关于SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET的新型解析模型

对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。

SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n-MOSFET导电机理研究

本文详细研究了SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋n沟 MOSFET的器件结构及导电机理,建立了明确的物理解析模型,给出了各种状态下器件工作电流的解析表达式。最后,将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。

SOI／SDB硅片化学腐蚀自停止减薄方法

本文提出了一种ＳＯＩ／ＳＤＢ硅片化学腐蚀自停止减薄方法，并进行了实验研究，成功地得到了厚度小于１μｍ的硅膜，讨论了存在的问题及今后努力方向。

SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究

对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速度也不同。建立了器件的退化模型,对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析。

SDB-SOI晶片减薄技术综述

阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特点,并指出了SDB-SOI晶片减薄的发展趋势。

甲醛和SDBS对碱降解改性大豆蛋白胶的影响

在碱降解改性大豆蛋白胶黏剂的基础上,选取甲醛和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)对大豆蛋白胶黏剂进行改性。结果表明,甲醛和十二烷基苯磺酸钠的添加均有助于大豆蛋白胶黏剂耐水性能的提高,但改进效果有限,且对胶合板干状强度的影响趋势不明显。制备胶合板时,甲醛和十二烷基苯磺酸钠改性大豆蛋白胶黏剂及碱降解改性大豆蛋白胶黏剂的热压工艺可以一致。

SOI高温压力传感器的研究现状

SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状.

高压高速SOI-LIGBT的研制

采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(SDB)技术研制出580V的阳极短路SOI-LIGBT。

超薄膜SOI技术与深亚微米ULSI的发展

文中介绍了超薄膜SOI SDB技术的发展历程及其主要的四种技术 ,其中SDB技术是今后SOI的主流技术。采用了电化学腐蚀自停止的实验方法 ,对SOI SDB硅片进行减薄后 ,成功地获得了小于 1 μm的SOI SDB工作硅膜。经实验分析 ,可知该超薄膜工作硅片具有高速、低功耗、高集成度、高可靠性等优良性能 ,该薄膜在亚微米VLSI、深亚微米ULSI和集成光学中得到广泛的应用。

抓住机遇发展SOI技术

综述了国内外SOI技术的发展状态,探讨了在我国发展SOI技术所面临的问题和解决途径。

新型温湿敏集成传感器研制

本文介绍了一种新的湿敏薄膜材料Ta_2O_5和一种新的硅衬底材料SOI/SDB的制备技术及它们的特性,给出了包含P-N结温敏元件的FET湿度的传感器结构及其特点.

硅片直接键合过程中的界面控制

本文研究了键合片Si/Si界面SiO_2层与材料、化学处理、键合条件及高温处理的关系,并研究了键合片中Si/SiO_2界面态与工艺的关系。