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基于SOIS的在轨可更换模块接口设计 被引量:1
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作者 郑晓霞 嵇景全 《飞行器测控学报》 2012年第S1期55-59,共5页
针对航天器对在轨维修、硬件更换、功能升级等在轨服务的需求迫切性问题,提出了在轨可更换模块的接口设计方法。将SOIS(航天器星载接口业务)协议运用于ORU(在轨可更换模块)接口设计中,借助SOIS对星载软硬件设备进行协同设计,降低ORU的... 针对航天器对在轨维修、硬件更换、功能升级等在轨服务的需求迫切性问题,提出了在轨可更换模块的接口设计方法。将SOIS(航天器星载接口业务)协议运用于ORU(在轨可更换模块)接口设计中,借助SOIS对星载软硬件设备进行协同设计,降低ORU的设计开发成本,提高ORU的适用范围,便于模块更换的实现。基于在轨更换的应用场景,分析了ORU接口的设计需求。在此基础上,给出了ORU体系结构,完成了ORU接口的机、电、热设计。 展开更多
关键词 sois(航天器星载标准接口) ORU(在轨可更换模块) 在轨可更换模块接口 体系结构
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SOIS中时间访问服务的Simulink仿真
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作者 张元昭 宁洪 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2007年第5期1286-1288,共3页
SOIS是关于星上互联协议和软件服务的一种标准,其最外层为用户定义了统一的服务调用接口。时间访问服务是其中最基本的一种。提出了一种对时间访问服务采用Simulink/Stateflow混合建模的方法。
关键词 sois SIMULINK 时间访问服务 仿真
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SOI晶体管和电路的瞬时电离辐射效应研究
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作者 杜川华 段丙皇 +1 位作者 熊涔 曾超 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期66-72,共7页
基于全介质隔离的绝缘硅(Silicon-on-insulator,SOI)器件与体硅器件的瞬时电离辐射效应存在差异,采用1 064 nm/12 ns激光装置开展了三种SOI晶体管的激光辐照试验,测试了不同激光能量下的晶体管光电流;采用脉冲γ射线辐射源开展了SOI集... 基于全介质隔离的绝缘硅(Silicon-on-insulator,SOI)器件与体硅器件的瞬时电离辐射效应存在差异,采用1 064 nm/12 ns激光装置开展了三种SOI晶体管的激光辐照试验,测试了不同激光能量下的晶体管光电流;采用脉冲γ射线辐射源开展了SOI集成电路的瞬时γ剂量率辐射试验,测试了不同剂量率条件下的电路功能、电参数和触发器链状态。研究表明:在相同激光能量条件和相同特征尺寸条件下,SOI晶体管的光电流峰值约为体硅晶体管的3.5%;SOI集成电路在1.0×10^(9)~4.2×10^(11) rad(Si)·s^(-1)的试验剂量率范围内无闭锁效应,但存在显著的翻转效应,表现为功能短暂中断、电流和电压波动以及大量触发器状态错误。翻转效应的主要原因包括晶体管本身的翻转和印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)板级电路的电压波动。 展开更多
关键词 SOI晶体管 微控制器 瞬时电离辐射效应 光电流
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一种注入增强型快速SOI-LIGBT新结构研究
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作者 黄磊 李健根 +2 位作者 陆泽灼 俞齐声 陈文锁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期277-281,共5页
薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Inj... 薄顶层硅SOI(Silicon on Insulator)横向绝缘栅双极型晶体管(Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor, LIGBT)的正向饱和电压较高,引入旨在减小关断态拖尾电流的集电极短路结构后,正向饱和电压进一步增大。提出了一种注入增强型(Injection Enhancement, IE)快速LIGBT新结构器件(F-IE-LIGBT),并对其工作机理进行了理论分析和模拟仿真验证。该新结构F-IE-LIGBT器件整体构建在薄顶层硅SOI衬底材料上,其集电极采用注入增强结构和电势控制结构设计。器件及电路联合模拟仿真说明:新结构F-IE-LIGBT器件在获得较小正向饱和电压的同时,减小了关断拖尾电流,实现了快速关断特性。新结构F-IE-LIGBT器件非常适用于SOI基高压功率集成电路。 展开更多
关键词 SOI 横向绝缘栅双极型晶体管 快速关断 拖尾电流 正向饱和电压
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SOI高压LDMOS器件氧化层抗总电离剂量辐射效应研究
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作者 王永维 黄柯月 +4 位作者 王芳 温恒娟 陈浪涛 周锌 赵永瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期758-766,共9页
绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化... 绝缘体上硅(SOI)高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件是高压集成电路的核心器件,对其进行了总电离剂量(TID)辐射效应研究。利用仿真软件研究了器件栅氧化层、场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷对电场和载流子分布的调制作用,栅氧化层辐射陷阱电荷主要作用于器件沟道区,而场氧化层和埋氧化层辐射陷阱电荷则主要作用于器件漂移区;辐射陷阱电荷在器件内部感生出的镜像电荷改变了器件原有的电场和载流子分布,从而导致器件阈值电压、击穿电压和导通电阻等参数的退化。对80 V SOI高压LDMOS器件进行了总电离剂量辐射实验,结果表明在ON态和OFF态下随着辐射剂量的增加器件性能逐步衰退,当累积辐射剂量为200 krad(Si)时,器件的击穿电压大于80 V,阈值电压漂移为0.3 V,器件抗总电离剂量辐射能力大于200 krad(Si)。 展开更多
关键词 辐射电荷 总电离剂量(TID)辐射效应 绝缘体上硅(SOI) 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 击穿电压 导通电流
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100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
6
作者 王永维 黄柯月 +2 位作者 温恒娟 陈浪涛 周锌 《通讯世界》 2024年第7期1-3,共3页
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟... 基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。 展开更多
关键词 SOI LDMOS 绝缘体上硅 功率器件 击穿电压 阈值电压
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MEMS高温压力传感器耐高温引线结构优化
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作者 刘润鹏 雷程 +1 位作者 梁庭 杜康乐 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期386-391,共6页
绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器可在高温(高于125℃)下工作。通常情况下构成惠斯通电桥的电阻单独处于压力敏感区,以提高其灵敏度,但在其工作期间压力传感器器件区电阻重掺区与金属引线连接处存在一定高度差,在加压加电高温环境下此处... 绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器可在高温(高于125℃)下工作。通常情况下构成惠斯通电桥的电阻单独处于压力敏感区,以提高其灵敏度,但在其工作期间压力传感器器件区电阻重掺区与金属引线连接处存在一定高度差,在加压加电高温环境下此处热应力变大,金属引线因过热而出现金属引线断裂或失效,无法满足高温需求。在此基础上研究了一种硅引线技术,使其与压敏电阻处于同一高度层,金属引线平铺在硅引线上端,经退火后形成良好的欧姆接触。实验测试表明,该方案能使压力传感器在300℃高温环境下正常工作,金属引线与电阻区连接完好,传感器敏感区应力降低接近50%,且优化后传感器灵敏度符合设计要求。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(SOI) 高温压力传感器 器件区电阻 高度差 硅引线
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MEMS正装传感器复合钝化层高温可靠性的研究
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作者 刘润鹏 赵妍琛 +4 位作者 刘东 雷程 梁庭 冀鹏飞 王宇峰 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2024年第6期19-25,共7页
绝缘体上硅(SOI)所制备的压阻式正装压力传感器可在高温下良好工作,但高温环境下电阻条和金属引线长期暴露在环境中易受到氧化和腐蚀,对传感器的输出造成影响,使电学性能发生变化甚至失效,为避免这种情况,通常在表面进行钝化处理。文中... 绝缘体上硅(SOI)所制备的压阻式正装压力传感器可在高温下良好工作,但高温环境下电阻条和金属引线长期暴露在环境中易受到氧化和腐蚀,对传感器的输出造成影响,使电学性能发生变化甚至失效,为避免这种情况,通常在表面进行钝化处理。文中采用SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合钝化层对SOI正装传感器芯片进行钝化,并且对钝化层进行高温老化考核,模拟高温和恶劣环境,验证其高温可靠性。实验结果表明:按照SiO_(2)厚度为200 nm、Si_(3)N_(4)厚度为300 nm的SiO_(2)-Si_(3)N_(4)复合钝化层能在350℃高温下对正装传感器进行有效保护且电学性能完好,满足芯片在高温下可靠性的要求。 展开更多
关键词 绝缘体上硅(SOI) 压阻式正装压力传感器 复合钝化层 高温可靠性
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热老化对不同封装形式SOI基压阻式芯片的影响
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作者 李培仪 刘东 +3 位作者 雷程 梁庭 党伟刚 罗后明 《微纳电子技术》 CAS 2024年第10期170-176,共7页
采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后... 采用热老化的手段提高封装后芯片的输出稳定性及使用寿命,并对热老化温度与老化时间的匹配问题进行了研究。首先介绍了压阻传感器的老化机理,然后在不同温度下对同批次不同封装形式绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片进行老化,并对芯片老化前后数据进行对比。结果表明,300℃加电老化情况下,芯片稳定输出的时间为12h,且老化后芯片的各项指标均有改善。在温度允许范围内,适当的老化温度可以使芯片达到稳定输出状态,提升工作效率的同时为优化SOI基压阻芯片的老化时间提供了参考。 展开更多
关键词 传感器 绝缘体上硅(SOI)基压阻芯片 正装芯片 倒装芯片 老化
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GDI增压汽油发动机机油稀释问题分析及优化
