封装P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统／负载开关。

采用8引脚SO-8封装的功率因数校正和镇流器控制IC

IRS2580DS包含在临界传导自由运行频率模式下运行的升压转换器控制电路，提供具有超低总谐波失真（THD）的功率因数校正。这款新IC还拥有一个以50％占空比和可变频率运行的600V半桥控制电路，以驱动共振模式下的灯输出电路。

SO-8封装MinisensASIC传感器

北京莱姆电子推出一款微型集成电路传感器一Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mY到200mY）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

北京莱姆推出SO-8封装Minisens ASIC传感器

2007年12月7日，北京莱姆电子宣布推出一款微型集成电路传感器Minisens，用于高达100kHz的AC与DC绝缘电流测量。这种新元件提供无插入损耗的完全绝缘（无需光耦）和高灵敏度（每安培初级电流20mV到200mV）。它可以作为一个SMD器件直接安装在印刷电路板上，降低制造成本。

凌特公司具有FC接口的8通道16位DAC

凌特公司（Linear Technology）推出具有FC串行接口的8通道16位电压输出DAC LTC2605，其16引脚SSOP封装与SO-8封装的占板面积相同。该器件有保证的单调性能、小尺寸和低功率使其非常适用于多种产品的数字校准、微调／调整和电平设置应用。LTC2605的输出缓冲器在2．7V至5．5V的整个电源电压范围内具有极佳的驱动能力。

IR针对照明应用推出IRS2526DS Mini8镇流器控制IC

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出IRS2526DSMini8紧凑型荧光灯（CFL）镇流器控制IC，提供全可编程性，也可为各种型号电灯提供高精准度和控制。这款全新多功能Ic产品采用8引脚SO-8封装，因布局紧凑而可减少元件数量、简化电路设计和提升效率。

8引脚高效谐振半桥控制IC

IRS2795（1，2）S谐振半桥控制IC采用8引脚SO-8封装，提供高度可编程和保护功能。其主要性能包括50％固定占空比和高达500kHz的可编程开关频率、可编程软启动频率和软启动时间.

AUIRFN8459／8458：功率MOSFET

IR推出两款40V车用COOLiRFET功率MOSFET产品，AUlRFN8459和AUlRFN8458，为需要小体积、大电流的汽车应用，比如泵电机控制、车身控制等提供基准导通电阻（Rds（on））。 AUIRFN8459实现了基准性能，即每通道5．9mΩ的超低导通电阻，可承载50A大电流。与SO-8封装相比，新型5mm×6mm双PQFN COOLiRFET器件提供到电路板的低导热路径和更高的导热性能，具有更高的效率和功率密度，以及更低的整体系统成本。

采用高热效微型封装的20A和30A功率MOSFET 有助于大电流DC/DC转换器提高功率密度和可靠性

新的STK800和STK850分别是20A和30A的MOSFET，采用顶置金属片的PolarPAK封装，这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度，占板面积与SO-8封装相同，仅为5mm×6mm。因为顶部和底部都有散热通道，所以封装的高度更低，只有0．8mm。

微封装功率MOSFET应用连载(一) 双功率MOSFET及基本工作电路

Siliconix公司1976年率先生产出功率MOSFET,其性能优于双极型晶体管,受到业界普遍重视。多年来,在结构、生产工艺上不断改进,性能进一步提高、封装有较大变化、但价格逐步降低,因此在电源、计算机及外设、工业控制设备、通信装置、汽车工业及消费类电子产品等领域获得广泛应用。本文主要介绍Siliconix公司生产的Liffle Foot(占印制板面积小之意)Si99XX系列低电压双功率MOSFET及部分P沟道功率MOSFET。该系列是上世纪90年代中期产品,由于性能好。

SiR872ADP：功率MOSFET

Vishay推出采用热增强型PowerPAKSO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFETSiR872ADP，将该公司的ThunderFET技术的电压扩展至150V.

恩智浦发布了符合汽车工业标准的LFPAK封装功率MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。

飞兆半导体推出80V N沟道MOSFET器件

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件-FDS3572。该器件能同时为DC／DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供良好的整体系统效率。FDS3572提供7．5nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38％。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16m)特性，

Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET

Vishay宣布发布其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装，具备业内最低的导通电阻。