一种基于LFSR与MARCH C+算法的SRAM内建自测电路设计

提出了一种基于LFSR与MARCH C+算法的SRAM内建自测试新结构,基于此结构设计了2k×8嵌入式静态存储器(SRAM)的内建自测电路,给出了电路的仿真与综合结果。对比分析了这种新结构与传统结构的特性,指出这种新结构具有可复用性、面积较小、速度较快、故障覆盖率高等优点,是一种实用的、可推广应用的内建自测试结构。