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作者 常雪嵩 张兴法 +2 位作者 于鹏飞 胡佳佳 马京卫 《公路与汽运》 2024年第4期6-10,共5页
目前增压发动机汽车日益增多,缸内直喷(GDI)技术在增强汽车动力性的同时,发动机机油稀释问题增多。文中针对某2.0T增压汽油发动机在试验过程中出现的机油稀释问题,分析机油稀释的形成机制和影响因素,从发动机水温、喷油策略、燃油导轨... 目前增压发动机汽车日益增多,缸内直喷(GDI)技术在增强汽车动力性的同时,发动机机油稀释问题增多。文中针对某2.0T增压汽油发动机在试验过程中出现的机油稀释问题,分析机油稀释的形成机制和影响因素,从发动机水温、喷油策略、燃油导轨压力方面提出优化措施并进行验证。结果表明,发动机水温从88℃提高至98℃、喷油起始时刻(SOI)由95°CA调整为40°CA、燃油导轨压力由13 MPa提高至15 MPa,机油稀释问题得到明显改善。 展开更多
关键词 汽车 增压汽油发动机 机油稀释 缸内直喷(GDI)技术 喷油起始时刻(SOI)
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SDB-SOI制备过程中工艺控制
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作者 刘洋 《电子工业专用设备》 2024年第3期20-23,共4页
SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加... SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加工难度,最终制备出高质量的产品。 展开更多
关键词 硅晶圆 绝缘衬底上硅(SOI) 键合 磨削
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Effects of galactooligosaccharide glycation on the functional properties of soy protein isolate and its application in noodles
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作者 Meiyue Wang Guanhao Bu +3 位作者 Yufei Xing Mengke Ren Yang Wang Yijing Xie 《Grain & Oil Science and Technology》 CAS 2024年第3期159-167,共9页
Soybean protein has high nutritional value, but its functional properties are easily affected by external factors,which limits its application in food industry. In the study, soybean protein isolate(SPI) was modified ... Soybean protein has high nutritional value, but its functional properties are easily affected by external factors,which limits its application in food industry. In the study, soybean protein isolate(SPI) was modified by dry heat glycation of galactooligosaccharides(GOS). The gel properties, antioxidant properties and structural changes of SPI-GOS conjugates were investigated. The application of SPI-GOS conjugates in noodles was also explored. The results observed that the glycation degree of SPI increased with the increasing reaction time. SDS-PAGE and spectral analysis showed the changes of spatial conformation of SPI after glycation. The antioxidant activity of SPI increased after glycation and DPPH radical scavenging activity of SPI-GOS peaked at 48 h of reaction. The hardness, elasticity and resilience of soybean protein gel reached their relative maximum at 48 h, 48 h and 12 h of glycation reaction, respectively. Moreover, the appropriate addition of glycated SPI improved the quality of noodles. The noodles with 4% addition of SPI-GOS had higher hardness, elasticity and tensile properties. This study will provide an effective method to modify soybean protein and expand the use of soybean protein in food industry. 展开更多
关键词 Soy protein isolate Glycation GALACTOOLIGOSACCHARIDE Functional properties NOODLES
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基于MEMS工艺的微热加速度计和微热陀螺仪的制备
