手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术

对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。

三毫米鳍线PIN管SPDT开关

鳍线是适合于集成化电路的传输介质,鳍线PIN管开关具有结构简单、体积小、机械加工精度要求不高、可靠性高、成本低等优点,且易于和其他集成电路连接构成集成化子系统。用鳍线作为基本传输线与梁式引线二极管构成三毫米波段的鳍线PIN管SPDT开关。PIN管与鳍线采用并联型结构,其原理如图1所示。鳍线基片夹在波导架中,基片介质采用RT/DUROID 5880,梁式引线PIN管横跨槽缝焊接于两鳍上,PIN管在2。

宽带小型化高隔离度SPDT开关的研制

微波开关是微波控制电路中的基本部件，是实现在各种恶劣环境和特定的空间内将微波信号进行切换的特定功能元件，它在雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。在此通过合理的电路布局和结构设计，结合微组装工艺，实现了在3～12GHz范围内，插入损耗小于3．2dB，隔离度大于70dB，整体尺寸小于20mm×15mm×10mm的一种宽带小型化SPDT开关。

一种低插损高隔离度毫米波SPDT开关

基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作于28 GHz的对称型单刀双掷(SPDT)开关。采用串并联拓扑结构实现高隔离度,通过MOS管与电感器构成的开关电感进行LC阻抗匹配,从而实现了低插入损耗和较小芯片面积。开关管采用悬浮衬底设计,减小了插入损耗,提高了线性度。仿真结果表明,该SPDT开关在工作频率下,插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于30 dB,输入输出回波损耗小于-20 dB,输入1 dB压缩点为12 dBm。芯片尺寸为240μm×180μm。

基于微组装工艺SPDT开关研究与设计

随着通信技术的发展,要求通信设备向小型化发展,而微组装工艺技术是目前设备小型化的重要手段。本文详细设计了基于微组装的SPDT开关,利用HFSS和ADS仿真工具对SPDT开关进行优化仿真,仿真结果较好,插损小于0.15 dB,隔离度大于49 dB。从理论上验证了基于微组装SPDT开关设计方法的正确性,具有一定指导意义。

Diodes推出具有低Ron特性的模拟SPDT开关

Diodes公司推出单刀双掷模拟开关产品74LVC1G3157，设计用于数字或模拟信号的多路复用。这款开关解决方案的低导通电阻能够在音频信号路由时确保高完整性。

NEC公司1.5W GaAs MMIC SPDT开关

NEC的UPG2179TB SPDT GaAs MMIC开关提供在0．5GHz～3GHz的宽频带内的高隔离、低插入损耗性能、理想的线性度，而且靠2．5V～5．3V工作。P1 dB为+32 dBm(典型值)(2GHz)，3V隔离度为27dB(典型值)(2GHz)，3阶截获点为+60 dBm(3V)。该UPG21769TB的设计用于频率高达3GHz的蜂窝和无绳电话等手持装置、802、11b／g、

HMC849LP4CE:适合蜂窝和LTE/4G的SPDT开关

Hittite公司推出SPDT开关HMC849LP4CE，HMC849LP4CE GaAs pHEMT SPDT MMIC开关非常适用于蜂窝，LTE／4G基础设施，提供高达60dB的隔离和52dBm输入IP3，插入损耗低至0．8dB。该器件在5—6GHz WiMAX频段提供32dBm的P1dB压缩点。

用于3D快门式眼镜的新款SPDT开关

3D快门式眼镜进行优化的新款小尺寸三端SPDT（三端2：1）开关——DG9454。在2．7～13．2V的V＋和2．5～＋5．5V的VL工作电压范围内，DG9454可确保与1．8V逻辑兼容，且功耗不到1μA，能够大大延长电池寿命。

MACOM推出全新宽带高速SPDT开关

MACOM推出其享誉业界的高性能射频开关组合中的最新产品。全新基于砷化镓的SPDTMASW系列开关经过优化，具有同类最佳的高速开关功能和宽带频率覆盖范围，适用于卫星通信、5G无线、测试和测量（T＆M）、电子战和微波无线电应用。

