基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。

基于程控SP_2开关直通的计算机系统

在用SP2开关进行结点间互连的大规模并行处理系统中，引入可程控的结点间直通通信概念，相对于存储转发、虚拟旁通、蛀孔寻径和线路交换，系统性能均有进一步提高。文中对基于程控SP2开关直通的计算机系统之加速比、效率、延迟时间和使用频带等系统性能参数进行了研究。结果表明，在大规模并行处理系统中，程控SP2开关直通是极具吸引力的结点间通信技术。

8kW高功率单刀四掷射频开关

介绍了pin二极管的工作原理,分析了大功率射频(RF)开关的主要参数及对应的设计方法,阐述了大功率射频开关设计过程中反向偏置电压的设计方法及安全性设计的考虑。运用ADS电路仿真软件对射频开关电路进行了仿真和优化,利用pin二极管的特性成功研制出了一款VHF波段8kW高功率单刀四掷(SP4T)射频开关。研制出的SP4T开关控制电平为0^-1000V的差分信号,可承受峰值功率大于8kW,平均功率大于1.5kW,当脉宽为60μs、占空比为25%时,插入损耗小于0.3dB,输入驻波比小于1.3∶1,开关隔离度大于55dB,转换时间小于50μs。

一种高性能X波段GaAs开关滤波器芯片

基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱动器和带通滤波器,实现了开关滤波功能。输入和输出SP4T开关结构相同,各支路都采用串-并联混合形式实现。驱动器集成在片内,由一位低电平(0~0.4 V)或高电平(3.3~5.5 V)信号控制SP4T开关中某一支路的导通或关断。带通滤波器采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属(MIM)电容,减小滤波器尺寸的同时拓宽了其阻带带宽。该开关滤波器芯片频率覆盖9.85~12.4 GHz,尺寸为4.5 mm×4.5 mm×0.15 mm。探针在片测试结果表明,开关滤波器芯片4个支路的中心插入损耗均小于6.2 dB,通带内回波损耗优于17 dB,典型的带外衰减大于40 dB。

2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC

基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择,采用三串两并结构,提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现,最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计,具有通带插入损耗小,阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器,实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示,该开关滤波器组芯片在2~6 GHz频率范围内,每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点,可应用于宽带雷达系统进行频率预选。

单刀六掷机电同轴机械开关寿命提升试验研究

本论文设计了一种工作在DC～26. 5GHz的单刀六掷射频同轴机械开关。测试结果表明,在整个工作频带内,开关的驻波比小于1. 32,传输损耗小于0. 45dB。此前的设计结果显示,开关寿命只有100万次。为了提高开关的寿命,搭建了开关可靠性及寿命自动测试系统,能够实时监测并记录开关的运行状态。通过测试数据,发现开关的故障原因,并对开关进行优化设计,最终使得单刀六掷射频同轴开关的寿命从100万次提高到500万次以上。

带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计

设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。

单刀六掷机电同轴机械开关寿命提升研究

本文介绍了一种工作在DC~26.5GHz的单刀六掷射频同轴机械开关。在已有的调查数据中,当处于工作频带时,开关的驻波比小于1.32,传输损耗小于0.45dB。根据多组样品数据对比,正常情况下开关的寿命为100万次。为了明确是哪些因素影响了开关的使用寿命,研究人员设置了一套能够根据开关使用情况进行记录的系统型,支持通过实时监测功能,通过对不同数据进行分类识别,将可能影响开关使用寿命的因素全部列举出来。再依照影响因素的分布占比,对开关结构进行专项优化,实现机械开关寿命的延长。

微波站设备维护中的几个关注点

本文根据我站机房设备维护中遇到的实际技术问题，提出了几个注意事项、理论根据及解决办法，确保安全优质播出。

WCDMA_ GSM七频段手机射频前端的简化设计

通过分析使用SP9T天线开关实现WCDMA- GSM双模七频段的典型手机射频电路,提出了一种采用SP4T天线开关的简化设计方案。该设计在保证性能的前提下,极大地降低了成本和器件面积。测试结果表明,该方案各项射频指标,包括发射功率、灵敏度、PVT、频率误差、相位误差、调制频谱和开关频谱等,全部符合3GPP的通信标准,完全能够实现WCDMA和GSM两种移动通信制式的7个频段的通信能力。该方案已成功应用于实际的手机产品当中。

主变压器风冷控制系统关键回路稳定性优化

广东云浮发电厂#5、#6机组220 kV主变压器原主变风冷控制系统采用10个SPS多功能保护开关控制主变本体风机及油泵运行,由于SPS多功能器为电子产品,又安装在户外,运行环境恶劣,导致设备经常出错、发生故障,并且维护成本相当高,为此,技术人员通过设计出满足主变运行需要的风冷系统控制回路,替换SPS多功能保护开关,全面优化主变压器风冷控制系统,使系统稳定性得到大幅提高。

新型单刀四掷通道功率合成发射机

给出一种新型的通道功率合成式单刀四掷开关型(SP4T)发射机,利用两级通道功率合成技术,通过小功率开关的控制,使得高功率射频信号可以在四个方向中的任意一个方向带载切换。这种新型发射机具备带载热切换能力,使得发射机具备传统发射机所没有的高功率高速切换和高可靠性特点。

开关电源的电磁兼容性及抗电磁干扰设计

开关电源工作在复杂的电磁场环境中，如内部的功率器件、设备或器件之间的连接线、外部电网等都会对开关电源产生电磁干扰；同时，开关电源电路产生的谐波和辐射也会对其它设备和电网供电造成干扰，所以，对开关电源要限制由负载线、电源线产生的传导干扰、由辐射传播的电磁场干扰，使存在于同一电磁环境中的设备都可以正常工作，互不产生影响。开关电源的抗电磁干扰措施，一般是采用滤波、屏蔽、接地等技术，使开关电源的电磁干扰状况控制在其标准规定的范围之内。

设计开关电源的PCB时对电流环路的考虑

在设计开关电源使用的印制电路板（PCB）时，电流环路是其最重要的一个方面。拙劣的设计可以导致未来使用中的电磁干扰（EMI）问题以及电源工作的失灵。本文分析了PCB中的隐蔽天线并给出了小的环形天线的等效电路模型。此外，文章还给出了用于开关电源Buck变换器功率级用PCB线路图的设计实例。