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作者 吴嘉琦 赖丽燕 李以贵 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期110-119,共10页
微热加速度计和微热陀螺仪两者传感芯片结构相似,并且制备工艺完全兼容,在同一块绝缘体上硅(SOI)基板上运用同一工艺流程同时制备出了微热陀螺仪传感芯片和微热加速度计传感芯片。为了准确地创建微尺度的图案和结构,设计了四块光刻掩模... 微热加速度计和微热陀螺仪两者传感芯片结构相似,并且制备工艺完全兼容,在同一块绝缘体上硅(SOI)基板上运用同一工艺流程同时制备出了微热陀螺仪传感芯片和微热加速度计传感芯片。为了准确地创建微尺度的图案和结构,设计了四块光刻掩模版来制作该微热加速度计芯片和微热陀螺仪芯片,分别对应于接触孔开口、热敏电阻、互连布线和背面空腔。轻掺杂硅热敏电阻的可控电阻温度系数(TCR)大于传统金属丝,因此选择p型硅作为热敏电阻材料。TCR由硅片的掺杂浓度决定,使用了三种不同掺杂浓度的硅片进行对比实验,从而选定硅片的掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3),对应的TCR为3500×10^(-6)/℃。选择SOI作为衬底材料,显著增强了微热陀螺仪和微热加速度计的耐高温性,并且提高了其灵敏度。在电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)和氢氟酸(HF)蒸气工艺过程中,通过光刻胶和聚酰亚胺层成功保护了非常薄和易碎的热敏电阻,在4英寸(1英寸=2.54 cm)SOI基板上一次最多可以成功制备出180个微热陀螺仪传感芯片和108个微热加速度计传感芯片,制备的微热加速度计传感芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.4 mm,微热陀螺仪传感芯片尺寸为5.8 mm×5.8 mm×0.4 mm。分别对制备的微热加速度计和微热陀螺仪进行了测试,微热陀螺仪x轴灵敏度为0.107 mV/(°/s),y轴灵敏度为0.102 mV/(°/s),微热加速度计灵敏度为13 mV/g。通过一次工艺流程制备出两种热流体惯性传感器,极大地缩短了制备时间,降低了制备成本,成功实现了高精度的批量生产。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 微热加速度计 微热陀螺仪 绝缘体上硅(SOI)基板 热对流
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基于45 nm SOI CMOS的56 Gbit/s PAM-4光接收机前端设计
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作者 张文嘉 林福江 《微电子学与计算机》 2024年第1期106-112,共7页
在光接收电路设计中,光电二极管的寄生电容以及大的输入电阻会导致接收机带宽下降,造成严重的符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)。噪声性能是高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)最重要的指标之一,跨阻值决定系统的... 在光接收电路设计中,光电二极管的寄生电容以及大的输入电阻会导致接收机带宽下降,造成严重的符号间干扰(Inter-Symbol Interference,ISI)。噪声性能是高速跨阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA)最重要的指标之一,跨阻值决定系统的噪声性能,同时也限制了数据速率。针对100G/400G互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)光接收机应用,基于45 nm绝缘衬底上的硅(Silicon-On-Insulator,SOI)工艺设计了一种采用四电平脉冲幅度调制(4-level Pulse Amplitude Modulation,PAM-4)、工作速率为56 Gbit/s(28 Gbaud/s)的低噪声光接收机前端放大器。小带宽TIA和用于带宽拓展的跨导/跨导(g_(m)/g_(m))放大器组成两级接收前端,在改善噪声性能的同时有效提高了带宽。采用反相器结构来增大先进CMOS工艺下的跨导和改善线性度。可变增益放大器(Variable Gain Amplifier,VGA)采用折叠Gilbert结构设计,采用并联峰化电感来提高带宽。整体电路的增益动态范围为51.6~70.6 dB,-3 dB带宽达到20.1 GHz;等效输入噪声电流密度为17.3 pA=Hz^(12);电路采用GF 45 nm SOI CMOS工艺实现,在1.1 V和1.3 V电源电压下功耗为65 mW;版图核心面积为600μm*240μm。 展开更多
关键词 PAM-4 光接收机前端 跨阻放大器 可变增益放大器 45 nm SOI CMOS
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Exploring Effective Ways of Green Printing to Reduce Harmful Volatile Organic Compounds Emissions
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作者 Yizhe Li Yao Wang 《Proceedings of Business and Economic Studies》 2024年第1期199-203,共5页