德州仪器推出适用于便携应用的新型低功耗双SPDT模拟开关

日前,德州仪器(TI)宣布推出新型低功耗双单刀双掷(SPDT)模拟开关 TS5A23157。该器件针对1.65 V～5.5 V Vcc 之间的工作条件进行了精心设计,不仅能够提供低功耗与高速率,而且能够保持出色的信号完整性,因而是模拟信号路由、信号闸控以及数字信号多路复用与多路解复用等应用的理想选择。该器件功耗低(5.5 V

一种新颖的鳍线单刀双掷开关

介绍一种只需要一个偏置控制端口 ,采用正负脉冲驱动的 T形结鳍线单刀双掷开关的设计方法 .在电路中采取改进措施 ,提高了隔离度、降低了插入损耗 .测量结果表明 ,开关在 Ka频段内 ,插入损耗≤ 1.5 d B,隔离度≥30 d B;在 W频段内 ,插入损耗≤ 2 d B,隔离度≥ 2 5 d

基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片

基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、衰减和放大等电路拓扑结构,以获得良好的幅相特性;采用紧凑布局、双通道对称的版图设计,以实现小尺寸和高性能。测试结果表明,+5 V电压下,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩点输出功率大于8 dBm;发射通道增益大于1 dB,1 dB压缩点输出功率大于2 dBm;64态移相均方根误差小于2.5°,16态衰减均方根误差小于0.3 dB,芯片尺寸为3.90 mm×2.25 mm。该多功能芯片可实现对射频信号幅度和相位的高精度控制,可广泛应用于微波收发模块。

GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路

利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC^10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC^10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.

Si基超薄势垒InAlN/GaN HEMT开关器件小信号模型

为了更好地表征Si基超薄InAlN/GaN HEMT开关器件的特性和开发更精确的开关电路模型,基于0.25μm HEMT工艺制备了不同栅极电阻的开关器件,提出了附加10 kΩ栅极电阻的器件结构,并对开关器件进行了小信号模型分析。采用传统的去嵌结构提取了开关器件的寄生电容、电感和电阻参数来得到相应的本征参数。采用误差因子评估模型的准确度,结果表明模型拟合和实测的S参数基本吻合。最后将模型应用在Ku波段单刀双掷(SPDT)开关电路的设计中,实测的开启状态下该电路的插入损耗小于2.28 dB,输入回波损耗大于10 dB,输出回波损耗大于12 dB;关断状态下其隔离度大于36.54 dB。所提出的Si基InAlN/GaN HEMT模型可以为Si基HEMT的电路设计和集成提供一定的理论指导。

25~40GHz非对称单刀双掷开关的设计与实现

针对Ka波段单片收发(T/R)集成电路对发射大功率和高隔离度的需求,分析了传统单刀双掷(SPDT)开关中并联、串联晶体管尺寸对插入损耗、隔离度和线性度的影响,设计了一款非对称的毫米波单刀双掷开关,通过去除发射通道上的并联支路,提高发射通道的1 dB压缩点输出功率。同时,通过串联和并联电感与晶体管寄生电容并联谐振的方式,提高发射和接收通道的隔离度。该开关采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺实现,测试结果表明,在25~40 GHz频率范围内,接收模式下,插入损耗S31小于4 dB,回波损耗S11和S33分别小于-10.8 dB和-11.8 dB;发射模式下,插入损耗S21小于1.8 dB,1 dB压缩点输出功率大于18.2 dBm,隔离度S32大于19 dB,回波损耗S11和S22分别小于-14.6 dB和-15.9 dB。该Ka波段非对称单刀双掷开关芯片的核心面积仅0.21 mm2。

基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计

基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC^26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装无源元器件和GaAs PHEMT开关建模的概念,利用建模软件提取了相应的模型;对倒装单刀双掷开关MMIC的设计进行了详细阐述;对制备的倒装单刀双掷开关MMIC进行测试。测试结果表明,回波损耗大于15 d B,插损小于2.8 d B,隔离度大于28 d B。最后对芯片进行温度循环试验和恒定加速度试验,验证了这款基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC的可靠性。