期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于0.5m GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块
被引量:
1
1
作者
赵鹏
许正荣
+1 位作者
李晓鹏
钱峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期377-382,共6页
描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作。模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度。模块实现指标:GSM发射通...
描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作。模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度。模块实现指标:GSM发射通路插入损耗不大于1.25 dB,其余各通路插损不大于1.35 dB;GSM收发通路间隔离度不小于43 dB,与UMTS通路间隔离度不小于40 dB;GSM两个发射通路二次谐波抑制比分别大于66dBc和54 dBc。
展开更多
关键词
单刀十掷射频开关
插入损耗
隔离度
功率容限
谐波抑制度
低通滤波器
升压驱动电路
下载PDF
职称材料
题名
基于0.5m GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块
被引量:
1
1
作者
赵鹏
许正荣
李晓鹏
钱峰
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期377-382,共6页
文摘
描述了采用0.5μm GaAs PHEMT工艺进行单刀十掷射频开关模块的设计工作。模块核心部件为SP10T射频天线开关芯片,内置了用于GSM系统的两条发射通路的谐波抑制低通滤波器,和用于开关控制的驱动电路,改善了线性度。模块实现指标:GSM发射通路插入损耗不大于1.25 dB,其余各通路插损不大于1.35 dB;GSM收发通路间隔离度不小于43 dB,与UMTS通路间隔离度不小于40 dB;GSM两个发射通路二次谐波抑制比分别大于66dBc和54 dBc。
关键词
单刀十掷射频开关
插入损耗
隔离度
功率容限
谐波抑制度
低通滤波器
升压驱动电路
Keywords
sp10t rf switch
insertion loss
isolation
power capacity
harmonic suppression
low-pass filter
DC-DC boost
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN713.4 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于0.5m GaAs PHEMT工艺的单刀十掷射频开关模块
赵鹏
许正荣
李晓鹏
钱峰
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部