This paper delves into the transformative shift in the printing industry from traditional petroleum-based inks to sustainable alternatives,focusing on soy ink.Initially,it examines the environmental and health hazards... This paper delves into the transformative shift in the printing industry from traditional petroleum-based inks to sustainable alternatives,focusing on soy ink.Initially,it examines the environmental and health hazards associated with conventional printing,highlighting the detrimental impact of volatile organic compounds(VOCs)and toxic substances in inks.The emergence of soy ink as an eco-friendly solution is then explored.Derived from soybeans,soy ink significantly reduces the release of harmful VOCs and enhances the recyclability of printed materials.The paper discusses not only the environmental benefits of soy ink but also its operational and economic advantages,such as improved deinking capabilities and waste reduction.A notable development in soy ink technology is the use of soy methyl ester,which addresses the challenges of slow drying and penetration associated with traditional inks.The paper concludes by emphasizing the need for continued innovation in sustainable practices within the printing industry,positioning soy ink as a key player in aligning economic goals with environmental responsibility.The shift to soy-based inks exemplifies a broader trend towards sustainability,pivotal for the future health of the planet. 展开更多
关键词 Soy ink Sustainable printing Environmental impact Soy methyl ester Green innovation
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薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究
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作者 纪旭明 邵红 +3 位作者 李金航 顾祥 张庆东 谢儒彬 《中国集成电路》 2024年第6期72-74,81,共4页
为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SO... 为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SOI功率集成工艺的发展提供了相关解决方法。 展开更多
关键词 PD SOI LDMOS 浮体效应 击穿电压 功率集成
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一种新型高抗辐照可配置SOI器件技术
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作者 叶甜春 李博 +3 位作者 刘凡宇 李多力 李彬鸿 陈思远 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期2241-2253,共13页
本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基... 本文介绍了一种新型的高抗辐照可配置SOI(configurable-SOI,CSOI)器件技术。CSOI器件在制备完成后,可以通过改变配置层电压,实现对总剂量辐照引起的性能退化进行补偿、对单粒子引起寄生晶体管放大进行抑制,从而提升器件的抗辐照性能。基于CSOI工艺,研制出了高抗辐照4kb SRAM验证芯片。辐照实验证实,该芯片的抗总剂量水平达到6 Mrad(Si)、单粒子翻转阈值大于118(MeV·cm^(2))/mg,达到国际先进水平,有望应用于深空探测、核应急等极端领域。 展开更多
关键词 可配置SOI 抗辐照 总剂量效应 单粒子效应
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UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制技术
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作者 李曼 张淳棠 +3 位作者 刘安琪 姚佳飞 张珺 郭宇锋 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期392-400,共9页
随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小,MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制;然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了... 随着栅极长度、硅膜厚度以及埋氧层厚度的减小,MOS器件短沟道效应变得越来越严峻。本文首先给出了决定全耗尽绝缘体上硅短沟道效应的三种机制;然后从接地层、埋层工程、沟道工程、源漏工程、侧墙工程和栅工程等六种工程技术方面讨论了为抑制短沟道效应而引入的不同UTBB SOI MOSFETs结构,分析了这些结构能够有效抑制短沟道效应(如漏致势垒降低、亚阈值摆幅、关态泄露电流、开态电流等)的机理;而后基于这六种技术,对近年来在UTBB SOI MOSFETs短沟道效应抑制方面所做的工作进行了总结;最后对未来技术的发展进行了展望。 展开更多
