Soitec与ASM制造成功300mm直径应变绝缘硅晶圆

Soitec SA公司日前宣布，已与ASM国际制造出300mm直径的应变绝缘硅(sSOI）晶圆。两家公司还宣布拓展双方的合作关系，进一步提升制造效率并开发sSOI产品．sSOI品圆应变值为1．5gigapascal(GPa)，晶圆同质度为±7％，创记录的应变对应的硅品格变形度为近1％。应变硅层厚度为200埃，

SOITEC携领SOI技术进军中国市场

Soitec公司宣布，在整个行业，使用全世界绝缘硅（Silicon on Insulator，简称SOI）的设计和制造蓬勃发展，为中国爆炸性增长的芯片制造业，创造了把SOI技术纳入它的发展蓝图的理想条件。

Soitec优化衬底助力5G和AI发展

近日,法国Soitec半导体公司在京举行媒体会议,公布了针对中国市场的重大战略调整计划,宣布在中国开启销售渠道,其中中国团队包括销售与技术工程师,将直接面向中国本土客户以提供支持。会上,Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk博士.

Soitec提供SOI晶圆，支持Sematech进行MuGFET研究

Soitec SA日前表示，该公司正在为Sematech旗下先进技术开发设施(ATDF)的研究课题提供绝缘硅(SOI)衬底，用于开发多门场效应晶体管(MuGFET)。

Soitec宣布收购EpiGaN nv 氮化镓(GaN)现已加入豪华产品组合

作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司宣布,已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议,以3,000万欧元现金收购EpiGaN公司。同时,这一协议还将根据盈利能力支付计划支付额外的奖金。

AMI和Soitec联合开发绝缘体上Ge晶片

应用材料公司(AMI)与Soitec公司签订了一份战略协议,联合开发先进的绝缘体上锗(Ge)工艺以及有关的关键Ge基工艺,意在提高45nm以上的晶体管性能。他们将把 Soitec公司的灵巧切割技术及所设计的衬底技术同应用材料公司外延设备的先进外延淀积技术整合在一些。这项专门技术就是淀积Ge外延膜,从100%的锗膜到实际上的任意Ge/Si组合,用以开发Ge外延膜,进而制造绝缘体上锗晶片。

Soitec针对平面和三维晶体管的全耗尽技术提出产品发展蓝图

Soitec公司应行业向全耗尽（FD）过渡的需求,提供了一种能够以低风险的方式更早过渡到先进节点的方法。日前,Soitec发布了专为开发平面和三维晶体管（FinFET）而设计的全耗尽（FD）硅技术的产品发展蓝图，独特的FD技术能够解决半导体行业当前所面临的挑战：加速开发时间和更低成本、更高性能与更低功耗的需要。