差分SPV法测定a-Si:H PIN结构I层少子扩散长度

基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了空间电荷区宽度、样品厚度及背面势垒对测量结果的影响,绘出了测量条件和测量方法。用我们研制的测试系统进行了多项测量,对不同样品测得的扩散长度值在0.10—0.64μm之间。测试系统重复性好。

用表面光压(SPV)法确定异型外延材料中的少子扩散长度

本文分析了用SPV法确定异型外延材料少子扩散长度的可行性,并对典型工艺参数,给出了有效少子扩散长度L_0与外延层厚度d、外延层及衬底少子扩散长度L_1、L_2的关系曲线.提供了一种确定外延层材料少子扩散长度的新方法.

LPE-n-In_(0.53)Ga_(0.47)As中少子扩散长度的研究

本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已测得的典型结果为:N_D=5×10^(15)cm^(-3),L_P=2μm;N_D=1.2×10^(18)cm^(-3),L_P=0.85μm。此外,还给出了不同浓度(N_D)的 n-InGaAs 中少子扩散长度的变化情况。发现当 N_D 增大时,L_P 随之下降,并且 L_P 下降幅度在高浓度范围内明显加剧。研究结果表明,对于三元合金 n-In_(0.53)Ga_(0.47)As 材料,只要满足一定测试条件,并对样品表面进行必要处理,用 SPV 法测量扩散长度是可行的。