关键词 UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应 漏致势垒降低 埋氧层厚度
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一种振动测量用电容式硅基MEMS加速度计 被引量:3
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作者 王宁 杨拥军 +1 位作者 任臣 温彦志 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第1期108-115,共8页
为了解决目前微电子机械系统(MEMS)加速度计在振动测量领域量程小和振动测量精度低等问题,基于绝缘体上硅(SOI)加工工艺,设计并制作了一款梳齿电容式MEMS加速度计。通过提高工作模态频率和干扰模态频差,提升了加速度计振动环境适应性;... 为了解决目前微电子机械系统(MEMS)加速度计在振动测量领域量程小和振动测量精度低等问题,基于绝缘体上硅(SOI)加工工艺,设计并制作了一款梳齿电容式MEMS加速度计。通过提高工作模态频率和干扰模态频差,提升了加速度计振动环境适应性;加速度计量程达到±50g,非线性度0.2%,横向灵敏度0.17%,分辨率优于0.5mg,体积9 mm×9 mm×2.7 mm,功率损耗30 mW。针对随机振动环境对加速度计的输出精度进行了实验验证,结果表明,MEMS加速度计与标准传感器的输出误差为2.69%,能够满足大部分工程应用需求。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 加速度计 绝缘体上硅(SOI) 振动测量 高精度
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Effect of ionic strength and mixing ratio on complex coacervation of soy protein isolate/Flammulina velutipes polysaccharide 被引量:4
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作者 Junmiao Zhang Hengjun Du +5 位作者 Ning Ma Lei Zhong Gaoxing Ma Fei Pei Hui Chen Qiuhui Hu 《Food Science and Human Wellness》 SCIE CSCD 2023年第1期183-191,共9页
Soy protein isolate(SPI)is a commercial protein with balanced amino acids,while the poor solubility impedes its use in traditional foods.To overcome the problem,the complex coacervation of SPI/Flammulina velutipes pol... Soy protein isolate(SPI)is a commercial protein with balanced amino acids,while the poor solubility impedes its use in traditional foods.To overcome the problem,the complex coacervation of SPI/Flammulina velutipes polysaccharide(FVP)were investigated.Initial results revealed that the suitable amounts of FVP contributed to reducing the turbidity of SPI solution.Under electrostatic interaction,the formation of SPI/FVP coacervates were spontaneous and went through a nucleation and growth process.Low salt concentration(C_(NaCl)=10,50 mmol/L)led to an increase in the critical pH values(pHc,pHφ1)while the critical pH values decreased when C_(NaCl)≥100 mmol/L.The concentration of NaCl ions increased the content ofα-helix.With the increase of FVP,the critical pH values decreased and the content ofβ-sheet increased through electrostatic interaction.At SPI/FVP ratio of 10:1 and 15:1,the complex coacervation of SPI/FVP were saturated,and the coacervates had the same storage modulus value.SPI/FVP coacervates exhibited solid-like properties and presented the strongest storage modulus at C_(NaCl)=50 mmol/L.The optimal pH,SPI/FVP ratio and NaCl concentration of complex coacervation were collected,and the coacervates demonstrated a valuable application potential to protect and deliver bioactives and food ingredients. 展开更多
关键词 Soy protein isolate Flammulina velutipes polysaccharide Electrostatic interaction Complex coavervation Storage modulus
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