SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响

该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。

金刚石薄膜中SP^2／SP^3键价比拉曼光谱分析

金刚石薄膜中ＳＰ￣２／ＳＰ￣３键价比拉曼光谱分析张兵临Ｈ，Ｍ．Ｐｈｉｌｌｌｉｐｓ（郑州大学物理系郑州４５００５２）ＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＳＰ￣２／ ＳＰ￣２／ＳＰ￣３ＢｏｎｄｉｎｇＲａｔｉｏｉｎＤｉａｍｏｎｄＴｈｉｎＦｉｌｍｓｂｙＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒ...

草酰胺导向下钯催化的C(sp^2)—H和C(sp^3)—H键的直接酰氧基化反应

成功地发展了一种草酰胺导向的钯催化的过氧化苯甲酸叔丁酯为氧化剂的C(sp^2)—H和C(sp^3)—H键的酰氧基化反应.草酰胺基保护的苄胺用过氧化苯甲酸叔丁酯或羧酸为酰氧基化剂可以选择性地进行C(sp^2)—H键的酰氧基化,而草酰氨基保护的2-烷基苯胺则可以进行苄基位C(sp^3)—H键的酰氧基化反应.该方法为芳香酸酯类化合物的合成提供了一种方便、有效的方法.

钌催化下吡唑基导向的1-苄基-1H-吡唑的C(sp^2)-H键烯基化和烷基化反应

发展了一种吡唑基导向的钌催化的1-苄基-1H-吡唑与烯烃或a,β-不饱和酮的C(sp^2)-H键烯基化和烷基化反应.该反应具有较好的选择性,烯基化和烷基化选择性地发生在苄基的邻位.为1-苄基-1H-吡唑的官能团化提供了一种有效方法.

无过渡金属体系下C(sp^2)—H键的自由基反应构建C—N键研究进展

C—N键广泛存在于药物分子、天然产物及功能材料中,开发简洁高效的C—N键构建方法具有重要意义.近年来,无过渡金属体系下C(sp^2)—H键的自由基反应构建C—N键取得了诸多进展.该方法反应条件相对温和,反应活性较高,为C—N键构建提供了一条新途径.根据氮源类型的不同,对近年来C(sp^2)—H键的自由基反应构建C—N键的研究进展进行简要论述.

钯催化噻唑定位基导向的单选择性C(sp^2)—H键碘化反应（英文）

发展了一种钯催化, 4-芳基噻唑化合物邻位C(sp^2)-H键碘化的反应体系.通过定位基筛选以及反应条件优化得到最高效的单选择性邻位碘化反应条件,并应用于一系列含不同取代基的4-(2-碘代芳基)噻唑的合成中.该催化体系呈现出良好的底物适应性.通过简单的后续衍生化即可将碘化产物转化为多种基团取代产物,为该方法学研究提供了更高的应用价值.通过氘代动力学研究以及自由基抑制实验,提出了合理的催化循环机理.

钯催化全取代吡唑导向的C(sp^2)—H键后期芳基化反应

发展了一种钯催化全取代吡唑类化合物的邻位C(sp2)—H键后期芳基化的反应体系.通过对反应条件的优化,得到了最高效的芳基化反应条件.该催化体系表现出广泛的底物适用性、良好的官能团耐受性以及优良的分离收率.进行了控制实验,如分子间的竞争实验和放大克级实验,氘代动力学实验证明了C—H键的断裂是决速步骤.最后,通过制备双核二聚体环钯化中间体,提出了合理的钯催化循环反应机理.

烯烃参与的还原Heck反应构建C(sp^(2))-C(sp^(3))键研究进展

过渡金属催化的C(sp^(2))-C(sp^(3))交叉偶联在有机合成中具有重要意义,可用于合成复杂天然产物和药物分子.近年来,还原Heck反应已发展成为构筑C(sp^(2))-C(sp^(3))键的简洁、高效方法之一.根据参与反应的氢供体类型不同,综述了近十年来烯烃参与还原Heck反应的研究进展.对其作用机理进行了阐述,并对该领域的未来发展进行了展望.

高功率准分子激光沉积类金刚石膜的热稳定性

在不同温度下 ( 2 0 0～ 80 0℃ )将高功率准分子激光溅射方法沉积的类金刚石膜进行退火实验 .利用 Raman和 XPS光谱分析类金刚石膜在退火过程中的化学键合结构变化 .结果表明 ,类金刚石膜是由少量的 sp2 C键和大量的 sp3C键组成的非晶态碳膜 .在退火温度小于60 0℃范围内 ,类金刚石膜的热稳定性较好 ;退火温度高于 60 0℃时 ,类金刚石膜中的 sp3C键逐渐向 sp2 C键转变 ,当退火温度升到 80 0℃时 ,类金刚石膜中 sp3C键含量由退火前的大约 70 %下降到 40 % .可见 ,高温退火能导致类金刚石膜的石墨化趋势 .

镍催化还原交叉偶联反应合成苯丙氨酸类衍生物

发展了一种镍催化丝氨酸磺酸酯与芳基溴远程还原交叉偶联反应,有效地合成了一系列新颖的β-芳基丝氨酸甲酯衍生物。使用简单易得,结构稳定的丝氨酸磺酸酯作为偶联体,在NiBr_(2)(dme)/4,4′-二甲基-2,2′-联吡啶/Zn催化体系存在下,反应经过OMs与Br交换,C—Br键切断形成C(sp^(3))—自由基,分子内原位进攻远端芳环而去芳香化形成螺环,C(sp^(2))—C(sp^(3))键的断裂等过程,从而实现1,4-芳基基团迁移。在另一侧催化循环中,上述过程产生的α-氮烷基自由基与低价镍和芳基溴生成的Ar—Ni^(Ⅱ)LBr络合物加合形成Ni(Ⅲ)物种,最后镍物种还原消除实现第二个C(sp^(2))—C(sp^(3))键的构建。该偶联方法以简单易得,结构稳定的丝氨酸磺酸酯作为偶联体,“一步”反应形成两个新的C—C键,且反应条件温和,具有优异的区域选择性和立体选择性。