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由表面光生电压实验确定α-Si:H中费米能级附近的隙态密度
1
作者
林鸿生
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期236-240,共5页
采用表面光生电压(简称SPV)方法来确定非晶硅材料中少数载流子扩散长度已有多年。在SPV实验中,首先要在待测样品表面上建立表面势垒,这可从样品表面天然的带电氧化层获得或人工在样品表面上沉积一层半透明金属膜或滴上一滴离子性氧化-...
采用表面光生电压(简称SPV)方法来确定非晶硅材料中少数载流子扩散长度已有多年。在SPV实验中,首先要在待测样品表面上建立表面势垒,这可从样品表面天然的带电氧化层获得或人工在样品表面上沉积一层半透明金属膜或滴上一滴离子性氧化-还原剂得到。接近吸收边的入射光,在非晶硅中产生的电子-空穴对扩散进势垒区后。
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关键词
非晶硅
spv实验
隙态密度
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职称材料
题名
由表面光生电压实验确定α-Si:H中费米能级附近的隙态密度
1
作者
林鸿生
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期236-240,共5页
文摘
采用表面光生电压(简称SPV)方法来确定非晶硅材料中少数载流子扩散长度已有多年。在SPV实验中,首先要在待测样品表面上建立表面势垒,这可从样品表面天然的带电氧化层获得或人工在样品表面上沉积一层半透明金属膜或滴上一滴离子性氧化-还原剂得到。接近吸收边的入射光,在非晶硅中产生的电子-空穴对扩散进势垒区后。
关键词
非晶硅
spv实验
隙态密度
分类号
O561.2 [理学—原子与分子物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
由表面光生电压实验确定α-Si:H中费米能级附近的隙态密度
林鸿生
《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
1989
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