超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟

考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。

深亚微米薄膜SOI MOSFET的二维数值模拟

本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步法求解泊松方程和电子、空穴的电流连续性方程，提高了计算效率和收敛性。利用此模拟软件较为详细地分析了薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ不同于厚膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的工作机理及特性，发现薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的所有特性几乎都得到了改善。将模拟结果与实验结果进行了对比，两者吻合得较好。

薄膜全耗尽SOI器件的二维数值模拟软件

开发了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件ＬＡＤＥＳ—ＩＶ—Ｚ．该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生一复合作用，采用了独特的动态二步法求解油松方程和电子、空穴的电流连续性方程，从而大大提高了计算效率和收敛性．此模拟软件可用于分析沟道长度为０．１５～０．５μｍ、硅膜厚度为５０～４００ｎｍ的ＳＯＩ器件的工作机理及其端特性。模拟结果与实验结果比较，两者吻合较好，说明该模拟软件如实地反映了薄膜ＳＯＩ器件的真实工作情况。