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SOI-NMOS场效应晶体管的Kink特性分析
被引量:
1
1
作者
李秀琼
M.Tack
+2 位作者
E.Simoen
C.Claeys
G.Declerck
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期50-56,共7页
本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和...
本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和液氦下观测到的N-MOS场效应晶体管的Kink形状很类似。实验还表明Kink大小是液氮下比室温下大、液氦下比液氮下的大。应用电容效应,低温下载流子“冻结”机制和不同偏压下载流子产生和复合的物理过程分析可以相应地解释不同温度下Kink效应。
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关键词
场效应
晶体管
Kink特性
soi-nmos
下载PDF
职称材料
题名
SOI-NMOS场效应晶体管的Kink特性分析
被引量:
1
1
作者
李秀琼
M.Tack
E.Simoen
C.Claeys
G.Declerck
机构
中国科学院微电子中心
比利时大学微电子中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第2期50-56,共7页
文摘
本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和液氦下观测到的N-MOS场效应晶体管的Kink形状很类似。实验还表明Kink大小是液氮下比室温下大、液氦下比液氮下的大。应用电容效应,低温下载流子“冻结”机制和不同偏压下载流子产生和复合的物理过程分析可以相应地解释不同温度下Kink效应。
关键词
场效应
晶体管
Kink特性
soi-nmos
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI-NMOS场效应晶体管的Kink特性分析
李秀琼
M.Tack
E.Simoen
C.Claeys
G.Declerck
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
1
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职称材料
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