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题名一种新型RF MEMS单刀双掷开关的设计与仿真
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作者
苟元潇
吴群
靳炉魁
陈鹏
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机构
哈尔滨工业大学电子与信息工程学院
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2010年第S1期345-348,共4页
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文摘
本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RFMEMS单刀双掷开关,利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明:驱动电压为22V,开关时间为22μs,在中心频率30GHz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB,回波损耗为43dB,隔离度为29dB;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB,回波损耗为19dB,隔离度为28dB,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。。
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关键词
RFMEMS
单刀双掷开关
单驱动电压
插入损耗
回波损耗
隔离度
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Keywords
RF MEMS
sp2t switch
single actuation voltage
insert loss
return loss
isolation
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分类号
TM564
[电气工程—电器]
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