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TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型 被引量:1
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作者 张海鹏 魏同立 宋安飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期18-22,共5页
从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFE... 从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。 展开更多
关键词 soi pmosfet 导电机理 漏电流 二维解析模型 薄膜积累型 P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究
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作者 孙静 郭旗 +5 位作者 郑齐文 崔江维 何承发 刘海涛 刘许强 刘梦新 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第12期43-48,共6页
绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照... 绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照响应特性,包括辐照偏置对SOI BOX PMOS的辐射响应灵敏度的影响、不同辐射剂量率环境下的SOI BOX PMOS的灵敏度响应差异、辐照后的SOI BOX PMOS的退火特性及其对辐射响应敏感度影响,以及SOI BOX PMOS沟道宽长比与其灵敏度的关系等,并对试验结果进行了必要的理论分析。实验结果表明:正偏置辐照的器件对电荷的收集响应灵敏度明显高于零偏置辐照的器件;阈值电压的辐照变化几乎不受退火效应影响;相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显。实验研究为新型辐射剂量探测仪的研制打下了基础。 展开更多
关键词 辐照传感器 基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管 剂量计
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P沟MOSFET/FIPOS的γ射线总剂量辐照特性
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作者 竺士炀 黄宜平 高剑侠 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期43-47,共5页
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术制备了高质量的SOI材料。研究了在该材料上采用2μmCMOS工艺制备的不同沟道长度的P沟MOSFET的60Coγ射线总剂量辐照特性,表明经5kGy(Si)辐照后,器件仍有特性,但... 采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术制备了高质量的SOI材料。研究了在该材料上采用2μmCMOS工艺制备的不同沟道长度的P沟MOSFET的60Coγ射线总剂量辐照特性,表明经5kGy(Si)辐照后,器件仍有特性,但阈值电压有较大的漂移,这主要是由栅氧化层中的辐照感生电荷而引起。不同沟道长度PMOSFET的辐照特性基本相同。经一段时间室温退火,阈值电压出现回漂。 展开更多
关键词 soi材料 pmosfet 总剂量辐照 Γ射线 CMOS
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Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs
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作者 赵星 郑中山 +2 位作者 李彬鸿 高见头 于芳 《Chinese Physics C》 SCIE CAS CSCD 2015年第9期90-96,共7页
The total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator (SOI) pMOSFETs have been studied by comparing them with those of the back transistor of SOI nMOSFETs fabricated on the ... The total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator (SOI) pMOSFETs have been studied by comparing them with those of the back transistor of SOI nMOSFETs fabricated on the same wafer. The transistors were irradiated by 60Co γ-rays with various doses and the front transistors were biased in a Float-State and Off-State, respectively, during irradiation. The total dose radiation responses of the back transistors were characterized by their threshold voltage shifts. The results show that the total dose radiation response of the back transistor of SOI pMOSFETs, similar to that of SOI nMOSFETs, depends greatly on their bias conditions during irradiation. However, with the Float-State bias rather than the Off-State bias, the back transistors of SOI pMOSFETs reveal a much higher sensitivity to total dose radiation, which is contrary to the behavior of SOI nMOSFETs. In addition, it is also found that the total dose radiation effect of the back transistor of SOI pMOSFETs irradiated with Off-State bias, as well as that of the SOI nMOSFETs, increases as the channel length decreases. The annealing response of the back transistors after irradiation at room temperature without bias, as characterized by their threshold voltage shifts, indicates that there is a relatively complex annealing mechanism associated with channel length, type, and bias condition during irradiation. In particular, for all of the transistors irradiated with Off-State bias, their back transistors show an abnormal annealing effect during early annealing. All of these results have been discussed and analyzed in detail by the aid of simulation. 展开更多
关键词 soi pmosfet back transistor total dose radiation ANNEALING
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