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0.6μm SOI NMOS器件ESD性能分析及应用
1
作者
罗静
胡永强
+2 位作者
周毅
邹巧云
陈嘉鹏
《电子与封装》
2011年第11期33-36,40,共5页
ESD设计是SOI电路设计技术的主要挑战之一,文章介绍了基于部分耗尽0.6μm SOI工艺所制备的常规SOI NMOS器件的ESD性能,以及采用改进方法后的SOI NMOS器件的优良ESD性能。通过采用100ns脉冲宽度的TLP设备对所设计的SOI NMOS器件的ESD性...
ESD设计是SOI电路设计技术的主要挑战之一,文章介绍了基于部分耗尽0.6μm SOI工艺所制备的常规SOI NMOS器件的ESD性能,以及采用改进方法后的SOI NMOS器件的优良ESD性能。通过采用100ns脉冲宽度的TLP设备对所设计的SOI NMOS器件的ESD性能进行分析,结果表明:SOI NMOS器件不适合直接作为主要器件承担SOI电路的ESD保护作用,但通过采用工艺优化、设计结构改进等方法优化后,可以作为SOI输出缓冲器或电源与地之间ESD主要保护器件使用,承担SOI电路ESD保护的重要作用。
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关键词
静电放电
soinmos
GGNMOS
gcNMOS
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职称材料
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究
被引量:
1
2
作者
李燕妃
朱少立
+2 位作者
吴建伟
徐政
洪根深
《电子与封装》
2019年第2期38-41,共4页
通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层...
通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。
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关键词
高压
soinmos
背栅效应
总剂量
抗辐射加固
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职称材料
题名
0.6μm SOI NMOS器件ESD性能分析及应用
1
作者
罗静
胡永强
周毅
邹巧云
陈嘉鹏
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2011年第11期33-36,40,共5页
文摘
ESD设计是SOI电路设计技术的主要挑战之一,文章介绍了基于部分耗尽0.6μm SOI工艺所制备的常规SOI NMOS器件的ESD性能,以及采用改进方法后的SOI NMOS器件的优良ESD性能。通过采用100ns脉冲宽度的TLP设备对所设计的SOI NMOS器件的ESD性能进行分析,结果表明:SOI NMOS器件不适合直接作为主要器件承担SOI电路的ESD保护作用,但通过采用工艺优化、设计结构改进等方法优化后,可以作为SOI输出缓冲器或电源与地之间ESD主要保护器件使用,承担SOI电路ESD保护的重要作用。
关键词
静电放电
soinmos
GGNMOS
gcNMOS
Keywords
ESD
SOI NMOS
ggNMOS
gcNMOS
分类号
TN702 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究
被引量:
1
2
作者
李燕妃
朱少立
吴建伟
徐政
洪根深
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2019年第2期38-41,共4页
文摘
通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。
关键词
高压
soinmos
背栅效应
总剂量
抗辐射加固
Keywords
high-voltage SOI NMOS
back-gate effect
total ion dose
radiation-hardened
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.6μm SOI NMOS器件ESD性能分析及应用
罗静
胡永强
周毅
邹巧云
陈嘉鹏
《电子与封装》
2011
0
下载PDF
职称材料
2
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究
李燕妃
朱少立
吴建伟
徐政
洪根深
《电子与封装》
2019
1
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职称材料
已选择
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