深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究

提出了一种SOILDMOS大信号等效电路模型,并给出了功率增益和输入阻抗表达式.基于制备的深亚微米SOI射频LDMOS,测试了功率增益和功率附加效率.深入研究了SOILDMOS功率特性与栅长,单指宽度,工作电压和频率之间关系.栅长由0.5μm减到0.35μm时,小信号功率增益增加44%,功率附加效率峰值增加9%.单指宽度由20μm增加到40μm,600μm/0.5μm器件小信号功率增益降低23%,功率附加效率峰值降低9.3%.漏端电压由3V增加到5V,600μm/0.35μm器件小信号功率增益增加13%,功率附加效率峰值增加5.5%.频率由2.5GHz提高到3.0GHz,射频功率SOILDMOS小信号功率增益降低15%,功率附加效率峰值降低4.5%.

一种适合射频功率放大器应用的图形化SOI LDMOSFET新结构(英文)

设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时,截至频率为6GHz.负载牵引测试表明,该器件在1.5GHz时,PAE为50%,输出功率为27dBm,表明该器件适合射频功率放大器的应用.

0.18μm射频SOI LDMOS功率器件的研究

在提出0.18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200μm,栅长为0.7μm,漏的注入区与栅的距离为1.5μm的0.18μm射频SOILDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm1、0 dB和35%。

n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性

提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底的结电容比常规LDMOS和PSOI LDMOS分别降低39.1%和26.5%.1dB压缩点处的输出功率以及功率增益比PSOI LDMOS分别提高62%和11.6%,附加功率效率从34.1%增加到37.3%.该结构器件的耐压比体硅LDMOS提高了14%.

射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物-半导体(SOI LDMOS)电路模型。根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真。该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计。结果表明放大器的增益达到15dB,输出功率达到25dBm,功率附加效率大于40%。

射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较

设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET.该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明,输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应,关态的击穿电压达13V,在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz,直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.

射频功率LDMOS槽形漂移区结构优化设计

对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计.基于射频功率LDMOS的频率特性,提出了矩形、倒三角形和正三角形槽结构,对槽的位置、深度、宽度进行分析,在满足相同的耐压和导通电阻条件下,得出最优结构为正三角形槽结构,该结构实现了最大程度地减小寄生反馈电容的目的,寄生反馈电容减小了24%,LDMOS的截止频率提高了15%.

分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计

为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容,提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件,给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明,所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下,能有效减小LDMOS器件寄生电容,提升器件增益、效率及线性度等射频性能。

新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计

为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容C_(gs)的影响,并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优化设计。结果表明:这种新型结构与传统的射频LDMOS器件结构相比,使得器件的栅源寄生电容最大值降低了15.8%,截止频率提高了7.6%,且器件的阈值电压和击穿电压可以维持不变。

飞思卡尔射频创新文化产生超高效率的高功率LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备最高的排放效率和功率增益。

飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管

飞思卡尔半导体目前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案，覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段。这两款解决方案均采用小巧的封装，却具有优秀的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W，是继广受欢迎的MW6S004N产品（MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器，广泛应用于世累级无线基础设施中）后推出的新一代器件。此外，飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件，其峰值功率为10W。

低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究

基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真,在频率为2.4GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。

面向无线宽带应用的LDMOS射频功率晶体管

这两款LDMOS射频功率晶体管主要面向无线宽带应用，例如在2．5～2．7GHz频段上运行的WiMAX应用。在WiMAX信号条件下，提供16W平均输出功率时，PTFA260851E／F 85W可实现14dB增益（典型值）和22％效率（典型值）。在WiMAX信号条件下，提供32W平均输出功率时，PTFA261 702E 170W可实现15dB增益（典型值）和20％效率（典型值）。

LDMOS射频晶体管满足2.5G和3G蜂窝基站的新挑战

运行在869MHz-2.17GHz频段内的蜂窝无线基站是射频功率晶体管如今最大的市场.其中,基于硅的LDMOS器件被广泛使用于500MHz-2.5GHz之间的射频功率放大器应用当中.作为增强模式的N沟道MOSFET,LDMOS器件(LD代表侧面扩散,描述了器件的沟道结构)专门被设计成为具有高的工作电压(长沟道)和低寄生电容,从而能在高频下工作.在早期的蜂窝无线系统中,其它的功率晶体管技术如基于硅的双极晶体管和GaAsMOSFET在相互竞争.而现在基于硅的LDMOS已经崛起,并将在今后的蜂窝基站应用中取代其他技术成为市场主流.

飞思卡尔推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VPl1KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率．具有同类设备最高的排放效率和功率增益。

大功率LDMOS射频功率晶体管的探索与研究

LDMOS射频功率晶体管具有超耐用、高功率、高效率和高增益等优良的性能。它以空前的功率水平实现高增益,这大大减少了所需的部件数量,与传统设计相比,部件数量大大地减少,部件数量的大幅减少,使主板空间要求和制造复杂性随之降低。这样的效率水平能够大大减少放大器设计的复杂性、增益进阶、部件数量和电路板数量,最终使放大器成本全面降低。

飞思卡尔推出高功率LDMOS射频晶体管MRF6P3300H

飞思卡尔日前推出了超高效的射频功率晶体管MRF6P3300H，这种晶体管能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗，并降低运营成本。

飞思卡尔通过射频功率LDMOS晶体管为广播电视发射器设立了新基准

飞思卡尔半导体宣布推出RF功率LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向UHF广播电视应用而设计。 MRFE6VP8600H与其上一代产品相比输出功率提高39%,其设计在满足ATSC、

飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管

飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品后推出的新一代器件。此外,飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件,其峰值功率为10W。