SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析

利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布 .结果表明 ,上包层 Si O2 厚度的减小 ,有利于开关速度的提高和功耗的减小 .增加埋层 Si O2 的厚度或引入绝缘槽 ,能有效降低器件功耗 ,但开关时间随之增加 .电极的尺寸对开关性能影响较小 .如果采用全体硅材料制作光开关 ,开关速度能达到 5 μs,但功耗将增至 0 .92 W.